关东化学株式会社专利技术

关东化学株式会社共有90项专利

  • 本发明的课题在于,提供一种对于固化后的抗蚀剂也显示高的剥离性,即使是含有少量水的组成,水蒸发时剥离性降低也较少,且能够抑制Cu或Al及Si等与液体接触的基板构成金属的腐蚀的光刻胶剥离组合物。一种光刻胶剥离组合物,组合物包含(A)氢氧化季...
  • 本发明的课题在于,提供一种对于固化后的抗蚀剂也显示高的剥离性,能够抑制Cu及Al等与液体接触的基板构成金属的腐蚀,并抑制剥离过程中Cu等金属的过度的氧化的光刻胶剥离组合物。一种光刻胶剥离组合物,组合物包含(A)氢氧化季铵、(B)二乙二醇...
  • 本发明的课题在于提供一种于自3D非挥发性记忆单元等的制造为首的,以对于氧化硅的实用的蚀刻比率对氮化硅进行选择性蚀刻的步骤中,能够抑制氧化硅的再生长,并且不产生脱离醇的氮化硅蚀刻液组成物。本发明解决问题的技术手段为一种用于3D非挥发性记忆...
  • 使用含碘及碘化物的蚀刻液蚀刻金膜时,为了提升蚀刻液的湿润性、细微加工性及液体寿命等而添加N
  • 本发明的课题在于提供一种用于检测构成SARS
  • 本发明以提供抑制氮化钛用蚀刻液组合物中所含的过氧化氢的分解的分解抑制剂为课题。本发明涉及一种用于抑制氮化钛用蚀刻液组合物中所含的过氧化氢的分解的分解抑制剂,其中,包含选自唑类化合物、氨基羧酸类化合物和膦酸类化合物的至少1种化合物作为有效...
  • 本发明以提供在3D非易失性存储器单元的制造中,以相对于SiO2的实用性的蚀刻选择比对Si3N4进行选择性蚀刻后,可抑制SiO2再生长,且能够抑制SiO2膜的图案坍塌的氮化硅蚀刻液组合物为课题。一种用于制造3D非易失性存储器单元的氮化硅蚀...
  • 本发明的目的在于提供可使金在硅半导体的表面析出的速度降低的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物等。通过提供包含金离子源、氟化合物和乙腈的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物、包含金离子源以及六氟硅酸和/或四氟硼酸的用于对硅半...
  • 本发明的课题在于,提供培养基中不含血清或白蛋白且显示高增殖性的多能干细胞的贴壁培养用培养基以及使用所述培养基的通用性高的多能干细胞的贴壁培养的方法。一直以来,通过向培养基中添加已知抑制细胞对细胞培养基材表面的粘附的亲水性聚合物,提高多能...
  • 本发明的目的在于提供一种可充分除去残存于基板的Ru,并且能够抑制RuO
  • 本发明的目的在于,提供短时间内有效地去除在具有Co接触插头或Co布线的半导体基板中的来源于浆料的有机残留物或磨粒的清洗液。本发明涉及包含一种或两种以上的还原剂及水的用于清洗具有Co接触插头和/或Co布线的基板的清洗液组合物。并且,本发明...
  • 本发明的技术问题在于:提供能够用作空穴的注入或传输性能、电子阻挡性能、光稳定性、电稳定性、热稳定性优秀的空穴传输材料的化合物,提供包含上述化合物的空穴传输材料,并提供包括具有包含上述化合物的空穴传输层的有机EL器件或有机光电转换器件的有...
  • 本发明的目的在于,提供可以在缩小氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜的侧面蚀刻差的同时,简单且经济地进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明涉及用于同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底...
  • 本发明的目的在于,经济有效地处理包含硫酸及过氧化氢的废液中的过氧化氢。本发明公开包括:向废液添加硫酸钒溶液并进行搅拌的步骤;废液达到峰值温度后,静置规定时间的步骤;以及静置后,进行冷却的步骤的用于分解包含硫酸及过氧化氢的废液中的过氧化氢...
  • 本发明提供用于对作为半导体元件和平板显示器(FPD)等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行蚀刻的蚀刻液组合物,其中,可控制为具实用性的蚀刻速度,且Zn的溶解性高,使用中的组成变化少,因此...
  • 本发明将可用作空穴的注入或传输性能、电子阻挡性能、光稳定性、电气稳定性和热稳定性良好的空穴传输材料的化合物的提供以及提供含有上述化合物的空穴传输材料及包括具备含上述化合物的空穴传输层的有机EL元件或有机光电转换元件的有机电子器件、特别是...
  • 本发明的课题在于已知的光致变色化合物,有不具充分的发消色速度及耐久性且制造工序繁多的问题。本发明提供同时具有高速的发消色反应及高耐久性,且进一步也实现能够以低成本合成且能工业性利用的光致变色化合物。本发明的化合物的特征在于在(8H‑吡喃...
  • 本发明提供用于选择性蚀刻处理形成在氧化物半导体层的钛层或含钛层的钛或钛合金蚀刻液组合物以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。本发明的蚀刻液组合物如下:用于蚀刻氧化物半导体上的钛层或含钛层,包含含有铵离子的化合物、过氧化氢及碱性化合物,pH为...
  • 本发明提供如下的清洁液组合物:当清洁半导体基板或玻璃基板界面时,对形成基板界面的层的SiO
  • 本发明提供在半导体元件等电子器件的制造工序中的实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗中有用的清洗液组合物。本发明的清洗液组合物是一种用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物,其中,包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以...