本发明涉及数据处理技术领域，提出了基于人工智能的场效应管寿命评估方法，包括：采集若干场效应管的多个维度的测试数据；初始聚类得到若干初始聚簇；获取若干聚类初始中心；根据聚类初始中心进行K均值聚类的第一次分类，得到若干第一类簇；获取每个第一...

本发明涉及数据处理技术领域，具体涉及基于大数据的IGBT健康状态评估方法，包括：采集每个IGBT元件的多种数据，对每种数据进行调整获得评估数据，根据评估数据将每个IGBT元件转换为数据点，将所有数据点的所有种评估数据输入迭代自组织聚类算...

本发明属于半导体封装技术领域，公开了一种半导体分立器件的封装结构，包括外封装壳体

本发明公开了一种电子元器件散热用冷却器，包括机壳、水循环冷却系统、机械动力传递系统和嵌入式过热冷却警示装置。本发明属于元器件散热设备领域，具体是指一种电子元器件散热用冷却器；本发明通过常规的风冷和水冷降温的方式搭配机械传动结构，实现单独...

本实用新型公开了一种手动整条植球的治具，包括工作台、联动驱动组件、随动式助焊剂抹平组件、真空吸附定位组件和支撑腿，所述支撑腿垂直连接设于工作台的底部，所述联动驱动组件设于工作台上，所述随动式助焊剂抹平组件连接设于联动驱动组件的自由端上，...

本发明涉及功率场效应管散热技术领域，具体是涉及一种功率场效应管的锁固扣件式散热装置，具体还涉及一种功率场效应管的锁固扣件式散热装置的使用方法，包括自适应卡扣安装在功率场效应管上的卡扣散热装置，卡扣散热装置包括夹持固定在功率场效应管侧部的...

一种包封模具结构，涉及模具领域，包括模具，所述模具腔壁底部开设插接槽，所述插接槽内腔活动插接有加长框，所述插接槽内壁嵌设有密封圈，所述密封圈内壁与加长框外壁相贴合，加长框腔壁底部表面开设有拼接槽，所述加长框底部活动连接有密封垫，所述密封...

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种锡球顶离治具，包括底座、控制器和多个顶离器；底座为水平板，控制器设置在底座的一侧；顶离器设置多组，且均垂直安装在底座上；顶离器包括中空的立柱、接头和滑动组件；滑动组件安装在接头的底部；立柱的...

本发明涉及芯片封装领域，具体为封装结构及其成型方法。其包括晶圆基板、重布线层、防护层和框架；重布线层设置在晶圆基板上，包括在晶圆基板上阵列分布的多个铜柱；防护层对应覆盖在晶圆基板上，防护层包裹铜柱外周，并露出铜柱顶面，任意相邻防护层之间...

本实用新型公开了高效功率MOS场效应管，包括主体、连接组件和管体组件，所述主体包括有：衬底，所述衬底的两侧均固定有散热鳍片；导通指示灯，其安装于所述衬底的外侧；光耦隔离，其安装于所述衬底的内部；连接组件，其固定于所述主体的上侧；管体组件...

本实用新型公开了低输出阻抗的大功率场效应管，涉及效应管技术领域，具体为主体和针脚，所述主体的内部设置有安装槽，且安装槽的外部安装有盖板，所述安装槽的内部设置有内置腔，且内置腔的内部安装有紧固组件，所述针脚位于主体底部的外部，所述针脚的外...

本实用新型公开了一种具有短路保护功能的功率场效应管，包括熔断器本体、定位卡块和短路保护组件，所述短路保护组件包括：安装板；场效应管本体，其设置于所述安装板的中部；熔断器本体，其设置于所述场效应管本体的下部；固定板块，其设置于所述熔断器本...

本实用新型公开了一种具有静电保护功能的功率场效应管，包括壳体和引脚，其设置于所述壳体一端外壁；连接片，其设置于所述壳体另一端外壁；开口，其开设于所述连接片上表面；连接轴，其设置于所述壳体左右两侧外壁；第一连接块，其连接于所述连接轴外壁；...

本发明涉及一种功率场效应管加工用材料处理设备，包括箱体组件和加热组件，所述箱体组件的外部包裹有加热组件，所述加热组件包括加热箱体、添氧管、喷火管和排气管，且加热箱体的下端连接有添氧管，所述加热箱体的内部安装有喷火管，所述喷火管在加热箱体...