用于故障诊断的根本原因的软件组件的动态注册可以包括确定与进程相关联的线程的执行的开始，以及创建与该线程相关联的动态注册表。确定与线程的执行相关联的一个或多个软件组件，并且为该一个或多个软件组件中的每个软件组件创建动态注册表中的条目。该条...

提供了一种增强的正交接收串行接口电路和用于校准正交接收串行接口电路的方法。正交接收串行接口电路包括生成相同频率正交时钟的第一相位旋转器和第二相位旋转器。正交接收串行接口电路的校准使用由正交接收串行接口电路接收的伪随机位序列（PRBS）。...

用于高效地将程序代码从源语言转换成目标语言的系统和方法。使用处理器设备将输入源代码解析为中间表示(IR)。通过对IR应用静态分析来建立源代码的结构和语义模型，并且根据IR构造目标代码的程序架构，包括生成上下文感知占位符。IR被变换为单静...

提供了一种制造多层电路板的方法，该方法包括形成具有内部间隙区域的多层电路板的层，该内部间隙区域具有与多层电路板的孔相邻的导电材料的经修改的电压对地间隙。经修改的导电材料的电压对地间隙基于待压配连接在多层电路板的孔内的连接器引脚的配置，并...

本发明涉及在微服务之间建立和维持可信通信信道。根据一种方案，CIM包括：从第一微服务向第二微服务发出握手请求。作为响应，在第一微服务处从第二微服务接收验证请求。此外，响应于接收验证请求，与第一微服务相关的第一安全元件产生与第一微服务相关...

方法和系统使用一个或多个机器学习模型以自动生成三维声音。计算设备访问一个多模态内容项。由计算设备基于该多模态内容项，使用一个或多个机器学习模型自动生成三维声音。

一种用于与端点检测和响应(EDR)系统相关联的威胁响应的技术。该系统使用自动可观测量检测、威胁情报丰富、图分析、以及监督机器学习的组合来机器预测分析员在分类(为“真”或“假”阳性)EDR警报时的行为，并且支持(i)自动抑制系统以足够的置...

一种用于形成电子器件的方法，包括：将引脚从组件(50)焊接到板的镀通孔，所述组件位于板的第一侧F1上；以及将焊膏施加到所述板的第二侧F2上的镀通孔的开口，所述板的第二侧与所述组件定位在其上的所述板的所述第一侧相对。所述方法还可包括将焊膏...

半导体器件包括第一晶体管和电耦合到第一晶体管的第一栅极。第二晶体管位于所述第一晶体管的顶部上。第二栅极电耦合到第二晶体管。电介质隔离层位于第一栅极和第二栅极之间。第一导电触点电耦合到第一栅极。第二导电触点电耦合到第二栅极。通过第一导电触...

描述了用于倾斜图像校正的技术。该技术包括接收描绘圆形对象(402)的斜视图的原始图像，并将原始图像预处理为边缘图像(404)。该技术还包括基于边缘图像通过机器学习模型生成包含由圆形对象(406)的斜视图所形成的椭圆的热图。该技术还包括计...

本公开提供了一种在容错环境中执行图形分析的异步模式系统，还公开了一种基于异步计算体系结构的用于随机化迹近似计算的系统。系统检索与复杂图相关联的邻接矩阵。系统基于检索到的邻接矩阵确定随机向量。该系统基于邻接矩阵和随机向量生成矩阵向量。该系...

一种设备包括逻辑电路(200)，其包括无时钟单通量子逻辑门，该无时钟单通量子逻辑门包括多个输入端口(端口A、端口B)、输出端口(端口Z)、输出约瑟夫森结(220)、以及多个动态存储回路电路(210‑1、210‑2)和隔离缓冲器电路(31...

公开了一种用于相变存储器器件的器件结构。该器件结构包括顶部电极、凹陷在两层电阻衬垫材料之间的相变材料、以及导电材料。导电材料接触顶部电极的侧壁、相变材料的侧壁以及两层电阻衬垫材料中的每一层的顶表面和底表面的一部分。该器件结构包括接触底部...

一种电路包括：被配置为基于第一输入生成第一脉冲的第一脉冲宽度调制器；被配置为基于第二输入生成第二脉冲的第二脉冲宽度调制器；包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻器和第二电阻器的第一差分电路；以及包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻器和第二...

垂直传输场效应晶体管(VTFET)在晶片上。VTFET具有第一宽度。第一宽度是接触式多晶间距(CPP)。VTFET的底部源极/漏极区域从VTFET延伸至少第一宽度。来自VTFET的前侧的接触被连接到底部源极/漏极区域。

本公开包括用于减少顺序访问存储系统中的重写开销的系统和方法。该方法可以包括：使用磁头将数据集写入顺序存取介质，其中该数据集包括多个编码数据块；将顺序存取介质上的多个编码数据块中的每一个分类为至少三个写入质量类中的一个；以及至少部分地基于...

本公开提供了一种更新动态图的最有影响的节点的系统，还提供了标识图的有影响的节点的方法和系统。该图由邻接矩阵表示，并且使用与该图对应的不同子图来表示图更新。通过使用先前存储的邻接矩阵和关于在更新期间添加到子图的附加节点的信息来近似图的子图...

用于克服大语言模型中的最大词元限制的实施例。该实施例可接收目标文本。该实施例可以将与目标文本相关联的注意力矩阵分成一系列子矩阵。该实施例可以利用门控循环单元神经网络来编码对应于该系列子矩阵的固定长度向量。该实施例可以构造有向无环图，其中...

一种半导体器件，包括：第一过孔级，形成被配置为提供输出的底部跳线；第一组两个或更多个第一金属化走线，覆盖第一过孔级；第二过孔级，形成覆盖第一组两个或更多个第一金属化走线的第一顶部跳线；以及第二金属化走线，覆盖第二过孔级。

提供一种半导体结构，其包括背侧源极/漏极接触结构，该背侧源极/漏极接触结构接触晶体管的源极/漏极区并与位于晶体管背侧上的三层底部电介质隔离结构的一部分重叠。三层底部电介质隔离结构的存在防止了晶体管的栅极结构与背侧源极/漏极接触结构之间的...