本发明构思提供了一种针对非均匀热图的用于微流体冷却方法。该方法包括标识微电子器件的多个区域。获得针对微电子器件的多个区域中的一个或多个区域的局部温度测量。基于所获得的局部温度测量，将电压施加至一个或多个区域的至少一部分中的微流体。

一种半导体结构包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一输入源极/漏极区域和第一输出源极/漏极区域，并且第二晶体管包括第二输入源极/漏极区域和第二输出源极/漏极区域。第一输入源极/漏极区域和第二输入源极/漏极区域连接到第一源极/漏极...

根据一个实施例，公开了一种方法、计算机系统和计算机程序产品，用于在硬件安全模块（HSM）上建立基于身份的分层会话以用于将安全密钥绑定到客户系统。本发明可以包括在客户系统和HSM之间建立通信信道，其中所述通信信道是基于身份的、端到端的、以...

一种用于人工智能模型中的推断性能的方法提供预处理开销的减少。该方法包括接收与人工智能模型相关联的多个操作。生成人工智能模型的计算图。每个操作被分类成三个类别中的一个，三个类别包括：加速器指定操作、中央处理单元(CPU)指定操作、以及未确...

根据本发明的一个方面，一种用于将逻辑专用主机和与其相关联的虚拟机(VM)从第一物理服务器动态迁移到第二物理服务器的计算机实现的方法包括：响应于接收到从第一物理服务器迁移逻辑专用主机的请求，创建逻辑专用主机的克隆，从而创建克隆专用主机。在...

本申请公开了极紫外(EUV)光刻用有机金属化合物，组合物，和干光刻胶或硬掩模。有机金属化合物包含至少一个选自Bi(III)和Bi(V)的铋元素。有机金属化合物也包含键合到铋元素的至少一个C1至C6烷基配体和至少一个末端或桥接配体A(O、...

本公开涉及一种提升超导量子计算机中的量子比特状态之间的辨别的方法、系统及计算机程序产品。对信道进行校准以训练内核，使其包含正确的校准数据（“内核状态”）。在校准信道后，执行在相邻信道（包含最近被校准的信道）中同时对量子比特执行量子操作的...

一种用于使用独热数据表示的隐私保护同态推断的方法、装置和计算机程序产品。在该方法中，与基于云的服务器交互的客户端提交数据元素的基于中国剩余定理(CRT)的独热映射，并且服务器在在线阶段中扩展这些映射以获得该元素的完整独热映射。在服务器获...

示例系统包括处理器，用于从在应用上执行的机器人过程自动化(RPA)脚本检测未找到的元素。处理器可分析应用以从应用中提取组和元素集合。处理器可计算所提取的组与先前从应用的先前版本提取的组之间的语义相似度。处理器可响应于检测到所提取的组与先...

一种用于合并循环的计算机实现的方法。多个处理器单元识别计算机代码中的循环。循环是被重复直到达到循环的条件的指令序列。所述多个处理器单元创建树，所述树包括表示所述循环的节点和表示节点之间的关系的边。所述多个处理器单元利用树来识别来自兄弟节...

在容器编排平台pod的运行时提供pod资源限制的动态调整。该过程包括在计算环境中部署具有一个或多个pod资源的容器编排平台pod，其中pod资源具有一个或多个相关联的pod资源限制。此外，该过程包括监视所述容器编排平台pod的运行时资源...

根据一个实施例，一种用于基于要被删除的文件的先前备份副本来创建被删除的文件的备份副本的计算机实现的方法包括与文件的删除相关联地创建与文件相关联的被删除的数据集记录，其中文件包括文件数据集。从包含文件数据集的目录中移除文件数据集。该方法包...

一种场效应晶体管（FET）器件（102）。该FET器件（102）包括半导体沟道（102‑C）。此外，该FET器件（102）包括与半导体沟道（102‑C）接触的第一栅极电介质。另外，该FET器件（102）包括金属–绝缘体–金属（MIM）结...

本发明的实施例提供一种MRAM结构。该结构包括：金属线，该金属线具有在第一侧和第二侧之间的宽度、在第一端和第二端之间的长度、以及纵向轴线，并且相对于所述纵向轴线对称；导电通孔，所述导电通孔接触所述金属线的第一区域；以及磁性隧道结（MTJ...

一种制造半导体器件的方法，包括提供具有介电叠层和位于介电叠层上的心轴层的半导体结构。牺牲心轴特征的阵列被图案化到心轴层中并且在介电叠层的绝缘层的顶部上。邻近牺牲心轴特征中的一个形成自对准非心轴切口。牺牲心轴特征被移除。在多个沟槽中的一个...

本公开的实施例提供了用于预测给定IC设计的物理设计综合的优化输出目标的优化设计流程参数的增强系统和方法。使用包括来自历史IC设计的综合设计构建流的数据集来训练变分自动编码器(VAE)连同回归网络，以提供被约束到VAE的潜在空间的数据集的...

本公开涉及一种用于实现由无状态硬件安全模块执行的针对客户端工作负载的密码操作的保护的方法，该方法包括：来自客户端工作负载的密钥生成请求和证明文档，验证密钥生成请求和证明文档，确定客户端工作负载的工作负载要求，生成密码密钥，以及将所确定的...

提供了自旋轨道扭矩磁阻随机存取存储器(SOT MRAM)设备。每个SOT MRAM设备使用拓扑导体(即，拓扑金属或拓扑半金属)作为互连层和SOT层两者，在相同的金属层处集成SOT层和互连层。SOT MRAM设备还包括接触SOT层的磁隧道...

提供了一种半导体结构，其包括多个背侧电源岛，而不是背侧电源轨。背侧电源岛存在于第一器件轨道和第二器件轨道中。位于第一器件轨道和第二器件轨道中的每个背侧电源岛由第一切割区域隔离，并且位于第一器件轨道中的背侧电源岛与位于第二器件轨道中的背侧...

所公开的电阻切换存储器结构(25)包括布置在第一电极(5)和第二电极(20)之间的铁电层(10)和顺电层(15)的电介质叠层。至少铁电层产生负差分电容以放大施加的电压。选择铁电层和顺电层的厚度导致铁电层和顺电层在暴露于由负差分电容放大的...