半导体芯片器件包括具有后端线层和背侧功率输送网络的衬底。输入功率线电耦合到背侧功率输送网络。虚设晶体管位于具有模拟或数字电路元件的电路中。功率选通晶体管位于虚设晶体管与模拟或数字电路元件之间的电路中。来自功率输入线的功率通过虚设晶体管从...

一种存储器装置，包括衬底及形成于该衬底上的垂直堆叠铁电电容器。当施加恒定电压时，第一铁电电容器具有与第二铁电电容器不同的电容输出。第一电极和第二电极与垂直堆叠的铁电电容器电接触。在一些实例中，第一铁电电容器中的第一电容器板和第二铁电电容...

改进基于云的逻辑卷管理系统在执行镜像写入操作时的运行时和发现恢复性能。利用结合了主动MWCC策略和被动MWCC策略的各方面的镜像写入一致性检查MWCC策略来更有效地确保数据被正确地从逻辑卷的第一副本镜像到逻辑卷的第二副本(以及潜在地被镜...

一种磁性随机存取存储器（MRAM）设备包括：磁性隧道结（MTJ）堆叠；自旋轨道转矩（SOT）层，其位于MTJ堆叠下方；以及电介质柱，其位于SOT层和MTJ堆叠下方。SOT层具有台阶形轮廓。

公开了一种用于保护区域不被破坏的电路基板结构。所述结构包括电路基板，其中顶部防破坏包封和底部防破坏包封中的至少一个覆盖电路基板的受保护区域中的组件。顶部防破坏包封和底部防破坏包封被粘合地结合到电路基板的表面，并且撕裂起始点被添加到电路基...

通过记录对于针对休眠和睡眠没有惩罚的任务的用户偏好；以及为电池功率分配阈值，来选择供休眠的任务，在该阈值处为休眠和睡眠中的至少一个选择任务。电池功率的阈值的分配包括考虑用户对硬件资源的当前使用和按电池段的电池健康。基于对于没有惩罚的任务...

提供了一种半导体结构，包括：包括多个底部源极/漏极(S/D)外延区域的底部场效应晶体管(FET)，包括多个顶部S/D外延区域的顶部FET，直接设置在底部FET和顶部FET之间的接合电介质层，以及有利地从底部FET的多个底部S/D外延区域...

由自动封装器系统接收从图形用户接口GUI接收的信息和用户管理的命令行模式的列表，其中，自动封装器系统与分析工作流服务相关联。由自动封装器系统生成包括参数空间的模块，参数空间具有在用户管理的命令行模式的列表中使用的一个或多个参数和选项，其...

本说明书描述了一种计算机实现的方法。执行第一比较测试以确定未知对象是否属于对象类的第一子类。响应于确定未知对象不属于第一子类，通过确定是否存在除第一子类和第二子类之外的附加子类来确定未知对象是否是第二子类的实例。响应于确定存在附加子类，...

识别图像内的难区分实体可以包括由图像过滤器生成多个梯度，每个梯度对应于由成像器捕获的图像的多个像素中的一个。可以在图像中搜索可能的重复模式。响应于基于所述多个梯度检测到所述图像内的可能的重复模式，可生成一数据结构，该数据结构包括对应于所...

提供了一种半导体结构，其包括连接到动态随机存取存储器(DRAM)单元的背侧位线，该DRAM单元包括存在于该结构的前侧中的多个场效应晶体管(FET)和多个DRAM电容器。

提供了光子内容可寻址存储器(CAM)及其应用。CAM包括光子交叉条阵列，该光子交叉条阵列包括多个行波导和列波导，以及多个光子过滤器器件。每个过滤器器件可被选择性地编程处于表示相应存储的位值的第一状态和第二状态，该过滤器器件根据编程来滤除...

在通过修改视听内容的未来音频和/或视频帧来增强用户收听和/或观看视听内容的体验的方法中，处理器从第一用户佩戴的IoT设备捕获一组传感器数据。处理器分析一组传感器数据，通过使用情绪向量分析技术和监督机器学习技术转换情绪来生成一个或多个内涵...

描述了用于操作波束成形电路的系统和方法。处理器可以激活波束成形电路的多个发射元件中的发射元件。处理器可以激活波束成形电路的多个接收元件中的接收元件。处理器可以接收表示激活的发射元件和激活的接收元件的相位和幅度的直流(DC)信号。处理器可...

本发明提供了一种计算机实施的方法、系统和计算机程序产品，用于使用边缘计算生态系统智能地指派机器人边缘设备以执行任务。处理器可以识别地理位置中的多个机器人边缘设备。处理器可以确定多个机器人边缘设备中的每个机器人边缘设备的属性。处理器可以识...

一种半导体器件，包括具有第一区域和第二区域的衬底，第二区域与第一区域隔开一定距离以在其间限定空间。包括栅极电介质的第一半导体器件在第一区域上。第一半导体器件可以在第一区域中实现基于FinFet的输入/输出(I/O)器件。第二半导体器件不...

VTFET在晶片上，并且背侧功率输送网络在晶片的背侧。第一背侧接触被连接到VTFET的栅极和背侧功率输送网络的第一部分。VTFET具有第一宽度，并且该第一宽度是接触式多晶间距(CPP)。第一背侧接触可以至少与VTFET相距第一宽度。第一...

在晶圆上提供第一VTFET。第二VTFET与晶圆上的第一VTFET相邻。背面电力递送网络位于晶圆的背面上。共享正面接触在晶圆的正面上。共享正面接触连接到第一VTFET的第一顶部源极/漏极区域、第二VTFET的第二顶部源极/漏极区域和背面...

一种半导体器件，例如集成电路、微处理器、晶片等，包括在相同区域类型(例如p型区域或n型区域等)内的第一栅极全环绕场效应晶体管(GAA FET)(303)和第二GAA FET(313,323,333)，其中在相同区域内具有相对异质的沟道。...

提供了一种半导体结构，其包括第一FET器件区域，第一FET器件区域包括多个第一FET，多个第一FET中的每个第一FET包括位于功能栅极结构的每一侧上的第一源极/漏极区域(28)。第二FET器件区域堆叠在第一FET器件区域上方并且包括多个...