电压源看门狗包括被串联放置在电压源与负载之间的无源器件。所述无源器件包括已知材料的电迁移(EM)连接点，所述已知材料在指定量的电流通过所述EM连接点后将形成电迁移空洞。在已知量的电流通过之后，空洞被形成并且电压不再被感测到，从而提供可靠...

为了限制跨电阻随机存取存储器(RRAM)单元的电阻可变性，本公开包括RRAM单元，其中所述RRAM单元内的电阻扩展层在所述RRAM单元的顶部电极与底部电极之间。电阻扩展层与RRAM单元的细丝形成层串联，且与RRAM单元的细丝形成层没有阻...

本文提供了用于压缩计算环境中的计算系统的延迟关键处理器链路中的数据的各种实施例。一个或多个高速缓存行可以在传送单个高速缓存行之前基于多个参数中的一个或多个在网络栈的最低级别处被动态地压缩，其中网络栈包括成帧器和数据链路层。

一个实施例包括分析用户查询的文本内容以经由自然语言处理(NLP)来识别查询主题。该实施例将查询主题映射到文本数据库的层次模型的节点处的主题聚类。该实施例基于用户查询生成指示对主题聚类的需求的查询需求数据。该实施例基于查询需求数据将主题聚...

本公开的各方面一般涉及软件开发环境，更具体地涉及自动化软件开发、安全和操作(DevSecOp)的系统、计算机程序产品和方法。由处理器接收多个基础设施即代码文件，该多个基础设施即代码文件指定用于在用于云平台的连续集成和连续递送管线中的源代...

使用机器学习模型的导出数据和模型训练环境规范，识别模型的代码模块使用规范和资源使用规范。根据代码模块需求规范和目标执行环境规范确定代码模块安装规范。将由代码模块安装规范所指定的代码模块安装在目标执行环境中。使用更新的目标执行环境的数据，...

一种示例性操作可以包括以下步骤中的一个或者多个：从安装在数据复制服务器处的代理接收消息，该消息包括数据复制操作的校验和验证的状态标识符，识别与数据复制服务器相关联的等待时间值，基于校验和验证的状态标识符和等待时间值来确定是否已经发生数据...

半导体包括第一GAA FET（303）和第二GAA FET（305）。第二GAA FET在其栅极结构内包括第一栅极电介质（391）和第二栅极电介质（472）。第一GAA FET在其栅极结构内仅包括第一栅极电介质。第一GAA FET的栅极...

一种用于高效推断混合专家(MoE)神经网络模型的3D存储器内计算加速器系统(100)和方法。该系统包括多个存储器内计算核(102)，每个存储器内核包括多层存储器内计算单元(106)。存储器内计算单元的一个或多个层对应于MoE模型的专家子...

本文描述的示例提供了一种计算机实现的方法，其包括训练机器学习模型。通过以下步骤来训练该模型：使用查询工作负载和数据库中的表之间的关系中的至少一个来生成训练查询集；针对训练查询集中的每个训练查询，构建查询图；针对训练查询集中的每个训练查询...

公开了一种用于测试和调试协作混合现实对象的交互的方法。在一个实施例中，该方法包括接收输入，该输入包括由第一组属性表达的第一混合现实对象、由第二组属性表达的第二混合现实对象、与第一混合现实对象相关联的第一单独测试用例、以及与第二混合现实对...

公开了一种半导体器件和形成该器件的方法。该半导体器件包括底部电极、在底部电极上的磁性隧道结(MTJ)堆叠，以及在MTJ堆叠上的顶部电极(136，236)。该底部电极和顶部电极(136，236)中的至少一个电极包括掺杂的SiGeSn。

提供了一种变换应用以用于分布式计算环境的系统。该系统包括一个或多个存储器，以及耦合到一个或多个存储器的至少一个处理器。该系统分析用户意图的描述以提取用于变换应用的信息。所提取的信息指示用于分布式计算环境的功能。应用的多个软件制品被映射到...

提供了一种集成电路通信架构，并且该集成电路通信架构包括时钟通道、时钟分频器和第一去偏斜电路。时钟通道被配置为以第一速率从第一芯片向第二芯片传送时钟信号。时钟分频器在第二芯片上，被配置为接收经由时钟通道传送的时钟信号，并且被配置为根据所接...

一种晶界自动对准的电阻存储器结构，其可使多个以氧化物为主的ReRAM元件并联紧密地组合形成，各元件具有其自身的顺从电阻器。该结构能够形成多丝，每个元件一个细丝，目的是降低复合ReRAM单元中的可变性。

一种相变材料(PCM)存储器单元，具有亚EUV尺寸的金属加热器元件。PCM存储器单元包括含金属材料的底部电极、包括相变材料的存储器单元结构；以及亚极紫外(亚EUV)尺寸的金属加热器元件，其位于底部电极和PCM存储器单元结构之间并电连接底...

提供了一种具有改进性能的半导体结构，其包括局部扩大的过孔至背侧电源轨道(VBPR)接触结构，该VBPR接触结构将一个场效应晶体管(FET)的源极/漏极区连接到背侧电源轨道。

一种装置，包括背侧功率分布网络；背侧功率轨，其接合到该背侧功率分布网络；以及背侧接触通孔，其将至少一个线晶体管的前端耦接到该背侧功率轨；其中该背侧接触通孔包括基于柱的存储器设备。

提供一种集成电路(IC)的场效应晶体管(FET)单元结构。该FET单元结构包括第一和第二相邻单元。第一和第二相邻单元中的每一个跨越第一层和第二层。第二层垂直堆叠在第一层上。第一单元包括在第一和第二层中的一层上的n掺杂FET(NFET)和...

一种用于声音片段的声学阻尼的方法，包括识别针对用户在环境中的位置的音频片段，以及将音频片段分段成多个声音片段。该方法还包括响应于确定来自音频片段的至少一个声音片段需要声学阻尼，对该至少一个声音片段执行声学阻尼，其中该至少一个声音片段的阻...