一种硅片单组份清洗剂及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种硅片单组份清洗剂及其制备方法，包括以下重量份原料：无机碱2

【技术实现步骤摘要】
一种硅片单组份清洗剂及其制备方法


[0001]本专利技术涉及硅片清洗剂
，尤其涉及一种硅片单组份清洗剂及其制备方法。

技术介绍

[0002]硅是极为常见的一种元素，然而它极少以单质的形式在自然界出现，而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式，广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中，地壳中含量达25.8％的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉，近年来，大尺寸和薄片化成为光伏硅片降本的两大主要技术方向，硅片薄片化能减少单位瓦数硅料用量，是降本、减少硅料利用的重要手段，在降本的过程中，对硅片的清洗要求越来越高，一旦出现规模脏污，将会导致电池端制绒生产线瘫痪；
[0003]目前，市场上使用的清洗剂一般为氢氧化钾的碱溶液，此清洗剂容易产生大量泡沫，清洗效果不佳，且会引起硅片浮起引起硅片漏出水面2
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20mm，导致硅片表面边缘硅粉污、崩边和破片等异常，针对此问题，硅片行业内一般采取增加清洗剂用量和增强超声频率两种办法，然而以上两种办法存在增加成本和清洗槽异常发热等问题，不便于推广使用，因此，本专利技术提出一种硅片单组份清洗剂及其制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片单组份清洗剂，包括以下重量份原料：无机碱2
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10份、螯合剂1
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10份、缓冲剂1
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5份、分散剂1
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5份、复合非离子表面活性剂10
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20份，悬浮剂2
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6、助溶剂2
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5份、磺酸2
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5份、消泡剂1
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3份、缓蚀剂1
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3份、去离子水5
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10份和纯水20
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30份。2.根据权利要求1所述的一种硅片单组份清洗剂，其特征在于：包括以下重量份原料：无机碱5份、螯合剂5份、缓冲剂3份、分散剂2份、复合非离子表面活性剂15份，悬浮剂4、助溶剂3份、磺酸3份、消泡剂2份、缓蚀剂2份、去离子水8份和纯水25份。3.根据权利要求1所述的一种硅片单组份清洗剂，其特征在于：所述复合非离子表面活性剂由壬基酚聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚和烷基酚聚氧乙烯醚中的两种或三种混合制备而成。4.根据权利要求1所述的一种硅片单组份清洗剂，其特征在于：所述无机碱选...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐志群，高大，孙彬，付明全，
申请(专利权)人：广东高景太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：