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甘肃省科学院传感技术研究所专利技术
甘肃省科学院传感技术研究所共有105项专利
基于功能核酸的检测水体中汞离子的荧光探针及检测方法技术
本发明涉及生物传感技术领域,提供一种基于功能核酸的检测水体中汞离子的荧光探针及检测方法,以富T的功能核酸(ThymidineRichOligonucleotide,TRO)作为Hg
一种FRET免疫探针及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种FRET免疫探针及其制备方法和应用,属于分析检测技术领域,解决如何提高检测灵敏度和选择性的问题。本发明探针由蛋白G包覆的羧基磁珠以及荧光素和淬灭剂标记的抗原
一种晶圆匀胶设备制造技术
本实用新型公开了一种晶圆匀胶设备,涉及晶圆加工处理设备技术领域,该晶圆匀胶设备,包括底盘,所述底盘的表面固定连接有支撑杆,所述支撑杆的表面固定连接有胶液罐,所述支撑杆的表面固定连接有与胶液罐相连通的滴胶管,所述底盘的表面转动连接有吸盘,...
交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜制造技术
本发明公开了交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜,由下而上依次包括:衬底、缓冲层、种子层、人工合成反铁磁层和覆盖层;其中,人工合成反铁磁层由两个具有垂直磁各向异性的复合磁性层中间夹一层非磁性的隔离层构成。本发明通过...
一种MEMS电子器件有机介电层的低温制备方法技术
本发明公开了一种MEMS电子器件有机介电层的低温制备方法,涉及微纳加工与元器件集成技术领域,具体为选取完成器件核心微结构加工前道工序的晶圆作为衬底基片,在衬底基片上涂布一层PI薄膜;再将衬底基片置于恒温加热平板上保温一段时间;之后在光刻...
基于Bert-wwm-Ext模型的摘要自动生成方法及存储介质技术
本申请公开了一种基于Bert
专利摘要自动生成方法及存储介质技术
本申请提供一种专利摘要自动生成方法及存储介质,专利摘要自动生成方法包括:响应于获取专利说明书和参考摘要,对所述专利说明书和参考摘要使用抽取式模型生成抽取式摘要;以抽取式摘要作为输入文本,利用预训练语言模型,以获取文本的特征向量表示;将所...
一种低维层状二硫化钼薄膜材料及其制备方法技术
本发明提供了一种低维层状二硫化钼薄膜材料及其制备方法,其制备方法包括以下步骤:S1:在预处理后的衬底上通过磁控溅射沉积金属钼,得沉积有金属钼薄膜的衬底;S2:将步骤S1所得沉积有金属钼薄膜的衬底在真空管式炉退火系统中硫化退火,得低维层状...
融合遗忘因素和学习能力的知识追踪方法及系统技术方案
本发明提供一种融合遗忘因素和学习能力的知识追踪方法及系统,其中,所述方法包括:获取知识追踪数据集,所述知识追踪数据集包括:回答习题标签、习题回答结果、重复答题时间间隔、序列时间间隔和历史答题次数;根据知识追踪数据集获取相关权重系数和当前...
融合遗忘因素和习题难度的深度知识追踪方法及智能终端技术
本发明提供了一种融合遗忘因素和习题难度的深度知识追踪方法及智能终端,通过习题向量、习题嵌入矩阵和知识点嵌入矩阵,得到习题与对应知识点之间的相关权重,然后获取影响知识追踪的遗忘因素,再利用动态键值存储网络模型对上一次学习结束后的知识掌握状...
一种宽电源电压范围输入电平检测电路制造技术
本发明公开了一种宽电源电压范围输入电平检测电路,包括NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、PMOS管P0、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、电阻R1和电阻R2。本发明的一种宽电源电压范围输入电平检测电路通过N1管...
一种CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路及方法技术
本发明公开了一种CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路及方法,电路包括电源芯片保护子电路和衬底电位生成子电路;本发明的CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路不要求工艺具有特殊器件,在标准CMOS工艺下即可实现,且电路结构简单,衬底电位生...
一种接口芯片掉电保护电路及方法技术
本发明公开了一种接口芯片掉电保护电路及方法,电路包括电源芯片保护子电路、上拉功率管保护子电路和衬底电位生成子电路;其中,电源芯片保护子电路的第一输入端作为接口芯片掉电保护电路的输入端,电源芯片保护子电路的第一输出端和第二输出端分别与上拉...
一种γ制造技术
本发明公开了一种γ
一种用于检测基质金属蛋白酶-2的磁性荧光复合探针及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种用于检测基质金属蛋白酶
一种快速提取革兰氏阴性菌基因组DNA的试剂盒及提取方法技术
一种快速提取革兰氏阴性菌基因组DNA的试剂盒,该试剂盒包括工作液A、工作液B、磁珠结合液、工作液C和工作液D。利用所述试剂盒的提取方法简单,主要包括以下四个步骤:细菌裂解、磁珠吸附、洗涤、洗脱。本发明采用单分散、超顺磁性氧化硅纳米磁珠,...
由磁化方向不同的巨磁阻结构构建的巨磁阻传感器的退火方法技术
本发明公开了一种由磁化方向不同的巨磁阻结构构建的巨磁阻传感器的退火方法,这种集成式的退火结构能够独立地对GMR结构退火,使温度达到其阻挡温度甚至更高,在外加磁场下,GMR结构中的被钉扎层的磁化方向Mp与外加退火磁场调整到一致并固定下来,...
具有集成式退火结构的巨磁阻传感器制造技术
本发明公开了一种具有集成式退火结构的巨磁阻传感器。该传感器包括:第一组GMR结构,第一组GMR结构又包括:基片、沉积在基片上被绝缘层覆盖的退火结构、多层膜结构,该多层膜包含:有固定磁化方向的被钉扎层,磁化方向随外界磁场发生改变的自由层,...
一种可用于巨磁阻传感器退火的方法与结构技术
本发明公开了一种可用于巨磁阻传感器退火的方法与结构,包括在基底上制备了由两层铁磁层和中间隔离层构成的MR结构。MR结构的其中一层铁磁层为被钉扎层,其磁化方向将在后续操作中被固定。在MR结构上沉积一层绝缘层之后,再在其上面沉积一层金属层。...
向量与矩阵的FPGA并行快速乘法器模块制造技术
提供一种向量与矩阵的FPGA并行快速乘法器模块,消除了现有方法计算时需要重复寻址的问题,有效减少了访存次数和访存时间,提高了计算速度,实现了向量与矩阵的并行乘法运算,并提供该向量与矩阵乘法器的实现方法。本实用新型的技术方案:结构如下:该...
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