本发明公开了一种图形化衬底及发光二极管，该图形化衬底包括第一材料层和第二材料层。其中，第二材料层包含若干个图形结构，若干个图形结构间隔设置于第一材料层的第一表面。至少部分图形结构内含有空心结构。由于本发明中的图形化衬底包含有空心结构，一...

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种复合衬底，其包括衬底和多个光反结构，衬底具有上表面和下表面，衬底的上表面上具有多个凸起结构，多个光反结构设置在衬底的上表面上且分布在多个凸起结构之间，光反结构的折射率低于凸起结构的折射率和衬底的...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种金属基板处理方法，至少包括预处理步骤；提供一金属板材，并形成预设形状的金属基板；化学腐蚀步骤；对所述金属基板进行化学腐蚀以使得金属基板表面形成平坦的氧化表面且所述金属基板的边缘为圆弧状；阳极氧化步骤；使...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种钼基板处理方法，至少包括预研磨步骤；提供一钼基板，对钼基板的相对两表面进行研磨；氧化层形成步骤；于钼基板的相对两表面分别形成氧化层；抛光移除步骤；采用磨料自氧化层背离钼基板一侧表面向钼基板方向进行抛光以...

本发明公开了一种图形化衬底及其制备方法、发光二极管，其中图形化衬底包括衬底、若干个图形结构以及若干个孔隙。其中，若干个图形结构间隔设置于衬底的表面，图形结构与衬底贴合的一端为底端，图形结构远离衬底的一端为顶端。若干个孔隙间隔设置于图形结...

本技术涉及衬底的切片加工辅助设施技术领域，特别涉及一种衬底自动插片机，其包括支撑架、升降托盘、喷气结构、取片结构、传输结构和存放结构，升降托盘设置在支撑架上，用于放置衬底，喷气结构设置在支撑架上，用于使位于升降托盘上的衬底悬浮，取片结构...

一种立式HVPE生长装置，用于生长单晶氮化镓，包括腔体管、气源区、单晶生长托盘和加热系统；气源区由多个气体导管嵌套组成，加热系统包含三个加热装置，对应三个温区，按立式HVPE装置由上至下的顺序，依次为第一加热装置，对应第一温区800℃至...

本发明公开了一种衬底、衬底的形成方法及发光二极管，衬底包括改性层及本体层，改性层自衬底的第一表面沿垂直于衬底的方向向第二表面延伸。本体层自改性层远离第一表面的一侧向第二表面的方向延伸，本体层远离改性层的一侧形成为衬底的第二表面。改性层包...

本发明涉及衬底加工制造技术领域，特别涉及一种陶瓷研磨盘及其制备方法和应用。其中，一种陶瓷研磨盘，以质量百分比计，原料包括85％～95％的α‑氧化铝、2％～6％的晶界粘结剂、2.5％～8％的晶界强化剂及0.5％～1.5％的纳米陶瓷粉体。通...

本申请公开了衬底的研磨方法、衬底及发光二极管，涉及半导体制造技术领域。衬底的研磨方法包括提供待研磨衬底，待研磨衬底包括衬底中间层和位于衬底中间层两侧的损伤层；采用第一压强对待研磨衬底的两侧的损伤层进行第一研磨，以对待研磨衬底的翘曲进行修...

本发明涉及半导体制程技术领域，提供一种图形化衬底结构，包括衬底层和若干个均匀分布于衬底层上表面的凸起结构；衬底层包括由下至上依次层叠的第一衬底层、反射层和第二衬底层，反射层均匀沉积于第一衬底层上表面，第二衬底层的厚度小于第一衬底层的厚度...

本申请提供了一种晶片磨料、抛光液及其制备方法和应用，该晶片磨料具有壳核结构，所述壳核结构至少包括内核层和包覆于内核层表面的外壳层，其中，内核层的材料为碳化硅微粉；外壳层的材料为具有亲水性基团的超支化聚碳硅烷。通过对磨料进行有机改性处理将...

本申请公开了图形化衬底、外延片及制备方法、倒装发光二极管，涉及半导体制造技术领域。图形化衬底包括衬底基板和异质复合结构，衬底基板设置有图形化凹槽，异质复合结构设置于图形化凹槽内并延伸至凸出于图形化凹槽外；其中，异质复合结构凸出于图形化凹...

本发明涉及半导体技术领域，涉及一种复合图形化衬底结构及制备方法，其包括衬底和外延层，外延层设置在衬底上表面，外延层内设有N层图形结构(N≥2且为整数)，N层图形结构自下往上间隔设置，N层图形结构的俯视并集正投影完全覆盖衬底上表面，第N层...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种金属基板抛光方法，至少包括预研磨步骤，采用机械研磨工艺对所述金属基板进行表面平整化加工；电解抛光步骤，使用电解抛光设备对金属基板进行电解抛光，所述电解抛光设备包括电解槽、置于电解槽内的阴电极以及用于夹持...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种纳米压印机构、设备及方法，其中纳米压印机构包括承片台，用于承载衬底；固定装置，设置于所述承片台的上方；所述固定装置包括工作腔，所述工作腔内设置有模板安装件以及位于模板安装件下方的软膜固定件；当所述工作腔...

本申请提供了一种键合晶圆及芯片制作方法，该键合晶圆包括相对设置的母晶圆和子晶圆，母晶圆和子晶圆之间设置有中间层；该中间层具有：覆盖中间层的几何中心的中间部，中间部为子晶圆和母晶圆提供了更良好的接触；围绕中间部设置的环形沟槽，该环形沟槽将...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种晶圆抛光方法，采用抛光设备对所述晶圆进行抛光；所述抛光设备包括抛光槽、置于抛光槽内的承载装置以及位于所述承载装置上方的至少一局部抛光件；还包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆固定于承载装置上；所述晶圆具有...

本申请涉及半导体技术领域，提供一种图形化衬底结构，由下至上依次包括衬底层及若干个均匀分布于衬底层的光学薄膜结构；其中，光学薄膜结构的侧面为若干条相同的第一凸弧线组成的第一弧形面，若干条第一凸弧线从光学薄膜结构下表面边缘延伸相交于光学薄膜...

本发明提供一种LED器件及发光装置，LED器件包括基板、光窗透镜和芯片，其中，光窗透镜包括基底层和若干图形结构，若干图形结构周期性排布在基底层上方。一方面，图形结构为锥形结构，降低了光的全反射，提高了光的提取率；另一方面，图形结构包括第...