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国际商业机器公司专利技术
国际商业机器公司共有17139项专利
在栅极切口中具有两种介电材料的堆叠式CMOS器件制造技术
一种互补型场效应晶体管(CFET)器件被形成在半导体衬底上。CFET器件具有位于第二晶体管下方的第一晶体管。填充的栅极切口与CFET器件的栅极的侧壁直接相邻。栅极切口中的第一介电材料与第一晶体管相邻。栅极切口中的第二介电材料与第二晶体管...
具有自对准背侧沟槽外延的垂直场效应晶体管制造技术
一种具有自对准背侧沟槽外延的半导体结构包括从场效应晶体管的底部源极/漏极区域垂直延伸的通道鳍。底部源极/漏极区域包括沟槽外延层,该沟槽外延层位于通道鳍的最底部表面下方。沿通道鳍的侧壁设置高k金属栅极堆叠。高k金属栅极通过底部间隔物与底部...
铁电电容性存储器单元的负电容制造技术
一种电容性存储器单元,包括电极、与电极直接接触的隧穿势垒层、与隧穿势垒层直接接触的电荷俘获层、与电荷俘获层直接接触的铁电层、以及与铁电层直接接触的另一电极。
在数据集的覆写端保留高分辨率磁带目录制造技术
包括高分辨率磁带目录(HRTD)的数据集的结束(EOD)被写入在磁带上最后写入的用户数据集的下一个位置。当附加新的用户数据集时,从EOD的结束纵向位置(LPOS)的下一个位置开始写入新的用户数据集以生成被覆写的EOD。
用于共享高速缓存行的无效保护制造技术
计算环境的节点获得至少由该节点和计算环境的管理器节点共享的高速缓存行的独占获取请求。独占获取请求包括关于由管理器节点对独占获取请求的处理的状态指示。节点基于包括在独占获取请求中的关于由管理器节点对独占获取请求的处理的状态指示,来处理独占...
集群环境中的镜像分解存储器制造技术
提供了一种用于在分解存储器集群环境中镜像存储器的示例计算机实现的方法。该方法包括由管理程序将分解存储器指派给包括远程分解存储器的虚拟机,该虚拟机是分解存储器集群环境的集群的一个节点。该方法还包括由分解存储器管理器为远程分解存储器分配镜像...
基于非易失性存储器的激活函数制造技术
可以提供用于人工神经网络的基于模拟存储器的激活函数。一种装置可以包括至少两个并联连接的非易失性存储器设备,使得电流可以根据驱动电流的电压水平流过两个非易失性存储器设备中的一个。为了控制输入电流流过哪个分支,两个非易失性存储器设备中的每一...
具有混合材料可切换区域的相变存储器单元制造技术
一种电子设备包括第一电极、第二电极和被配置为存储电阻状态的存储器组件。存储器组件包括被布置成与第一电极直接接触的层状区域和被布置成与第二电极直接接触的块状区域。层状区域包括由第一材料制成的多个第一层和由第二材料制成的多个第二层,多个第一...
卸载相互依赖的共享库制造技术
描述了卸载共享资源。在模拟资源中生成共享库相关表(SLCT)。在关闭函数期间,选择SLCT中的条目以减小SLCT中的所选择的条目的引用计数,基于引用计数而验证所选择的条目的状态,以及当所选择的条目的状态指示所选择的条目的关联容器不是共享...
管理对磁带归档服务提供商处的磁带盒的访问制造技术
提供了一种用于管理对磁带归档服务提供商处的磁带盒的访问的计算机程序产品、系统和方法。确定磁带盒的非易失性存储器是否存储密钥加密密钥,该密钥加密密钥包括与用户相关联的经加密的用户加密密钥。响应于确定磁带盒的非易失性存储器存储密钥加密密钥,...
电阻式随机存取存储器上的顶部触点制造技术
一种存储器设备,包括到第一导电结构的沟槽;包含在沟槽内的保形导电材料的第一电极,第一电极与第一导电结构电连通,且存在于沟槽的侧壁上;开关层存在于第一电极上的沟槽内并延伸至所述沟槽外部;以及第二电极,存在于开关层上并过填充沟槽。该存储器设...
体积视频的个性化聚集制造技术
提供了一种计算机实现的方法、计算机系统和计算机程序产品。该计算机实现的方法包括使用第一对象的第一属性选择第一体积视频中的第一对象。该方法还包括使用第二对象的第二属性选择第二体积视频中的第二对象,其中,第一属性和第二属性满足聚集规则。该方...
使用非线性斜率检测的电压跌落和超调管理制造技术
一种用于检测处理器中的电压电平的n级斜率的计算机实现的方法,其中,n大于1,包括:针对与预先定义的第一边沿相对应的电压电平来监视处理器中的电压;以及在从检测到预先定义的第一边沿起的第一计数限制内监视与预先定义的第二边沿相对应的电压电平。...
促进利用许可分布式账本的对等云计算资源共享制造技术
提供了利用许可分布式账本来促进对等云计算资源共享。检测计算资源消费者对经由对等去中心化网络来自计算资源提供者的附加计算资源的请求。响应于验证计算资源消费者被授权消费附加计算资源以及计算资源提供者被授权经由对等去中心化网络将附加计算资源转...
用于乘法累加操作的固定非对称性补偿制造技术
描述了用于补偿乘法累加(MAC)操作的系统和方法。处理器可以向存储器设备的第一部分发送输入向量。第一部分可以存储经训练的人工神经网络(ANN)的突触权重。处理器可以读取对输入向量和存储在第一部分中的突触权重执行的MAC操作的第一结果。处...
用于磁记录系统的写入换能器技术方案
在一种改进写入换能器的方法中,公开了一种用于在磁介质上记录数据的写入换能器。写入换能器包括第一极片。写入换能器还包括第二极片。第一极片和第二极片以这样的方式布置,使得在第一极片和第二极片之间形成写入间隙。纵轴被限定在写入间隙的相对端之间...
确定虚拟现实(VR)环境的范围以在VR设备上显示制造技术
根据一种方法,一种计算机实现的方法包括:识别在制造位置处执行制造过程中涉及的机器,以及识别所述机器的执行的工作流序列。接收与远程操作员使用虚拟现实VR设备来远程控制所述机器以在所述制造位置处执行所述执行的工作流序列相关联的条件。该方法还...
用于处理器中的刷新的快速映射器恢复制造技术
一种用于恢复处理器核心的映射器的方法包括将第一信息保存在暂存锁存器中。第一信息表示处理器核心的新派发的第一指令,并且被保存在保存和恢复缓冲器的条目锁存器中。响应于接收到处理器核心的刷新命令,用来自暂存锁存器的第一信息开始映射器的恢复,而...
具有与铬扩散阻挡结合的无铝-锰-锗层的快速交换MRAM制造技术
本发明公开了磁性隧道结(MTJ)柱(或其阵列),每个MTJ柱具有磁性自由层(160)(包含例如铝的快速交换材料或例如镓的金属)、磁性参考层(124)和分离两个磁性层的隧道阻挡层(150)。被设置在磁性自由层(160)和隧道阻挡层(150...
降低RRAM形成电压的邻近加热器制造技术
一种计算机存储设备(200)包括底部电极(204)、顶部电极(248)和布置在顶部电极(248)和底部电极(204)之间的存储器组件(244)。存储器组件(244)由电介质固态材料制成,并且与顶部电极和底部电极直接接触。计算机存储设备还...
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