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国际商业机器公司专利技术
国际商业机器公司共有16615项专利
MRAM堆叠、其制造方法和MRAM阵列技术
本发明提供一种磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠、制造MRAM堆叠的方法和MRAM阵列。MRAM堆叠包括包含赫斯勒化合物的第一磁性层。MRAM堆叠还包括一个或更多个籽晶层,该一个或更多个籽晶层包括具有配置为模板化赫斯勒化合物的晶体结构的...
基于参数曲线的探测器网络制造技术
实施例可提供用于对象检测的改进技术,以便使用由多个控制点界定的参数曲线来改进对象的发现和边界预测的准确性
基于相变存储器的脉冲突触设备以增加权重更新的线性制造技术
根据一个实施例,提供了一种用于增加相变存储器
定位神经网络性能热点制造技术
用于定位性能热点的实现包括:收集具有指令地址的样本数据,该样本数据用于神经网络模型;以及确定指令地址中的作为性能热点的指令
数据库安全制造技术
一种方法,包括:由数据库服务器获得与由所述数据库服务器托管的数据库相关联的安全策略;由所述数据库服务器获得与所述数据库相关联的第一数据库数据;由所述数据库服务器使用所述安全策略和所述第一数据库数据创建知识升华模型;由所述数据库服务器获得...
选择性偏置磁阻式随机存取存储器单元制造技术
提供一种磁阻随机存取存储器
通过适配于计算设备来部署可并行化的深度学习模型制造技术
在通过适配于计算设备来部署可并行化的深度学习模型的方法中,深度学习模型被分成多个切片,其中每个切片可以与相关切片交换数据
后端量子运行时制造技术
提供了促进后端量子运行时的系统和技术
联合学习的可信和去中心化聚合制造技术
用于分布式联合学习的技术利用多层防御策略来减少信息泄漏
使用设备制造技术
处理器可识别
数据模态的自适应选择以用于高效视频识别制造技术
提供了一种用于数据模态的自适应选择以进行高效视频识别的方法
基于级联重定时的同步分频器制造技术
一种具有时间同步化输出
具有非对称阈值电压的纳米片金属氧化物半导体场效应晶体管制造技术
一种半导体结构及其制造方法,包括位于半导体衬底上的沟道纳米片之间的内间隔物,位于半导体结构的第一侧上的内间隔物的第一部分和位于与第一侧相对的第二侧上的内间隔物的第二部分,第一侧上的内间隔物的第一部分包括从内间隔物的第一部分的中间顶表面向...
具有体接触的纳米片晶体管制造技术
竖直对齐且堆叠的半导体沟道层,由功函数金属和栅极电介质分开,栅极电介质部分地包围功函数金属且使功函数金属与每个半导体沟道层分开,功函数金属的第一部分直接接触每个层的竖直侧壁
具有制造技术
一种设备
通过相变材料调谐量子发射器的发射波长制造技术
调谐具有分层结构的装置,该分层结构包括相变材料层和具有嵌入的量子发射器的基质材料层
用以加速模算术运算的流水线硬件制造技术
实施例涉及在通用字段中的椭圆曲线加密标量乘法,其中在字段运算之间具有繁重的流水线操作
安全执行进行越界引用的程序制造技术
一种用于防止程序进行越界存储器引用的方法
可逆电阻式存储器逻辑门设备制造技术
一种存储器设备包括两个相变存储器
用于宽带相控阵列系统的紧凑延迟线和相关联的电路技术方案
一种相控阵列系统包括具有有源延迟元件和无源延迟元件的可调谐延迟元件
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