本发明公开一种提高硅片厚度集中度的切割加工方法，包括步骤一、根据加工硅片厚度选择主辊分段与槽距，步骤二、斜线布网方式进行单轮布线，步骤三、对刀并采用双边布线方式进行切割，步骤四、两组硅棒同步切割处理，步骤五、切割后处理，步骤六、检验分析...

一种硅片传输皮带自动清洁装置，其中，硅片传输组件包括尺寸模组和可在水平方向上往复运动的第一上料台；第一上料台上设置有第一传输皮带；第一清洁组件包括第一擦拭臂和第一擦拭海绵；第一擦拭臂的第一端通过固定支架连接在尺寸模组上，第一擦拭臂的第二...

本申请公开一种单晶炉及一种单晶，涉及半导体技术领域，能够提高单晶生产的整棒率。具体方案包括：该单晶炉包括炉体和炉盖，炉体中设有：坩埚；保温筒，保温筒包括上保温筒，上保温筒位于坩埚的顶部，坩埚与保温筒连通；环状保温台，环状保温台设置于保温...

本发明公开一种降低硅棒切割跳线率的装置及切割方法，包括切片机本体和风管组件，切片机本体上对称设有主辊，两根主辊之间设有碎片槽，碎片槽下方设有小辊，主辊和小辊上布设有金刚线；本发明通过在主辊下方设置风管组件，并在风管组件两侧开设出风口，当...

本发明公开一种电镀金刚石线锯、金刚线磨粒及金刚线磨粒的制备方法，其中，金刚线磨粒的制备方法包括以下步骤：对金刚石微粉进行热反应处理，得到表面粗糙化并形成结构缺陷的金刚石微粉；将上述表面粗糙化并形成结构缺陷的金刚石微粉与氧化物陶瓷粉均匀混...

本发明公开一种大尺寸硅片切割砂浆液浓度自动调节系统，包括检测执行系统和控制系统，所述检测执行系统包括检测模块、浓度监测模块、排液模块和补液模块，所述控制系统包括显示器、参数设定模块、调控模块和搅拌模块；本发明通过对砂浆液浓度的自动检测和...

本发明公开一种超细电镀金刚线的制作方法，其方法包括原料前处理、母线预镀、母线上砂、镀层加厚和成品后处理；本发明通过对金刚砂微粒和金刚线母线进行选型，对电镀层厚度进行优化调整，对金刚砂微粒分布及露出高度进行调整，实现通过不改变母线线径的情...

本发明公开一种硅片线切割加工用清洗工艺，其工艺包括喷淋冲洗、超声漂洗、水分控干、乳酸浸泡和浸泡洗净；本发明改变传统硅片的清洗脱胶工艺，将硅片在纯净水漂洗后进行水分控干操作，从而减小了硅片表面的水分残留，进而减少了硅片带入酸洗槽内的水量并...

本发明提供一种节能且可不停炉维护真空泵的控制系统及其方法，该系统包括多台单晶炉、主抽空系统、第一集中抽空系统、第二集中抽空系统，多个第一真空管路并联汇合至与主抽空系统的真空泵管道连通，且每个第一真空管路上均设有一个对应每一台单晶炉的一级...

本发明公开一种硅片的载片治具及运载装置，涉及半导体领域，解决了硅片在生产工序转移中容易崩边、产生硅落的问题。具体方案包括：底板、两个挡板、连接板和支撑杆相围合形成相邻两侧敞开的框型结构；胶垫设置于底板的上表面；胶垫的上表面倾斜，且胶垫上...

本发明公开一种单晶硅片的生产方法及单晶硅片，涉及半导体硅片的生产制造领域，能够生产出120微米厚度以下的单晶硅片，从而能够降低硅片的生产成本。具体方案包括：获取单晶硅，并将单晶硅固定于晶托；控制晶托固定有单晶硅的一侧下压，利用切割装置对...

本发明提出一种基于ZigBee

本发明公开一种硅片单组份清洗剂及其制备方法，包括以下重量份原料：无机碱2

本发明公开一种12吋单晶拉制的放肩工艺方法，包括长度斜率降温法和直径降温法，根据引晶拉速的取值自由切换长斜率降温法和直径降温法，所述长度斜率降温法是设定好放肩长度参数，然后保证拉速与降温幅度恒定，并根据炉内实际情况手动调整拉速，直至完成...

本发明公开一种大尺寸硅片提料划伤亮线的解决方法，包括以下步骤：工装准备、粘合晶棒、提料准备和进行提料；本发明通过提料工艺的优化调整及空心塑料板的使用和提料过程切割液的添加，使切割液裹附在切割金钢线上，降低切割金钢线表面摩擦力，增加润滑性...

本发明公开一种晶托塑料板脱胶装置及脱胶方法，晶托上料模块包含上料车、横移式机械臂和晶托翻转装置，晶托脱胶模块包含感应加热机、感应加热线圈和工业冷却机，晶托打磨模块包含气动铲胶刀和气动打磨头，晶托清洗模块包含喷淋管、清洗仓和风干道；本发明...

本发明涉及12吋单晶硅棒生产技术领域，公开了一种12吋单晶硅棒的拉制收尾工艺，按如下步骤进行：S1、升温维持：当单晶硅棒的长度拉制到规定长度后，开始收尾，维持初始温度和单晶硅棒等径末期的晶升速度，将单晶炉内的温度升温，并降低晶升速度；S...

本发明涉及保温炉保温涂层技术领域，公开了一种用于直拉炉的保温涂层材料、保温热场及涂层的制备方法。所述涂层材料包括以下组分：石墨粉和石墨粉分散剂，所述石墨粉可分散于所述石墨粉分散剂中，形成粘稠状液体，便于涂覆到直拉炉使用的保温毡上，在本发...

本发明涉及切割液技术领域，公开了一种金刚线切割大尺寸硅片用切割液及其制备工艺。所述切割液以质量分数计，包括：