本发明的目的在于提供一种获得高击穿电压和紧凑性的绝缘栅极型半导体器件及其生产方法。半导体器件（１００）具有形成在单元区域中的多个栅极沟槽（２１）和Ｐ浮置区域（５１），并且具有形成在接线区域中的多个接线沟槽（６２）和Ｐ浮置沟槽（５３）。另...

功率半导体器件的冷却结构包括冷却水通路（２６）及鳍片（２２）。用于冷却功率半导体器件的冷却水流经冷却水通路（２６）。鳍片（２２）设置在冷却水通路（２６）的路径上并沿与冷却水的流动方向垂直的方向彼此间隔地设置。鳍片（２２）促进功率半导体器...

本发明提供半导体模组和具有半导体模组的混合动力车辆驱动装置。母线（４０Ｐ）组成电源线，母线（４０Ｎ）组成接地线。母线（４０Ｐ、４０Ｎ）通过绝缘构件沿绝缘衬底（５０）的法向分层。这里，布置在上侧的母线（４０Ｐ）由金属构件形成，布置在下侧的...

一种半导体（１００）从其上表面侧依次具有Ｐ－主体区域（４１）和Ｎ－漂移区域（１２）。形成通过Ｐ－主体区域（４１）的栅极沟槽（２１）和端子沟槽（６２）。各个沟槽在其底部由Ｐ扩散区域（５１、５３）围绕。栅极沟槽（２１）其中建立栅电极（２２）...

本发明提供一种冷却器，该冷却器包括用于配置半导体元件（２１）的基板（１）、被固定在基板（１）的里面上的板状部件（２）、主管（１１）、以及辅助管（１２）。通过基板（１）和主管（１１）所夹持的空间来构成制冷剂的第一流路。通过主管（１１）和辅...

散热装置包括多个散热片（１ａ、２ａ、３ａ）。散热片（１ａ、２ａ、３ａ）形成为形成制冷剂的流路的间隔壁。散热片（１ａ、２ａ、３ａ）形成为使所述制冷剂沿表面流动。形成合流空间（３６、３７）使被散热片（１ａ、２ａ、３ａ）隔离的所述流路中的所述...

本发明为了提供一种根据光电转换效率使太阳能电池的厚度最有利，并且可降低载流子复合损失的太阳能电池，叠层由ｎ↑［＋］层、ｐ层、ｐ↑［＋］层构成的上部单元（１２）和在ｐ层的下部沿背面排列ｎ↑［＋］Ｐ↑［＋］和ｐ↑［＋］层的下部单元（１４），...

一种叠层式压电致动器，包括若干压电板和由电极材料组成的内电极层。压电板和同电极层交替叠加。电极材料包括一种金属组分和一种导电氧化物。当将氧离子作为载体工作的导电氧化物加到电极材料中时，氧从内电极层供给到正工作的压电板中。结果，阻止压电板...

一种场效应半导体装置，包括：　　　　第一导电型半导体的沟道区；　　　　第一导电型发射极区，它与沟道区接触并且是具有比沟道区更高浓度的第一传导电型半导体；　　　　穿过沟道区并与沟道区及第一导电型发射极区绝缘的栅极；以及　　　　与沟道区和第...

一种埋入栅型半导体器件，包括：　　　　半导体衬底；　　　　第一一种导通型半导体区，其形成在半导体衬底中；　　　　第一其它导通型半导体区，其形成在第一一种导通型半导体区的上方；　　　　多个埋入栅，其掩埋在贯穿第一其它导通型半导体区的半导体...

本发明旨在提供一种高耐电压场效应型半导体设备，其减弱在半导体衬底的电场同时不加厚漂移区的厚度，而且实现对于高电压的耐压性能，且不牺牲开启电压，开关关闭特性和小型化。场效应型半导体设备在一个表面（图２的上表面）上包括发射极区域１００，１０...

一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域（Ｍ），和已形成了把该中心区域围起来的保护环（３８）组的周边区域Ｎ的半导体器件，在最外周上形成的...

本发明公开了一种用于混合动力汽车的能量回收系统。该能量回收系统利用一高温热介质和一低温热介质之间的温差发电。使用用于冷却内燃机的内燃机冷却剂作为该高温热介质。使用由一热泵冷却的泵制冷剂作为该低温热介质。该热泵利用该内燃机冷却剂的热量将该...

一种废热发电装置包括：　　　　将排气的热能转换成电能的热电转换单元；　　　　热交换单元，其设置在所述热电转换单元的一个表面上以传导流过排气管的所述排气的热能；和　　　　冷却单元，其设置在所述热电转换单元的另一个表面上以冷却热电转换单元，...

本发明的课题在于用简单的结构提高从散热板向冷却器散热的散热性能。框体（２０）在与散热板（１８）的装配面（１８－１）的相对面（２０－１）上，具有多个突起部（２２－１）。突起部（２２－１）的各个被调整高度使得推压散热板（１８）的装配面（１８...

本发明涉及一种精密加工设备和一种精密加工方法，其能够根据磨削阶段通过运动量和逐步改变的恒压在例如用于使磨轮旋转的装置上执行切换控制以精确地进行磨削。致动器（５）和至少由进给螺杆（４１）和螺母（４２）构成的进给螺杆机构（４）附装在第二基座...

本发明公开了一种用于包括多个排布的半导体模块在内的半导体设备的连接构件和设有该构件的半导体设备。连接器（６４）包括信号线（６２）嵌合到其中的嵌合孔（６５）、形成为将信号线（６２）的顶端部分导引到嵌合孔（６５）的锥度部分（６６）、以及用于...

本发明旨在提供一种可容易地制造的绝缘栅型半导体器件及其制造方法，同时实现较高的耐压设计和较低的接通电阻设计。所述半导体器件包括Ｎ↑［＋］源极区３１、Ｎ↑［＋］漏极区１１、Ｐ↑［－］体区４１以及Ｎ↑［－］漂移区１２。通过挖出所述半导体器件...

一种半导体装置（１００），包括低电位基准电路区域（１）和高电位基准电路区域（２），且所述高电位基准电路区域（２）被高耐压隔离区域（３）包围。通过在所述高耐压隔离区域（３）的外周中形成的沟槽（４），所述低电位基准电路区域（１）和所述高电位...

本发明提供了一种用于在体区，即介于顶区和深区之间的中间区中聚集少数载流子，从而提高中间区中少数载流子浓度的技术。一种半导体器件包括：第二导电类型的顶区（３４）、所述第二导电类型的深区（２６），以及第一导电类型的中间区（２８），用于使所述...