一种在ＳｉＣ衬底上具有由（０００１）－面梯层和（１１－２ｎ）－面台阶［ｎ≥０］构成的阶梯表面结构的半导体材料，使用该半导体材料的半导体器件以及制造该半导体材料的方法，其中在ＳｉＣ晶体的外延生长之前，在ＳｉＣ衬底上形成富－碳表面，富－碳表...

一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域（Ｍ），和已形成了把该中心区域围起来的保护环（３８）组的周边区域Ｎ的半导体器件，在最外周上形成的...

本发明公开了一种半导体器件，它设有主开关元件区域的主电极、传感器开关元件区域的传感器电极、以及形成于主电极与传感器电极之间的保护器件。当主电极与传感器电极之间产生预定电位差时，保护器件使主电极与传感器电极电连接。这种半导体器件可以处理超...

本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括具有形成在其中的电路元件的半导体衬底和在所述半导体衬底上形成的绝缘保护膜。羟基（ＯＨ）被连接到所述保护膜的表面。结果使得所述保护膜的表面与水滴之间的接触角小于或等于４０度。

一种半导体器件，具有集电极、集电极上形成的ｐ↑［＋］集电极区（２２）、集电极区上形成的ｎ↑［－］漂移区（２４）、漂移区上形成的ｐ↑［－］体区（２６）、以及体区中形成的多个ｎ↑［＋］发射极区（２８）。发射极区连接到发射极。多个沟槽栅极（３...

本发明涉及一种半导体器件，其具有ｐ－ＧａＮ层（３２）、Ｓｉ－ＧａＮ层（６２）、ＡｌＧａＮ层（３４）被层叠的层叠结构，并且具有形成在ＡｌＧａＮ层（３４）的顶表面侧的栅电极（４４）。ＡｌＧａＮ层（３４）具有比ｐ－ＧａＮ层（３２）和Ｓｉ－Ｇａ...

一种半导体器件，其具有漏极２２、半导体基板３２、覆盖半导体基板３２的表面的一部分并且在半导体基板３２的表面上留下非覆盖表面５５的电流调节层４２、覆盖电流调节层４２表面的半导体层５０，以及形成在半导体层５０表面的源极６２。漂移区５６、通道...

在传统的半导体器件中，绝缘膜被形成在超级结结构的ｐ型半导体区和ｎ型半导体区之间，由此防止两个区之间的杂质的相互扩散。用于制造具有这样的构造的半导体器件的制造工艺很复杂。本发明的半导体器件包括超级结结构，在该超级结结构中，沿至少一个方向重...

简化功率设备的安装结构，以降低成本，同时改善散热和可靠性。功率组件１００包括金属线路板１３、经焊料层１２设置在金属线路板１３的上方表面上的功率设备１１、设置在金属线路板１３的下方表面上的金属散热板１５；设置在金属散热板１５的下方表面上的...

本发明提供了一种半导体器件，包括：硅衬底，其具有用于将所述硅衬底焊接到陶瓷衬底上的表面；和电极，其与所述硅衬底的所述表面进行接触。所述电极包括：第一导体层、第二导体层和第三导体层。第一导体层与所述硅衬底的所述表面进行接触，并包括铝和硅。...

半导体器件（１０）包括在ｐ－型氮化镓（ＧａＮ）制成的下半导体层（２６）和ｎ－型氮化铝镓（ＡｌＧａＮ）制成的上半导体层（２８）之间的异质结，其中所述上半导体层（２８）具有的带隙比所述下半导体层（２６）的带隙大。所述半导体器件（１０）进一步...

本发明提供了一种由笼形化合物构成的热电材料，所述笼形化合物的组成由Ｂａ↓［８］Ｇａ↓［Ｘ］Ｇｅ↓［（４４－Ｘ）］（其中１４≤Ｘ≤１８）表示。此热电材料不需要通常必需的长时间热处理，而且仍具有与现有热电材料同样优异的热电性质。

一种半导体模组，包括：　　　　半导体元件；以及　　　　散热器，布置于所述半导体元件和冷却所述半导体元件的冷却部件之间，所述散热器邻近于所述半导体元件的大致中心的部分的厚度比其邻近于所述半导体元件的周边的部分的厚度小。

功率半导体元件（５２）和电容器（４６）二者的电极在模块中彼此接合。功率半导体元件（５２）形成于具有第一、第二主要表面的半导体衬底上。功率半导体模块（１１Ａ）包括：电极（４８），接合到第一主要表面，主电流流经该电极；电极（６０），接合到第...

一种半导体器件，包括：　　　　包含ｐ型杂质的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的第一半导体区；　　　　Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的第二半导体区；以及　　　　夹在第一半导体区和第二半导体区之间的杂质扩散抑制层。

本发明提供一种将ＭＩＳ结构内置的ＨＥＭＴ。该ＨＥＭＴ（１０）具有：与漏电极形成电连接的漏极区域（３２）、与源电极形成电连接的源极区域（３４）、形成在漏极区域（３２）和源极区域（３４）之间的第一半导体区域（２２）、ＭＩＳ结构（４０）和异质...

在利用对于改善晶体质量等有利的气相生长方法的同时，还通过微晶化发光层改善发光效率。用于形成发光层的基材（４）包括单晶基材（１）和设置在该单晶基材（１）上的定向微晶层（３）。构成定向微晶层（３）的各晶体的特定晶轴在相对于单晶基材（１）的特...

本发明涉及一种热电转换材料，热电转换材料中所含的绝缘材料中的至少一部分具有绝缘材料的声子的平均自由行程以下的粒径，或者绝缘材料之间的分散间隔为热电转换材料的声子平均自由行程以下。并且，还涉及热电转换材料的制造方法，具有下述工序：在由绝缘...

二极管（１０）包括ＳＯＩ衬底，其中堆叠有半导体衬底（２０），绝缘膜（３０）和半导体层（４０）。底部半导体区域（６０）、中间半导体区域（５３）和表面半导体区域（５４）在半导体层（４０）中形成。底部半导体区域（６０）包括高浓度的ｎ型杂质。中...

一种制动灯开关（１０Ａ）具有：壳体（１１）；布置在壳体（１１）中的舌簧开关（１４）；布置在壳体（１１）中的磁体（１５），所述磁体（１５）的磁场使舌簧开关（１４）的接点开路和闭路；致动轴（１３），所述致动轴（１３）可沿着壳体（１１）的轴向...