本发明公开一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、第一介电层、栅极结构、第二介电层、底金属层结构、金属层结构以及导电通孔，在衬底上形成多个间隔的有源区，第一介电层设于衬底上，且填充于相邻两个有源区之间，栅极结构形成在多个有源区的...

本发明提供一种用于FinFET器件的鳍片切割方法及由此形成的FinFET器件和电子装置。本发明提供的用于FinFET器件的鳍片切割方法，在进行切割之前，在基板的上表面的伪鳍结构区域形成多个填充有硅褚化合物的填充区；然后在包含多个填充区的...

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种鳍片蚀刻均匀化且可改善鳍蚀刻负载的FinFET结构形成方法，包括S1：在硅衬底上进行阱区离子注入；S2：在硅衬底上依次外延生长形成阻挡层和Si外延层；S3：在Si外延层上形成硬掩模层；S4：以硬掩...

本发明公开了一种具有自对准接触结构的晶体管器件的形成方法，包括以下步骤：在半导体基板上形成多个栅极结构，栅极结构包括栅极和形成于栅极相对侧壁上的侧壁间隔物；在栅极结构的上方沉积一层绝缘材料形成绝缘层；切割绝缘层以形成位于栅极结构上方的覆...

本发明公开了一种基板清洗系统，包括腔室和设置在腔室内的支撑卡盘和喷淋单元，基板固定在支撑卡盘上；喷淋单元用于将冲洗液喷淋到基板上以对基板进行清洗，其中，喷淋单元包括喷嘴，在喷嘴中设置有以向外倾斜的结构配置的多个排出管，以使通过排出管排出...

本发明提供一种FinFET器件及其形成方法。该形成方法在进行蚀刻之前，利用保护膜覆盖鳍状物，然后对鳍状物进行光刻以在第一组鳍状物上形成第一蚀刻图案，第一组鳍状物包含待去除的第一鳍结构；之后利用第一蚀刻图案蚀刻第一组鳍状物和对应的保护膜，...

本发明提出了一种FinFET基础结构及其制造方法；FinFET基础结构包括基体；还包括插设在基体上的填充件(520)；填充件(520)底部的侧壁上凸出形成有凸起部(521)；该凸起部(521)突出于基体顶面上；FinFET基础结构还包括...

本发明提出了一种硬掩模结构及其制造方法、半导体器件；所述硬掩模结构包括蚀刻阻挡层(100)，覆盖在蚀刻阻挡层(100)上的金属硬掩模层(200)以及覆盖在金属硬掩模层(200)上的至少一层缓冲层(300)；所述缓冲层(300)采用Si、...

一种线性抛光机，包括用于固定待抛光件(100)的抛光盘(200)、位于抛光盘(200)上方的动力机构以及与动力机构传动连接的研磨垫(330)；动力机构用于驱动研磨垫(330)，以使研磨垫(330)直接接触并研磨待抛光件(100)。本发明...