本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及置于上电极和下电极之间的存储介质层，所述存储介质层包括：第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层，其中，第一金...

本实用新型属分子生物学研究仪器设备领域，涉及一种超声波细胞粉碎机遥控自动升降夹持装置；所述的夹持装置主要包括底座、托盘驱动集成、试管夹驱动集成、试管夹驱动集成调节螺纽、底座安装螺钉和托盘驱动集成紧固螺钉；所述的底座由底座安装螺钉固定在隔...

本发明属于电化学技术领域，具体为一种氧化钴—类金刚石双层结构锂空电池正极材料及其制备方法。该正极材料为氧化钴—类金刚石双层薄膜材料，氧化钴薄膜厚度为80~120nm，通过脉冲激光沉积技术制备获得；类金刚石薄膜厚度为0.5~1um，通过电...

本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种铜的扩散阻挡层的制备方法。本发明选用合适的反应前躯体，采用原子层沉积技术在TaN层上生长Co或者Ru，可以得到用于32nm或以下工艺节点中的互连中的扩散阻挡层，克服PVD淀积Ta/TaN双层结...

本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种用于32纳米及以下工艺中提升铜互连线的抗电迁移特性的方法。在铜互连线上采用自对准工艺制备CuSi3、CuGe、CuSiN等覆盖层，加上新型阻挡层材料的使用，可以大大提高铜互连线的抗电迁移特性...

本发明属于低温原子层淀积技术领域，具体为一种柔性透明1T1R存储单元的制造方法。本发明通过全低温工艺在柔性衬底上生长全透明的1T1R存储单元，包括透明的氧化层介质、透明电极和透明衬底，这些透明层通过低温工艺淀积到一起，实现了一个全透明的...

本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种选择性淀积栅氧和栅电极的方法。本发明利用十八烷基三乙氧基硅烷（ODTS）易于吸附在Si-OH界面而不易吸附在Si-H界面的特性，有选择性的淀积栅氧和栅电极材料，避免了不必要的材料浪费，节...

本发明属于半导体技术领域，具体为一种双栅结构MOSFET亚阈值摆幅解析模型。本发明根据双栅结构MOSFET的电势分布，求出在MOSFET表面电势最低点的电子浓度随栅压的变化情况，由此得出亚阈值摆幅的解析模型。该模型物理概念清晰，易于计算...

本发明属于集成电路设计技术领域，具体为一种用于高频降压型电压转化器的自适应导通时间控制电路。所述降压型电压转换器电路由功率级和控制级电路组成，其中功率级由功率管PMOS、NMOS和滤波电感、电容组成；控制级由比较器、控制逻辑、自适用导通...

本发明属于膜技术领域，具体为一种抗污染环糊精-聚合物复合纳滤膜及其制备方法。本发明的环糊精-聚合物复合纳滤膜是在多孔支撑膜上通过界面聚合法复合了一层含有环糊精的芳香聚合物功能皮层而获得。本发明将多孔支撑膜先浸入油相溶液中，然后浸入含环糊...

本发明属于植物基因工程技术领域，具体涉及一种荠菜冷调节蛋白基因的启动子及其在植物的抗寒性改良中的应用。该启动子的核苷酸序列如SEQIDNO:1所示，其中荠菜冷调节蛋白基因及其启动子包含序列表SEQIDNO:1所示序列中的1960位碱基的...

本发明属于模拟与混合信号集成电路技术领域，具体为一种适用于自动增益控制环路的逐次逼近型模数转换器。该模数转换器主要包括采样保持模块、电容阵列模块、开关阵列模块、比较器模块和数字控制模块。本发明能够很好地满足自动增益控制环路对模数转换器的...

本发明属于第二代基因测序技术领域，具体为一种全基因组范围内基因组DNA修饰(如5-羟甲基胞嘧啶即5hmC，5-甲基化胞嘧啶即5mC，5-羧基胞嘧啶即5caC、5-甲酰胞嘧啶即5fC等)定量测序方法。本发明是采用标签法，对多个待测样品分别...

本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，具体涉及一种具有宽锁定范围的次谐波注入锁定压控振荡器。该压控振荡器包括：片上电感电容谐振器、由2个NMOS管交叉耦合连接而成的负阻产生器、用来对振荡频率进行粗调谐的数字控制电容阵列、用来对振荡频...

本发明属于模拟集成电流设计技术领域，具体为提高数模转换器高频特性的电流源及驱动电路。该结构包含：电流源模块，延迟单元，对称性译码模块：共有两路，一路连接于外部输入和锁存器模块之间，另一路连接于延迟单元和锁存器模块之间，将外部输入数据译码...

本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种宽带可重构下变频混频器。它由跨导级、频率转换级、负载输出级组成。在输入跨导级使用了尾电流源阵列拓展带宽技术和可重构跨导负载网络技术实现拓展带宽和工作频带可重构。本发明实现简单，占用芯片面积小，功...

本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种带有片上有源Balun的差分CMOS多模低噪声放大器。它由匹配级、放大级、反馈级和负载级组成第一级放大器；由有源片上Balun构成第二级放大器。其中，匹配级使用键合线电感、寄生电容、栅极电感与电...

本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种带有单端电路补偿结构的低噪声放大器。本发明包括输入匹配级、放大级、负载级、反馈级和单端电路补偿级；本发明在单端电路接地点处提供一个反相信号，该反相信号与单端电路提供的信号在芯片内接地处形成一个交...

本发明属集成电路技术领域，具体为一种高SFDR多通道时间交错逐次逼近型模数转换器。传统的多通道时间交错型SARADC各个通道前端采样和量化用的电容阵列通常是各自独立的并且是固定不变的，本发明将前端各个通道的自有的电容阵列拆成相等的模块，...

本发明属于半导体和集成电路技术领域，具体为一种具有栅极漏电补偿的电流镜电路。该电流镜电路由参考电流输入级和镜像电流输出级以及一个运算放大器构成。运算放大器具有正负两个输入端和一个输出端。从参考电流输入级输入参考电流，而运算放大器的正输入...