本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于纳米压印技术的图形化生长氧化锌纳米棒阵列的方法。本发明首先利用纳米压印技术在透明衬底上制作出图形化的金属和氧化锌籽晶层构成的双层结构，然后旋涂紫外负光刻胶并利用背光刻技术做出纳米孔洞，然后运用水热...

本发明属于数字通信传输同步技术领域，具体为ＤＶＢ－Ｓ２系统接收机全模式物理层帧同步方法。本发明充分利用物理层帧结构的特点，通过在有导频模式下抽取导频信息后联合帧头９０个符号抽取得到的信息，在无导频模式下利用帧头９０个符号抽取得到的信息，...

本发明属于无线数字通信技术领域，具体为一种能够同时支持中国移动多媒体标准ＣＭＭＢ及欧洲移动多媒体标准ＤＶＢ－Ｈ的频域同步电路结构。主要包括整数倍载波频偏估计模块，解扰码模块，残余载波频偏及采样频偏估计模块，控制模块等部分。整数倍载波频偏...

本发明属于基因工程技术领域，具体涉及一种月季ｅＩＦ５Ａ基因的编码序列及其应用。本发明包括提供月季ｅＩＦ５Ａ基因的编码序列及其氨基酸序列；提供包含编码序列的重组植物表达载体和转基因纯系植株；提供获得此基因的核苷酸引物序列，以及对此基因的内...

本发明一种基于查找表结构商用现场可编程器件用于辐照环境下三模冗余抗辐照方法及其通用算法，为缓解商用ＦＰＧＡ芯片在辐照环境下因太空中辐照能量粒子造成编程点单粒子翻转问题。该方法根据用户电路逻辑类型进行分类，第一类为输入逻辑、第二类为非反馈...

本发明涉及光网络通信技术领域，具体涉及一种基于Ｎ×Ｎ光开关矩阵的可调谐多环路多进制的光缓存器，其结构由一个Ｎ×Ｎ的光开关矩阵，光开关控制模块和Ｎ－１个光延时器构成。其中，Ｎ－１个光延时器的延时量设计为彼此成Ｋ倍，即满足Ｋ进制关系，假设光...

本发明为一种基于Ｗｉｎｄｏｗｓ系统的自动识别起止的会议报告计时器，通过软件判断配合会议报告使用的各类演示的放映状态得到会议报告的起止，从而自动实施计时，同时通过外置提醒器实现提醒功能。本发明的优点是自动计时完全消除了现有计时器计时死板、...

本发明属于光纤传感技术领域，具体为一种可用时间延迟估计的白光干涉定位监测装置与方法。本发明采用白光干涉技术构建了光纤传感结构。该结构可得到来自同一扰动的两种干涉信号，可通过时延估计方法从光信息中提取出扰动位置信息，实现定位功能。由于系统...

本发明属于可扩充标记语言（ＸＭＬ）关键字检索技术领域，具体为一种安全的ＸＭＬ关键字检索方法。本发明结合ＸＭＬ关键字搜索和ＸＭＬ安全控制，首次研究基于安全访问控制的ＸＭＬ关键字检索技术，包括：在ＸＭＬ关键字的最小最低公共祖先（ＳＬＣＡ）和...

本发明提出一种实现铁电存储器多位数据存储的操作方法，属于微电子技术领域，它在铁电存储器存储单元中，通过外加不同的写脉冲电压来使得铁电薄膜相应产生不同大小的剩余极化强度，并相应定义为不同的存储态，再通过一个固定外加正读电压，读取相应的各存...

本发明属于生物技术领域，提供了一种重组人淀粉样多肽Ａβ４２的简易可溶性表达纯化方法，包括重组载体构建、转化与筛选、表达与纯化。具体步骤如下：（１）将６Ｈｉｓ－ＳＵＭＯ－Ａβ４２融合基因的核苷酸编码序列插入表达载体的多克隆位点，获得重组表...

本发明提供了一种基于特征点与单应性匹配的不变性识别方法，本方法采用假设验证法，在已知模型各个平面的直线特征及位置关系的情况下，通过对于场景图像中不变性特征的分析，假设其中某些直线段的匹配，继而得到某一平面的匹配关系，并求出其单应矩阵。再...

本发明属生物分子学领域，涉及３′－ｓｕｌｆｏ－Ｌｅａ抗原在制备检测肿瘤试剂中的用途。本发明通过检测血清３′－ｓｕｌｆｏ－Ｌｅａ抗原水平；应用ＲＮＡｉ技术下调合成其半乳糖磺酰基转移酶，通过琼脂滴迁移试验观察人胃腺癌细胞迁移能力的变化、通过...

本发明属集成电路技术领域，涉及一种应用于集成电路设计自动化中的多核并行最小代价流求解方法及装置。该方法基于非确定性事务模型来实现最小代价流的求解，易于算法设计和并行实现，并从理论上保证算法的正确性。该方法利用线程池及线程绑定技术降低线程...

本发明涉及一种集成电路可靠性分析方法和装置，该分析方法建立了同时考虑ＮＢＴＩ效应和工艺参数扰动的单元电路延时老化随机分析基准模型，提出了缩放函数以及等效老化时间概念来快速从基准模型求解单元电路在实际工作环境下的延时统计分布，提出了一种电...

本发明属有机化学领域，涉及合成四（４－二甲胺基苯基）卟啉及其衍生物的方法。本方法用二甲苯为溶剂，在取代乙酸和硝基苯的存在下，加入４－二甲胺基苯甲醛，用载气引入吡咯，用甲醇索氏提取，干燥得到所需产物四（４－二甲胺基苯基）卟啉；在反应釜中将...

本发明属薄膜晶体管技术领域，涉及薄膜晶体管的制备方法，包括步骤：采用铟锌合金或铟锌氧化物为靶材，在室温条件下用磁控溅射技术在基板上生长具有透明非晶结构的铟锌氧化物半导体薄膜，形成薄膜晶体管的沟道层；采用热蒸发法在沟道层上制备源电极和漏电...

本发明属集成电路半导体制造技术领域，提出一种化学机械抛光工艺的哑元填充的启发式方法，将最小化哑元金属数目的哑元填充问题表示成一个标准的线性规划问题，然后提出动态增加网格内哑元金属密度的启发式算法求解最小哑元填充问题。该方法在每次优化过程...

本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种低功耗高精度连续时间的音频ｓｉｇｍａ－ｄｅｌｔａ调制器。该ｓｉｇｍａ－ｄｅｌｔａ调制器能正常工作在１Ｖ电源电压下，将连续的模拟信号输入转换成离散的数字信号输出，在２０ｋＨｚ信号带宽的范围内能实现１...

本发明属集成电路半导体制造技术领域，涉及一种化学机械抛光工艺的哑元填充方法。本发明将求解最小化哑元金属数目的哑元填充问题转化成一类特殊的覆盖线性规划ＣＬＰ问题，然后根据ＣＬＰ问题的特点，应用组合优化领域中一种完全多项式时间近似算法ＦＰＴ...