提出了方法、计算机程序产品和系统。该方法、计算机程序产品和系统可以包括例如：检查容器镜像的镜像层，并且根据所述检查来生成指定所述容器镜像的层依赖关系的层依赖关系数据；在容器储存库中存储指定所述容器镜像的层依赖关系的层依赖关系数据；响应于...

一种方法、系统和计算机程序产品被配置为：响应于从请求系统接收到就绪探测请求，发起事务；将用于该事务的探测标志设置为第一状态；向用户应用发送该事务以用于处理；基于探测标志被设置为第一状态，在用户应用正在处理该事务时保持对运行中的可恢复资源...

提供了一种用于当高分辨率磁带目录（HRTD）无效时最小化HRTD恢复时间的系统、方法和计算机程序产品。磁带驱动器可以将磁带加载到磁带驱动器中。响应于接收到在磁带开头（BOT）位置处的写命令或读命令，磁带驱动器可以执行写命令或读命令而不执...

一种封装结构，包括：具有上表面的衬底；第一芯片封装，位于所述衬底的上表面上，所述第一芯片封装包括第一芯片，所述第一芯片具有连接到第一再分布层的第一集成电路；第二芯片封装，位于所述衬底的上表面上，所述第二芯片封装包括第二芯片，所述第二芯片...

一种半导体IC器件（50）包括导电贯穿器件连接。连接可位于将有源区域（52,53）隔开的双扩散中断(DDB)区域（51）内。连接可包括位于正面接触（30）和背面接触（32）之间的伪S/D区域（24）。半导体IC器件可进一步包括第一（20...

一种半导体结构包括堆叠器件结构，该堆叠器件结构具有：第一场效应晶体管，其具有第一源极/漏极区；以及垂直堆叠在第一场效应晶体管上方的第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管具有第二源极/漏极区以及具有第一侧壁间隔物的栅极区。该堆叠器件结构还包...

提供一种半导体结构，包括具有不同栅极电介质的多个堆叠器件。设计了用于堆叠器件的不同栅极电介质以改进堆叠器件中的每一个堆叠器件的性能以及可靠性。

提供了针对边缘设备的丢失聊天消息的选择性定位。该过程包括经由端到端加密消息传递系统来从用户的边缘设备向与用户的聊天中的至少一个其他参与者的至少一个其他边缘设备发送定位聊天消息请求。该定位聊天消息请求标识针对边缘设备上的聊天的至少一个丢失...

公开了一种用于将库从源操作系统变换到目标操作系统的计算机实现的方法。由此，源操作系统包括ABI，目标操作系统包括目标ABI，目标ABI不同于源ABI，库由源对象文件实现，源对象文件与源应用二进制接口相符，并且包括源存储器映像、源符号以及...

一种相变存储器，其包括复合相变材料层，该复合相变材料层包括混合物，该混合物包含：具有第一电阻率的投射材料的分散相和具有取决于相的第二电阻率或第三电阻率的相变材料的基质。投射材料的第一电阻率的电阻具有大于相变材料的第二电阻并且小于相变材料...

公开了多部分事务完整性保护和加密，包括：由第一设备生成用于认证事务的多个包的第一消息认证码（MAC），所述多个包至少包括在数据链路上从第二设备接收的第一包和由所述第一设备响应于接收到所述第一包而生成的第二包，其中，所述第一MAC是使用被...

一种设备，包括滤波器电路和非线性混频设备。滤波器电路包括第一端口、第二端口、第一带通滤波器和第二带通滤波器。非线性混频设备响应控制信号，将第一带通滤波器的极耦合到第二带通滤波器的相应极，以引起信号从第一端口到第二端口的非互易传输。

一种微电子器件，包括纳米片晶体管，该纳米片晶体管包括第一源极/漏极（170）以及第二源极/漏极（172），连接到第一源极/漏极的正面接触（182）以及连接到第二源极/漏极的背面接触（210）。多个隔离层位于纳米片晶体管之下，以及第二源极...

一种半导体结构包括前段制程层级，其包括多个场效应晶体管。每个场效应晶体管包括位于场效应晶体管的相对侧上的源极/漏极区域。位于相邻场效应晶体管之间的浅沟槽隔离区域将多个场效应晶体管彼此电隔离。浅沟槽隔离区域具有锥形轮廓。背侧隔离区域被嵌入...

一种半导体结构，包括：电介质条，其被布置在第一源极漏极区域与第二源极漏极区域之间并且将第一源极漏极区域与第二源极漏极区域物理地分离；第一硅化物衬里（160），其位于第一源极漏极区域正下方；以及第二硅化物衬里，其位于第二源极漏极区域正下方...

提供了一种传感结构（101）并且包括：管状元件（110），流体可沿单个路径流动通过该管状元件；传感器（120 1‑5）的阵列，沿管状元件的长度设置，由此流体可流动通过传感器中的每一个；以及感测电路，与传感器中的每一个电连接，并被配置为测...

一种计算机实现的方法包括：接收要相对于一个或多个感兴趣特征评估的感兴趣制品的图像；识别所接收的图像中的已知大小的参考特征；识别所接收的图像中的参考特征的两个以上端点以及参考特征的两个以上端点之间的像素的数量；基于参考特征大小和参考特征的...

一种半导体结构包括：第一堆叠器件，其具有包含一个或多个第一纳米片层的第一场效应晶体管、包含一个或多个第二纳米片层的第二场效应晶体管；以及位于所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管之间的第一介电绝缘层，所述第一介电绝缘层具有第一宽度。...

提供了一种阻抗感测结构，并且该阻抗感测结构包括介电层、螺旋电极对、入口元件和出口元件以及感测电路，该螺旋电极对在介电层上形成双螺旋通道并且具有在双螺旋通道的中心区域处的入口部分和在双螺旋通道的端部处的出口部分。入口元件和出口元件分别与入...

半导体单元包括包含第一组硅纳米片（114A‑114D）的顶部FET（106）和包含第二组硅纳米片（110A,110B）的底部FET（102）。顶部FET和底部FET处于堆叠构型中。所述半导体单元包括顶部FET切出区域，所述顶部FET切出...