本申请公开了一种电机的同步整流方法

本申请公开了三相电机的电流重构方法、装置、电子设备和存储介质，用于降低重构电流波形失真的情况。本申请电流重构方法包括：将三相电机、逆变器、负载和电源整合成三相电机工作电路；获取三相电机工作电路在运行时的矢量扇区数据；根据矢量扇区数据确定...

本申请公开了一种PWM通信接口电路，用于降低通信接口电路的制作成本。本申请包括：上位机、PWM总线、接口电路、地线、PWM_IN信号线、PWM_OUT信号线和下位机；接口电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、系统供电电源VS和...

本申请公开了一种位置检测磁传感芯片，用于提高集成型磁开关芯片数据采集的精准性。本申请包括：位置检测磁传感芯片包括地管脚GND、使能接收管脚TRI、使能发送管脚TRO和输出管脚OUT；供电模块分别与惠斯通电桥、低失调放大器、第一施密特触发...

本申请公开了一种集成型磁开关芯片，用于提高集成型磁开关芯片数据采集的精准性。本申请包括：惠斯通电桥、低失调放大器、第一、第二施密特触发器、供电模块、数字控制模块、第一、第二晶体管、地管脚、时钟输入管脚CKI、时钟发送管脚CKO、输出管脚...

本申请公开了一种高精度自校准磁开关芯片，用于提高芯片磁场检测工作的精准度。本申请包括：VCC管脚分别与带隙基准及电流偏置模块和调试校准模块连接；带隙基准及电流偏置模块分别与供电电压模块和参考电压模块连接；数字模块分别与调试校准模块和参考...

本申请公开了一种全自动BSG电驱控制器的性能测试平台，用于提高产线生产效率。本申请包括：上料传送机构、上料机构、自动装夹机构、负载机构、下料传送机构、上位机系统和废料箱；上料传送机构和下料传送机构为处于同一水平的传送带；上料机构为机械臂...

本发明公开了一种适用于起发一体机的反向励磁方法，该方法采用向起发一体机施加反向励磁电流，使其母线的输出电压不高于与其连接的电池电压。实现反向励磁的方法是向起发一体机的励磁线圈内输入反向电流，该反向励磁电流产生的磁场与起发一体机的永磁体磁...

本发明公开了一种三相或多相电机的同步整流方法，其特征在于：该方法通过设置对应的三相或多相整流电路，通过比较各相电压的大小，确定在某个时刻各桥臂MOSFET的开关状态，然在并且在比较各相电压时，本发明通过加入阈值判断，使得在各相电压交叠时...

本实用新型公开了一种集成电流采样、温度采样与非隔离驱动的功率模块，属于电子电路技术领域。包括通信接口、温度检测模块、电流检测模块、逻辑控制模块和驱动模块，电流检测模块用于检测流过外置功率管的电流，温度检测模块用于检测功率管附近的环境温度...

本实用新型公开了一种新型用模拟电路来提高电流采用精度的电路结构，该结构包括电流采样模块、温度采样模块、精度补偿结构；其中设有至少一个比较器与温度采用模块连接，该温度采样电路的输出端接到每一个比较器的输入端，比较器的另一个输入端接不通的基...

本实用新型公开了一种用模拟电路来提高电流采用精度的电路结构，其特征在于：该结构包括电流采样模块、温度采样模块、精度补偿结构几个部分；其中精度补偿结构包括：运算放大器A、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5...

本实用新型提出的一种屏蔽栅功率MOS的器件，在沟槽底部淀积的屏蔽栅采用不掺杂的多晶硅，同时其电位设置为浮空，不与源极电位相连，有效降低栅源电容。屏蔽栅结构保证功率MOS漂移区的电荷平衡效应降低导通电阻、提高击穿电压，同时利用不掺杂多晶硅...

本实用新型提出的一种新型屏蔽栅功率MOS器件，采用不掺杂多晶硅屏蔽栅，该屏蔽栅电位浮空不与源极相连，且栅极与屏蔽栅间无层间氧化层。本实用新型提出的浮空不掺杂多晶硅屏蔽栅结构，在保持与传统屏蔽栅结构相似的低的密勒电容的同时，显著提高器件的...

本发明公开了一种集成电流采样、温度采样与非隔离驱动的功率模块，属于电子电路技术领域。包括通信接口、温度检测模块、电流检测模块、逻辑控制模块和驱动模块，电流检测模块用于检测流过外置功率管的电流，温度检测模块用于检测功率管附近的环境温度，通...

本发明公开了一种用模拟电路来提高电流采样精度的方法，属于电力电子领域。包括电流采样电路、温度采样电路、精度补偿结构几个部分。电流采样电路采集电流信号并输入到精度补偿结构，温度采样电路采集环境温度，并输出到温度补偿结构。从电流采样电路和温...

本发明公开了一种通过数字控制的温度补偿提高电流采样精度的方法，通过在实验室阶段得到真实电流Ireal、电流检测模块所输出电流检测Vh（经ADC转换后为电压输出）、温度检测模块所检测温度Vntc（经ADC转换后为电压输出）三者之间根据实验...

本发明提出的一种低压槽栅超结MOS器件，通过第一次外延后的离子注入和第二次外延后离子反扩形成埋层，并与槽栅刻蚀后的离子注入掺杂层相连形成P柱，从而与外延层形成P/N柱交替的超结结构。本发明提出的器件结构相较传统Trench MOS器件具...

本发明提供了一种沟槽栅超势垒整流器，属于半导体功率器件技术领域；本发明对现有超势垒整流器的改进为：采用沟槽栅结构替代平面栅结构；沟槽栅超势垒整流器元胞尺寸小、沟道电阻小；另一方面，其栅氧化层位于硅片表面以下，避免了在引线键合过程中受损伤...

本实用新型提供了一种沟槽栅超势垒整流器，属于半导体功率器件技术领域；本实用新型对现有超势垒整流器的改进为：采用沟槽栅结构替代平面栅结构；沟槽栅超势垒整流器元胞尺寸小、沟道电阻小；另一方面，其栅氧化层位于硅片表面以下，避免了在引线键合过程...