用于同时蚀刻包含氧化锌及银的层压膜的蚀刻液组合物制造技术

本发明专利技术的目的在于，提供可以在缩小氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜的侧面蚀刻差的同时，简单且经济地进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明专利技术涉及用于同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板的上述两个膜的蚀刻液组合物，其包含(A)过氧化氢、(B)银络合剂、以及(C)水。

【技术实现步骤摘要】
用于同时蚀刻包含氧化锌及银的层压膜的蚀刻液组合物
本专利技术涉及用于有机发光二极管、太阳能电池等的同时蚀刻包含氧化锌及银的层压膜的蚀刻液组合物、以及使用上述蚀刻液组合物的底板的蚀刻方法。
技术介绍
近年来，在有机发光二极管(OLED：OrganicLightEmittingDiode)中经常使用包含氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜及银或银合金膜的层压膜(图1)。透明金属氧化物膜被用作电子传输层或电极的材料，其中，氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物不仅比现有材料铟-锡-氧化物(ITO)更具透明性，锌-硅-氧化物(ZSO)作为电子传输层具有高电子迁移率。并且，银或银合金被用作电极材料，具有反射率高、电阻低的特性。期待这种层压膜不仅用于有机发光二极管，还用于太阳能电池等中。有机发光二极管的层压膜的形成工序通常包括：在底板上形成银或银合金膜及透明金属氧化物膜的步骤；在其上涂覆光刻胶的步骤；将光刻胶作为掩模蚀刻选定区域并且加工成预定图案形状的步骤；以及去除残留光刻胶的步骤。作为在上述蚀刻工序中使用的包含氧化锌或含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜的层压膜的蚀刻液，提出了如下的组合物：包含磷酸、硝酸、乙酸、唑类化合物及去离子水的蚀刻液组合物(专利文献1)；包含磷酸、硝酸、乙酸、磷酸盐、硝酸盐和/或乙酸盐及去离子水的蚀刻液组合物(专利文献2)；包含选自氯化铁、氯化铜、硝酸铈铵、硫酸铈铵、硝酸铈、过氧化氢的氧化剂以及选自盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、乙酸的酸的蚀刻液组合物(专利文献3)；包含过氧化氢、硫酸及含氮化合物的蚀刻液组合物(专利文献4)等。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2017-092439号公报专利文献2：特开2016-167581号公报专利文献3：特开2009-235438号公报专利文献4：专利第5845501号
技术实现思路
然而，本专利技术人面临如下的问题：在对氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜使用包含硝酸、硫酸等的强酸的蚀刻液的情况下，由于氧化锌的耐化学性低，相对于银或银合金膜的蚀刻速度，氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜的蚀刻速度高几倍，因而两个膜的侧面蚀刻差变大。若侧面蚀刻的差大，则无法制造合适的设备。并且，在分别蚀刻各膜的情况下，虽然可以解决上述问题，但与同时蚀刻两个膜的情况相比，不仅增加处理工序，还需要用于各膜的蚀刻液或装置，因此有可能会增加处理成本。因此，本专利技术人将提供可以同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜中的两个膜、并且可以控制两个膜的蚀刻速度的蚀刻液组合物作为目的进行了研究。即，本专利技术的目的在于，提供可以在缩小氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜中的两个膜的侧面蚀刻差的同时，简单且经济地进行蚀刻的蚀刻液组合物。在解决上述问题的认真研究中，本专利技术人发现在用于同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板中的两个膜的蚀刻液组合物中，上述蚀刻液组合物包含过氧化氢、银络合剂、以及水，上述蚀刻液组合物可以同时蚀刻两个膜，控制两个膜的蚀刻速度，并且可以缩小两个膜的侧面蚀刻差，经过进一步研究，完成了本专利技术。本专利技术人对包含过氧化氢、银络合剂及水的蚀刻液组合物同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜并且控制两个膜的蚀刻速度的理由如下推定。即，银或银合金膜通过反复氧化和络合溶解，并通过使用过氧化氢及银络合剂，来可以在酸性至弱碱性的蚀刻液中同时进行银的氧化及络合。由此，推定可以避免无法控制氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜的蚀刻速度的强酸性水溶液，并且可以同时蚀刻两个膜以及控制两个膜的蚀刻速度。即，本专利技术涉及以下内容。[1]一种用于同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板的上述两个膜的蚀刻液组合物，上述蚀刻液组合物包含(A)过氧化氢、(B)银络合剂、以及(C)水。[2]根据[1]所述的蚀刻液组合物，氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物选自由氧化锌(ZnO)、锌-硅-氧化物(ZSO)、铝-锌-氧化物(AZO)、镓-锌-氧化物(GZO)、铟-镓-锌-氧化物(IGZO)、铟-锌-氧化物(IZO)、铟-锌-锡-氧化物(IZTO)、锌-镓-锡-氧化物(ZGTO)、锌-硅-锡-氧化物(ZSTO)组成的组中的一种或两种以上。[3]根据[1]或[2]中任一项所述的蚀刻液组合物，氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物为锌-硅-氧化物(ZSO)。[4]根据[1]至[3]中任一项所述的蚀刻液组合物，银络合剂选自由包含氮原子的羧酸、包含氮原子的羧酸盐、氨及铵盐组成的组中的一种或两种以上。[5]根据[1]至[4]中任一项所述的蚀刻液组合物，包含一种或两种以上酸性化合物。[6]根据[1]至[5]中任一项所述的蚀刻液组合物，不包含选自由硫酸、硫酸离子、硝酸、硝酸离子组成的组中的一种以上。[7]根据[1]至[6]中任一项所述的蚀刻液组合物，不包含选自由氯化物、溴化物、碘化物以及它们的离子组成的组中的一种以上。[8]根据[1]至[7]中任一项所述的蚀刻液组合物，pH为2.0～10.0。[9]根据[1]至[8]中任一项所述的蚀刻液组合物，pH为7.0～10.0。[10]根据[1]至[9]中任一项所述的蚀刻液组合物，过氧化氢的浓度为0.1重量百分比～10.0重量百分比。[11]根据[1]至[10]中任一项所述的蚀刻液组合物，银络合剂的浓度为0.001～0.1mol/L。[12]根据[1]至[11]中任一项所述的蚀刻液组合物，相对于由氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜组成的层的厚度方向的蚀刻速度大于10nm/min且小于600nm/min。[13]一种蚀刻方法，使用[1]至[12]中任一项所述的蚀刻液组合物同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板。[14]一种接线底板，使用[13]所述的蚀刻方法同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板而得。[15]一种接线底板的制造方法，包括使用[1]至[12]中任一项所述的蚀刻液组合物同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物与银或银合金相邻的层压膜底板的工序。本专利技术的蚀刻液组合物可以同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板中的两个膜，并且可以控制两个膜的蚀刻速度。即，可以在减小两个膜的侧面蚀刻差的同时，可以简单且经济地进行蚀刻。附图说明图1为示出有机发光二极管中的透明金属氧化物及银的层叠结构的图。图2为示出玻璃底板成膜锌―硅-氧化物(ZSO)及银(Ag)，进行图案化，并进行蚀刻的工序的图。图3为示出实施例14的结果的图。图4为示出比较例6的结果的图。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板的上述两个膜的蚀刻液组合物，其特征在于，包含(A)过氧化氢、(B)银络合剂、以及(C)水。/n

【技术特征摘要】
20181228 JP 2018-2484621.一种用于同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板的上述两个膜的蚀刻液组合物，其特征在于，包含(A)过氧化氢、(B)银络合剂、以及(C)水。


2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物选自由氧化锌、锌-硅-氧化物、铝-锌-氧化物、镓-锌-氧化物、铟-镓-锌-氧化物、铟-锌-氧化物、铟-锌-锡-氧化物、锌-镓-锡-氧化物及锌-硅-锡-氧化物组成的组中的一种或两种以上。


3.根据权利要求1或2中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物为锌-硅-氧化物。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，银络合剂选自由包含氮原子的羧酸、包含氮原子的羧酸盐、氨及铵盐组成的组中的一种或两种以上。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，包含一种或两种以上酸性化合物。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，不包含选自由硫酸、硫酸离子、硝酸、硝酸离子组成的组中的一种以上。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，不包含选自由氯化物、溴化物、碘化物以及它们的...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木辽，高桥秀树，清水寿和，中村伸宏，増茂邦雄，渡边晓，
申请(专利权)人：关东化学株式会社，AGC株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP