本发明公开了一种磁珠法除内毒素质粒提取试剂盒，涉及质粒提取及内毒素去除技术领域，包括：溶液I、溶液II、溶液III、磁珠液I、磁珠液II、清洗液和洗脱液；溶液I包括：蔗糖、EDTA、Tris‑HCl、NaCl；溶液II包括：KO H、S...

本技术公开了一种氧化硅磁珠中试制备系统的磁分离装置，由工作台、滑轨部和磁分离部组成，滑轨部包括滑轨支架、滑轨，滑轨支架横截面呈直角，一面固定设置于工作台上，另一面与滑轨连接，更便于滑轨的固定，工作台上平行、相对的设置有2个滑轨支架，能够...

本发明公开了一种改善柔性人工反铁磁薄膜应力的结构及其制备方法，涉及自旋电子与柔性集成技术领域。柔性人工反铁磁的结构由下向上分别为：聚酰亚胺柔性基底、楔形缓冲层、种子层、下磁性层、非磁性层、上磁性层和保护层。聚酰亚胺柔性基底的厚度为10～...

本发明公开了一种人工反铁磁颗粒的制备工艺，属于自旋电子学和生物技术领域，目的在于制备零剩磁，低场磁化率，饱和时具有高磁矩，能够快速翻转到磁饱和，并能够改变尺寸大小和总磁矩的磁颗粒，该磁性颗粒具有较高的操控性，能够均匀稳定的分散在溶液里。...

本技术公开了一种用于原子层沉积设备的前驱体输运管路结构，包括两路常温输运管路和两路热输运管路，两路常温输运管路分别为第一管路和第二管路，两路热输运管路分别为第三管路和第四管路；四路输运管路并联进入反应腔，其特征在于：第一管路上安装有质量...

本发明公开了一种MEMS工艺的NOx基气体传感器测试方法，涉及传感器技术领域。包括以下测试方法：S1、模拟实验：根据气体传感器的要求和应用场景，利用计算机辅助设计软件对传感器进行模拟实验，制定模拟实验场景，模拟内容主要有：针对MEMS气...

本发明公开了一种In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;/2D‑MoS<subgt;2</subgt;异质结薄膜材料及其制备方法和应用，制备方法包括以下步骤：采用磁控溅射...

本技术涉及MEMS传感器加工技术领域，具体为一种MEMS传感器用光刻材料烘烤装置，包括烘烤箱，隔板，其横向设置在所述烘烤箱内部并将烘烤箱内部分为上下两个腔室；抽拉机构，其设置在所述下腔室内，并可从所述烘烤箱的侧面拉出；加热板，其设置在所...

本发明公开了一种磁珠法提取真菌mRNA的试剂盒，属于真菌mRNA提取技术领域，包括：破壁酶液、溶液A、溶液B、溶液C、溶液D、溶液E、溶液F；破壁酶液包括蜗牛酶70％和溶菌酶30％；溶液A由浓度为182mg/ml的山梨醇缓冲液和0.1M...

本发明公开了一种智能传感器技术应用实训设备，涉及实训设备技术领域。包括装置本体和传送带，所述传送带顶部设有清洗装置、烘干装置、检测装置、固定装置、升降装置和夹紧装置，所述传送带焊接处理箱，所述处理箱顶部焊接集水箱，所述集水箱内部设有抽水...

本实用新型公开了一种匀胶晶圆对准装置，所述对准装置包括矩形板状的第一载台，第一载台的前端设有半圆形的豁口，半圆形的豁口贯穿第一载台顶面和底面，半圆形豁口形成第一导向槽，第一导向槽的内壁用于咬颌连接匀胶机大转动吸盘外部；第一载台上表面的后...

本发明公开了石油钻机井架承载力安全评估检测仪及其检测方法，涉及石油钻机井架承载力安全评估检测技术领域，包括外箱体

本发明公开了一种提高人工反铁磁耦合场的大小和热稳定性的结构及其加工方法，属于信息技术和自旋电子学领域，目的在于提高人工反铁磁的反铁磁耦合场的大小和热稳定性

本实用新型公开了一种非铁磁性导电材料电涡流无损检测装置，涉及航空发动机无损检测技术领域，包括连杆，所述连杆的上方设置有夹持装置，所述夹持装置的一侧设置有显示装置，所述夹持装置的上方设置有基础板，所述连杆的一侧设置有轴承座，所述轴承座的上...

本实用新型涉及一种虛拟现实VR交互装置，包括底座，所述底座的上表面设有用于提高交互姿势支撑使用的支撑机构。该虛拟现实VR交互装置，通过设置了支撑机构，经跑步机、支撑架、液压缸、支撑板和防护环以及缓冲垫等之间的相互配合，能够利用防护环对使...

本发明公开了一种柔性磁结构及其制备方法，涉及自旋电子与柔性集成技术领域，磁结构柔性基体选用耐高温微米级聚酰亚胺（PI）薄膜，柔性磁结构的势垒层选用2D

本发明公开了一种快速可视化检测食品添加剂亚硫酸盐的纳米传感纸及其制备方法。该纳米传感纸的制作方法包括以下步骤：配置铁酸钴纳米颗粒(CoFe2O4NPs)的胶体溶液；利用纳米材料喷墨打印技术将CoFe2O4NPs沉积到纸基底表面，用硅烷化...

本发明公开了一种生物磁珠的快速检测系统及检测方法，属于生物磁珠检测技术领域。该系统包括：功率放大电路，与外部的信号源连接，将外部信号进行功率放大处理并输出；生物探头，与功率放大电路连接，将生物磁珠溶液放置在所述物探头中间，采集生物磁珠信...

本发明公开了一种半导体光刻工艺，涉及半导体制造技术领域，该半导体光刻工艺包括以下步骤：步骤一：衬底的准备；步骤二：涂抹光刻胶；步骤三：软烘干处理；步骤四：曝光及显影；步骤五：硬烘干处理。本发明通过机械清洁的方式能够进行微粒污染的清洁，并...

本发明提供了一种利用中空介电体降低电场畸变的方法，包括：将传感器上极板和下极板间的实心介电体替换为中空介电体，以降低介电体表面的额外电场梯度和电场畸变。本发明利用中空介电体结构代替实心介电体的方法，来降低介电体表面的额外电场梯度和电场畸...