Ｈｆ∶Ｅｒ∶ＬｉＮｂＯ↓［３］晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了在保持铌酸锂晶体本身优良性能的前提下掺杂镁或锌元素虽然提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力，但压制了晶体本身具有优良的光学性能。本发明Ｈｆ∶Ｅｒ∶ＬｉＮｂ...

Ｙｂ和Ｚｎ双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法，它涉及一种钨酸铅晶体及其制备方法。它解决了现有钨酸铅晶体存在Ｖ↓［Ｐｂ］、Ｖ↓［Ｏ］及晶体诱导色心Ｐｂ↑［３＋］、Ｏ↑［－］和Ｆ缺陷，光学性能差的问题。Ｙｂ和Ｚｎ双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、...

锗三维光子晶体的制备方法，它涉及一种锗光子晶体的制备方法。它解决了现有制备锗三维光子晶体的方法中锗无法完全填充模板的问题。本发明方法如下：倾斜沉积法在制备聚苯乙烯小球模板；配制电解液；三电极电沉积法在聚苯乙烯小球模板原位生长锗；化学刻蚀...

一种在磁场中拉制单晶的方法和单晶炉，该单晶炉的螺旋管分成内径大小不同的两组，螺旋管的衔铁做成炉壁的形状，同时作为整个炉体的炉壁，并与炉体的上下端盖和磁环形成全封闭结构，螺旋管由升降器支撑，可以相对坩埚做上下运动，拉晶时，坩埚位于由螺旋管...

晶体的可视化小角度倾斜温梯冷凝生长装置及其生长方法，涉及一种晶体材料的生长装置及其生长方法。现有的生长装置存在镀金不方便、镀层不均匀、晶体生长应力大等弊端。本发明的生长装置与地面呈倾斜设置，倾斜后的装置中，高温热电阻（５－２）的水平高度...

晶体的可视小角度倾斜区熔生长装置及其生长方法，涉及一种晶体材料的生长装置及其生长方法。现有的生长装置及生长方法存在着结晶体成分沿生长方向不一致的弊端。本发明的生长装置在第二层石英管１－２内第一加热线圈４－１的外部设有第二加热线圈４－２，...

本发明涉及蓝宝石单晶生长方法，具体为一种冷心放肩微量提拉法生长蓝宝石单晶生长方法。其特点是：工艺过程中冷却水出口温度稳定在２５±１０℃范围内，整个工艺过程中真空压力不大于６×１０↑［－３］Ｐａ。利用钨发热体及坩埚，钨钼隔热屏及高温结构件...

ＧａＡｓ基ＩｎＳｂ薄膜异质外延生长的模拟方法，它涉及的是ＩｎＳｂ薄膜外延生长过程及制备工艺的技术领域。它是为了克服现有方法，存在生长速率慢、成本高，及不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化的问题。它的模拟方法步骤为：（一）、初始化一个Ｌ...

采用无氯烷氧基硅烷制备多晶硅的方法，它涉及多晶硅的制备方法。它解决了现有制备多晶硅中是采用高压、高温，需使用价格昂贵的设备以及高稳定性的高合金钢，耗能高，硅烷法为粒状多晶硅表面大、易污染，而且工艺过程中采用了氯化物，对人的危害及设备腐蚀...

具有观察及排气装置的钨酸铅晶体生长炉，它涉及晶体生长炉。它为了解决现有单晶炉无法观察晶体生长情况，不利于参数的调整，密封性差，氧化铅易挥发外泄有毒气体，给人身健康带来危害的问题。本发明的观察孔（７）设在保温罩（２）的上部外侧与保温罩（２...

多温区防爆式多晶体合成装置及其方法。它涉及多晶体合成装置及其方法。它解决了温场精细调节，蒸气压过大，造成炉体受损的问题。外壁内有保温层，耐高温不锈钢管贯穿炉体，其两端固定保护帽，监测热电偶插固于保护帽上，监测热电偶参比端连显示装置输入端...

Ｙ和Ｚｎ双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法，它涉及一种钨酸铅晶体及其制备方法。它解决了现有钨酸铅晶体存在Ｖ↓［Ｐｂ］、Ｖ↓［ｏ］及晶体诱导色心Ｐｂ↑［３＋］、Ｏ↑［－］和Ｆ缺陷，光学性能差的问题。Ｙ和Ｚｎ双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化...

本发明提出一种微米级八面体结构ＺｎＯ的制备方法。具体方法为：步骤一：选用乙酸锌与氨水为原料。乙酸锌与氨水摩尔比为１∶２－４；步骤二：加热到４５－５０℃时向Ｚｎ（ＣＨ↓［３］ＣＯＯ）↓［２］溶液中滴加氨水并搅拌，当ｐＨ＝８时，停止滴加，温...

磷化锗锌的多晶合成与单晶生长的方法，它涉及磷化锗锌晶体的合成与生长的方法。本发明解决了目前磷化锗锌多晶的合成方法存在合成速率低的问题，磷化锗锌单晶的生长方法存在不易排出杂质的问题。本发明磷化锗锌多晶合成按如下步骤进行：１．定量；２．升温...

磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法，它涉及晶体的抛光方法。它解决了现有超精密加工方法加工ＫＤＰ晶体时晶体表面会产生小尺度波纹和粒子嵌入、晶体表面难以清洗以及加工效率低、成本高的问题。本发明方法为：一、采用ＫＤＰ晶体抛光装置；二、采用现有切削技术...

一种伴有串状结构的碳化硅纳米线及其制备方法，本发明涉及一种准一维纳米结构及其制备方法。伴有串状结构的碳化硅纳米线：立方相碳化硅的单晶体。方法：将非晶态的碳／二氧化硅纳米复合粉体放入坩埚内并置于气氛烧结炉中，抽真空后向炉内充入氩气使初始气...

一种钽酸锶铋纳米线的制备方法，它涉及一种纳米线的制备方法。它解决了现有技术无法制备出钽酸锶铋纳米线的问题。制备方法：一、称取醋酸锶、次硝酸铋和乙醇钽，制备ＳＢＴ前驱体溶胶；二、电泳沉积；三、煅烧处理；四、将带模板的纳米线放入ＮａＯＨ溶液...

本发明提供了一种大尺寸高熔点晶体生长用的筒形隔热屏。它包括一组金属薄板，金属薄板采用钨钼合金材料，隔热屏与坩埚同轴心，并与坩埚设置有间隔，隔热屏底部没有密封，与坩埚一起放在钨钼合金支架上，每层金属薄板由四片金属薄片组成，每个金属薄片弯曲...

Ｍｇ、Ｈｆ和Ｆｅ三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。它解决了现有技术制备的掺杂Ｆｅ的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明Ｍｇ、Ｈｆ和Ｆｅ三掺杂铌酸锂晶体由Ｌｉ↓［２］ＣＯ↓［３］、Ｎｂ↓［２］...

Ｉｎ、Ｆｅ和Ｃｕ三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。它解决了现有技术制备掺杂的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明Ｉｎ、Ｆｅ和Ｃｕ三掺杂铌酸锂晶体由Ｌｉ↓［２］ＣＯ↓［３］、Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［...