电子结构可以包括耦合在具有第一量子比特的第一可调谐耦合器量子比特(TCQ)的第一电极片和第二电极片之间的第一超导量子干涉器件(SQUID)，以及耦合在第一TCQ的第二电极片和第三电极片之间的第一约瑟夫森结(JJ)。该电子结构可以包括耦合...

提供了用于计算资源访问安全性的机制，其中认证用户代理的凭证以确定用户代理是否与要为其生成基于属性的加密(ABE)密钥的实体相关联。如果相关联，则生成并提供ABE密钥，其对应于实体的属性集。令牌发布逻辑从依赖方计算设备接收令牌请求和ABE...

一种用于管理存储系统的方法、系统和计算机程序产品，该存储系统包括第一存储设备和第二存储设备，该方法包括：分析用于在第一存储设备和第二存储设备上写入的一组存储块的一组压缩比以确定模式；响应于该模式，确定第一压缩比和第二压缩比，第一压缩比与...

提供了促进用于低温系统的可扩展热能回收的系统和技术。在各种实施例中，系统可以包括至少一个低温恒温器。在各种方面中，所述系统可进一步包括通过热交换系统联接到所述至少一个低温恒温器的热电池。在各种实例中，热电池可配置成存储从至少一个低温恒温...

提供了一种半导体结构，其包括位于嵌入在浅沟槽隔离结构（12）中的位线（28）表面上的电阻式随机存取存储器。该结构还可包括位于位线（28）上方或嵌入在浅沟槽隔离结构（12）中的源极线（SL）。

一种数据处理系统包括主设备、中央请求代理、以及多个窥探器，多个窥探器通信地耦合到用于传送要重试的请求的系统结构。主设备在系统结构上发出旨在用于多个窥探器的多播请求。中央请求代理在系统结构上接收多播请求，将多播请求分配给中央请求代理中的多...

DNS请求混淆包括：生成用于混淆由用于组织的私有DNS服务器处理的DNS请求活动的诱饵域名系统(DNS)请求，并将诱饵DNS请求发送到(一个或多个)外部DNS服务器以用于解析，接收寻求针对客户端设备的DNS查找的DNS请求，通过向(一个...

公开了一种半导体结构，其具有包括第一器件层的第一场效应晶体管(FET)；包括第二器件层的第二FET，其中第一器件层相对于第二器件层具有阶梯部分；以及在第一器件层的阶梯部分处的第一FET的栅极与第二FET的栅极之间的电连接。第一FET堆叠...

提供了一种半导体结构，该半导体结构包括堆叠晶体管和集成在同一晶片上的非堆叠晶体管，该堆叠晶体管包括堆叠在另一晶体管之上的至少一个晶体管。堆叠晶体管和非堆叠晶体管均包括前侧互连和背侧互连。

提供了一种包括单晶体管单电容器(1T1R)器件的半导体结构，其包括：嵌入电阻式随机存取存储器(ReRAM)，其具有大于1栅极节距的宽度，存在于该结构的前侧或背侧；前侧接触结构，其电连接到1T1R器件的晶体管的源极区；以及背侧接触结构，其...

一种具有改进的背侧金属触点的半导体结构包括场效应晶体管内的多个源极/漏极区域。背侧金属触点被电连接到多个源极/漏极区域中的至少一个源极/漏极区域。背侧金属触点包括第一锥形轮廓。半导体结构还包括通过背侧金属触点而被电连接到至少一个源极/漏...

公开了用于半导体装置和用于制造的方法的实施例。该装置包括第一栅极，其具有设置在底部FET上方的顶部FET，并且与顶部源极/漏极外延（S/D epi）和后端线（BEOL）互连电接触。另外，该装置包括底部FET。底部FET与底部S/D外延电...

描述了用于执行层归一化的系统和方法。一种电路可以跨多个时钟周期接收输入数据的序列，其中该输入数据的序列表示输入向量的部分。该电路可以确定对应于输入数据的序列的多个总和以及多个平方和。该电路可以基于多个平方和来确定表示输入向量中的向量元素...

一种用于加密从发送器传输到接收器的帧的方法包括从发送器向接收器传输集合的未加密的训练帧，其中每个训练帧在发送器的计数器的输出上传输之前被加扰和训练帧，其中每个加扰的训练帧是未加密的。来自发送器的控制信号在训练帧之后从发送器发送到接收器。...

一种芯片和冷却器组件包括具有前侧和后侧的有源或无源中介件(114)。集成电路芯片(102，112)被安装到中介件(114)的后侧上。芯片(102，112)中的每个芯片具有被附接到中介件(114)的前侧以及背向中介件(114)的后侧。间隙...

公开了一种磁阻器件(102)，其包括：位于半导体衬底(104)上的晶体底部电极层(126)；位于晶体底部电极层上方的晶体金属层(124)；位于晶体金属层上方的导电氧化物层(122)；以及位于导电氧化物层上方的磁性隧道结(MTJ)结构(1...

一种用于供应云计算集群的计算机实现的方法，包括：接收创建云计算集群的请求，云计算集群包括集群化文件系统以及与云计算集群相关联的所请求数量的处理节点和附接存储设备；以及响应于接收到创建云计算集群的请求，启动针对单个处理节点和对应的附接存储...

一种半导体结构包括具有第一多个含金属线的第一金属化层，以及位于第一金属化层之上的第二金属化层。第二金属化层包括第二多个含金属线。第二多个含金属线的第一组设置在第一金属化层中。第二多个含金属线的第一组通过电介质阻挡层与第一金属化层隔离。

一种用于锡晶须隔离和检测的装置，包括具有用于连接到放置在基底上的电子部件的多个焊盘的基底，和放置在基底的表面上的屏蔽件。屏蔽件包括在多个焊盘上方对准的多个腔体。各自与多个腔体中的一个相关联的多个感测部件被配置用于感测来自多个焊盘中的对应...

一种微电子结构，包括第一堆叠FET器件，该第一堆叠FET器件包括第一底部FET器件和第一上部FET器件。第一底部FET器件包括多个第一底部沟道层，并且第一上部FET器件包括多个第一上部沟道层。围绕多个第一底部沟道层的底栅极和围绕多个第一...