本发明属于时钟生成电路技术领域，具体涉及一种用于开关功率放大器的多阶调相调幅时钟生成电路。该电路包括：多路同频时钟生成电路、初相时钟处理电路、末相时钟处理电路和输出时钟选择电路等。多路同频时钟生成电路负责为调相调幅控制电路提供时钟源；初...

本发明属于数字信号处理数据编码技术领域，具体为一种基于格雷映射的优化网格编码调制系统编码设计方法。该方法通过联合考虑编码调制中的欧式距离及汉明距离参数，采用格雷星座图映射并在此基础上分配具有最大欧式距离的平行转移路径输出和确定状态转移次...

本发明属于光源照明和电子技术领域，具体为一种智能型通用ＬＥＤ路灯照明电源系统。该系统包括输入浪涌保护及电磁干扰抑制电路，ＢＯＯＳＴ－ＢＵＣＫ型隔离反激式功率因素校正开关电源电路，ＬＥＤ芯片温度检测电路，环境亮度检测电路，万年历芯片及其外...

本发明属药物化学和医药技术领域，涉及新的具有抗肿瘤活性的铂配合物、制备方法及其药用用途。本发明公开了如下式（１）所示的铂配合物，经药理研究，结果显示，所述的的铂配合物具有明显抗肿瘤作用以及良好的剂量依赖关系。在对人肺腺癌细胞（ＳＰＣＡ－...

本发明属于多模射频发送机技术领域，具体为一种ＷＣＤＭＡ／ＧＳＭ多模发送机的带宽可调增益可变的滤波器电路。该电路采用由两个Ｔｏｗ－Ｔｈｏｍａｓ双二阶电路串联构成的４阶有源电阻电容结构，包括四个同样结构的运放、带宽调整单元、滤波器品质因数调...

本发明泵属于真空泵技术领域，具体为一种能防止油、水及所含颗粒物被吸入泵体的真空泵。该真空泵采用双气镇阀结构，即在低真空级上设置双气镇阀；所述气镇阀由调节件与逆止阀两部分组成，调节件用于控制掺入的气体量，逆止阀用于防止泵腔内的混合气体压力...

本发明属于信息技术领域，具体为一种利用移动Ａｇｅｎｔ实现鲜花订单智能处理的系统。它包括订单Ａｇｅｎｔ、功能Ａｇｅｎｔ和供应商Ａｇｅｎｔ３个系统。订单Ａｇｅｎｔ是移动Ａｇｅｎｔ，用于获取和传递鲜花订单信息，它迁移到供应商主机后以异步自主方...

本发明属于制药领域，涉及（＋）－美普他酚前体药物或其盐及其制备方法。尤其涉及（＋）－美普他酚的２－（取代）氨基－６－烷基－苯甲酸酯或其盐及其制备方法。本发明对（＋）－美普他酚原药进行结构修饰，使原有结构的酚羟基与２－（取代）氨基－６－烷...

本发明属于聚合物复合材料技术领域，具体涉及一种三层自润滑耐磨滑动轴承材料及其制备方法。该复合材料由三层组成：底层为钢板或其他金属板；中间层为多孔烧结锡青铜粉末层，孔内浸渍含氟聚合物；表面层为织物／含氟聚合物复合材料。织物／含氟聚合物复合...

本发明属于材料制备技术领域，具体为一种通过直接自组装制备有序介孔碳的廉价方法。本发明先将表面活性剂模板剂直接溶解到高分子中，形成混合物，再将混合物倒入模具中，直接置于一定温度下烘烤固化；对固化后的样品进行低温热聚处理、高温碳化，即可得到...

本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种纳米线ＭＯＳ晶体管及其制备方法。该纳米线ＭＯＳ晶体管使用金属镍作为ＩＩＩ－Ｖ族半导体纳米线的源漏扩散材料，利用高温下镍的扩散机理，使金属镍扩散到ＩＩＩ－Ｖ族材料中，形成低电阻的Ｎｉ－ＩＩＩ－Ｖ形式...

本发明属于非挥发性存储器技术领域，具体公开了一种可用在柔性电路中的阻变存储器及其制备方法。本发明通过接触式印刷来实现两层相互垂直排布的高密度金属纳米线，并以金属纳米线作为阻变存储器的电极，从而可以实现超高密度的阻变存储器阵列，同时，本发...

本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种石墨烯ＭＯＳ晶体管及其制备方法。本发明首先通过氢气等离子体处理本征石墨烯得到氢化石墨烯，然后利用原子层淀积金属氧化物的方法破坏石墨烯的大π键，从而有效扩展石墨烯的禁带宽度，降低了石墨烯ＭＯＳ晶...

本发明属分子生物学、基因工程技术领域，涉及一种在麻疯树中表达的新的晚期胚胎丰富蛋白（Ｌａｔｅ?Ｅｍｂｒｙｏｇｅｎｅｓｉｓ?Ａｂｕｎｄａｎｔ?ｐｒｏｔｅｉｎ，简称为“ＬＥＡ蛋白”）、编码序列及其在改良植物对干旱的耐受上的应用。涉及包含所说...

本发明属于化工材料技术领域，具体为一种自清洁环氧树脂防雾涂料。该涂料透明度高，由环氧树脂、固化剂、亲水性高分子、表面活性剂，功能性纳米粒子等按适当比例组成。该涂料可用于玻璃、塑料等基质的表面，具有优秀的防雾及自清洁效果，且耐候性良好，使...

本发明属于生物培养技术领域，具体为一种通过壳聚糖处理提高青蒿中青蒿素含量的方法。本发明首先将青蒿种子种植于发苗培养基中发苗，然后将青蒿苗移栽于泥炭珍珠岩培养基质中，在采收前１－３天用壳聚糖溶液喷洒青蒿苗植株，即能使青蒿中青蒿素的含量提高...

本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种动态随机存储器的阵列结构及其制备方法。该动态随机存储器的阵列结构利用竖直ＭＯＳ场效应晶体管作为动态随机存储器的阵列器件，并用金属硅化物埋层作为连接连续多个竖直ＭＯＳ场效应晶体管阵列器件的埋层位线。...

本发明属于非挥发性半导体存储器技术领域，具体公开了一种半导体存储器结构。该半导体存储器结构包括至少一个半导体衬底，一个用于存储信息的存储单元和一个隧穿晶体管结构，所述隧穿晶体管用于对所述半导体存储器进行比如擦写操作和读操作的控制。本发明...

本发明属于再生能源技术领域，具体公开了一种微生物燃料电池。该微生物燃料电池包括一个腔体以及包含在所述腔体内依次排列的阴极、质子交换膜、阳极和多孔膜。该微生物燃料电池利用微生物对血糖的催化进行分解，在分解过程中产生二氧化碳和水，并且通过微...

本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法。本发明利用原子层淀积无机高介电常数栅介质的方法来制备有机薄膜晶体管中的栅介质部分，通过该方法可以制备１０纳米以下的无机栅介质层，所制备的有机薄膜晶体管可以提高晶体管的工...