内侧墙的刻蚀方法、刻蚀气体及纳米线器件的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种内侧墙的刻蚀方法、刻蚀气体及纳米线器件的制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中保留凹槽内的侧墙材料以及硅和顶部硬掩膜等材料高选择比无法兼得的问题。用于刻蚀纳米线器件内侧墙的气体，包括CH

Etching method of inner wall, etching gas and preparation method of nanowire device

【技术实现步骤摘要】
内侧墙的刻蚀方法、刻蚀气体及纳米线器件的制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种内侧墙的刻蚀方法、刻蚀气体及纳米线器件的制备方法。
技术介绍
CMOS进入3～5nm技术代后，为了增强器件栅控和克服短沟道效应，堆叠环栅器件(GAA)将是主流发展方向，其中内侧墙是一个很重要的技术(如下流程图)，它可以控制有效栅长和减少栅极与源漏间漏电和降低寄生电容的作用。但是内侧墙的形成需要精确的各向异性，对除内侧墙以外的材料具有高选择比，且能严格控制刻蚀精度，既要保证纳米线端头无侧墙材料残留，又要保持内凹处有足够的侧墙材料保留，所以控制难度极大。采用通常的RIE等离子各向异性刻蚀，虽然可以保留凹槽内的侧墙材料，但很难获得对其他材料如硅和顶部硬掩膜材料的高选择比，如图1和图2所示。由图1可见，顶部SiO2/SiN硬掩模无法保留，侧壁损伤。由图2可见，底部有损伤。采用通常的RIE等离子偏各向同性刻蚀，虽然可以做到对其他材料的高选择比，但是很难控制保留凹口内的侧墙材料，如图3和图4所示。由图3和图4可见，顶部SiN被掏空，凹槽内的侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于刻蚀纳米线器件内侧墙的气体，其特征在于，刻蚀气体包括CH

【技术特征摘要】
1.一种用于刻蚀纳米线器件内侧墙的气体，其特征在于，刻蚀气体包括CH2F2、CH4、O2和Ar。


2.根据权利要求1所述的用于刻蚀纳米线器件内侧墙的气体，其特征在于，按体积百分比计，所述刻蚀气体中各组分CH2F2/CH4/O2/Ar的比例为1:1:1:2～1:1:1:5。


3.一种纳米线器件内侧墙的刻蚀方法，其特征在于，采用权利要求1或2中的刻蚀气体，其特征在于，刻蚀过程中各组分的流速为CH2F2：10～30sccm，CH4：10～30sccm，O2：10～30sccm，Ar40～100sccm。


4.根据权利要求3所述的纳米线器件内侧墙的刻蚀方法，其特征在于，刻蚀过程中所使用的是ICP刻蚀机，上射频功率为100～1000W，下射频功率为10～80W。


5.根据权利要求3或4所述的纳米线器件内侧墙的刻蚀方法，其特征在于，下电极功率为0～60W，基座温度为-20～90℃。


6.一种纳米线器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：在衬底上外延Si和SiGe叠层及硬掩模；
步骤S2：...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊杰，周娜，李永亮，王桂磊，张青竹，杨涛，殷华湘，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11