公开了DC‑DC转换器的实施例。在实施例中，一种DC‑DC转换器包括开关电阻器和比较器，所述开关电阻器连接于所述DC‑DC转换器的输入端与所述DC‑DC转换器的输出端之间，输入电压是从所述输入端接收，输出电压是从所述输出端输出，所述比较...

一种电力开关过电流保护系统，所述系统包括：电力开关晶体管，所述电力开关晶体管被配置成将来自电源的电力电流输送到电力负载；电力开关驱动器，所述电力开关驱动器被配置成控制电力开关的接通/断开状态；过电流保护(OCP)电路，所述OCP电路用于...

一种压入配合半导体装置包括引线框架，所述引线框架具有管芯垫、具有内部和外部引线端的引线，和压入配合引线。所述压入配合引线具有外部引线端与内部引线端之间的环状部分，且所述环状部分具有经设定大小和塑形以收容压入配合连接销的中心孔。管芯附接到...

本公开的各方面涉及补偿模数转换器电路(ADC)中的误差。就如可以根据一个或多个实施例实施的，一种设备和/或方法涉及使用来自数模转换器电路(DAC)的输出将模拟信号转换成数字信号的ADC。补偿电路通过以下生成补偿输出：对于提供到所述DAC...

一个例子公开了一种近场电路，其被配置成耦合到近场天线，其中所述近场天线包括第一导电结构、第二导电结构、第一馈电连接和第二馈电连接，其中所述导电结构被配置成发射和/或接收非传播的准静态电(E)场信号，所述近场电路包括：发射电路，所述发射电...

一种用于组装半导体装置(诸如智能卡)的引线框具有第一主表面和第二主表面，所述第一主表面包括暴露的引线，所述第二主表面包括管芯接收区域和围绕所述管芯接收区域的一个或多个连接垫。所述连接垫使得集成电路(IC)管芯能够电连接到所述暴露的引线。...

各种实施例涉及一种基于PLL的FSK解调器，所述FSK解调器包括：PFD，其被配置成接收输入信号；全差分辅助电荷泵，其被配置成接收并放大来自所述PFD的所述输入信号；电容器，其被配置成对来自所述辅助电荷泵的所述输入信号进行滤波；以及全差...

一种ESD保护装置，包括：PNP晶体管，所述PNP晶体管连接到输入焊盘；二极管，所述二极管连接到所述PNP晶体管并且连接到输出焊盘；以及NMOS晶体管，所述NMOS晶体管连接到所述PNP晶体管和所述输出焊盘，其中所述二极管、所述PNP晶...

本说明书公开了提供具有供电电压连接的p型有源钳位的经过改进的切换模式电源(SMPS)的装置和方法。在一些实施例中，这种经过改进的SMPS可以具有p型有源钳位，所述p型有源钳位在一侧连接到正电压(所述正电压可以优选地是供电电压)并且在另一...

一个例子公开了一种被配置成耦合到非平面导电主体表面的近场电磁感应(NFEMI)装置，所述NFEMI装置包括：线圈天线部分，所述线圈天线部分被配置为磁场天线；以及导电天线表面，所述导电天线表面被配置为电场天线；其中所述导电天线表面在几何上...

描述了一种音频处理系统，所述音频处理系统包括放大器，所述放大器被配置成接收第一音频信号并且将所述第一音频信号输出到包括音圈的声换能器。传感器检测对应于所述声换能器的音圈电流的信号。控制器将所述第一音频信号与检测到的信号进行比较并且根据所...

一种包括pn结二极管的半导体装置及其制造方法。所述装置包括具有第一导电类型的半导体衬底。所述装置还包括定位在所述衬底中的埋入式氧化物层。所述装置另外包括具有第二导电类型的半导体区域，所述半导体区域在所述埋入式氧化物层下方延伸以与具有所述...

本公开的某些方面涉及通过集成电路(IC)上的两个引脚进行的测试控制和测试访问配置。根据具体例子，基于IC芯片的设备与控制器结合用于测试目标IC。所述基于IC芯片的设备包括事件(捕获)电路，所述事件(捕获)电路被配置和布置成控制逻辑状态，...

一种用于认证用户供应的口令的白盒系统，包括：口令数据库，其包括针对每个用户的盐值和认证值；对称密码的白盒实施方案，其被配置成通过使用与所述用户相关联的所述盐值作为编码秘密密钥对所述用户供应的口令进行加密来产生加密值；以及比较器，其被配置...

一种集成电路，所述集成电路具有指状电容器，所述指状电容器具有形成于多层结构中的倒置梯形沟槽中的多个金属指状物，所述多层结构具有在超低K介电层上方的抛光终止层，所述超低K介电层在低K介电层上方，所述低K介电层在介电顶盖层上方。所述超低K介...

各种实施例涉及用于校准在FSK收发器中的BPF的中心频率的方法，所述方法包括以下步骤：通过所述BPF滤波载波频率信号以产生滤波后信号，通过相位‑频率检测器(“PFD”)检测在所述载波频率信号和来自所述BPF的所述滤波后信号之间的相位差，...

一种保护电路，其包括低泄漏静电放电(ESD)保护电路和至少一个支撑电路，所述至少一个支撑电路包括：连接于衬垫与接地之间的RC输入级；驱动器晶体管，所述驱动器晶体管被配置成驱动所述至少一个支撑电路的多个组件；在输入线上的串联晶体管，所述串...

一种半导体存储器电路包括SRAM单元和用于偏置所述SRAM单元的偏置控制电路。所述SRAM单元包括上拉晶体管、下拉晶体管以及传输门晶体管。所述偏置控制电路连接到所述下拉晶体管和所述传输门晶体管的基体端以便提供偏置电压。所述偏置控制电路通...

提供一种用于将集成电路(IC)嵌入到3D打印对象中的方法。所述方法包括提供长丝，所述长丝具有用于3D打印对象的材料，以及嵌入于所述长丝材料内的集成电路。使用所述长丝形成所述3D打印对象的至少一部分。提供一种用于实施所述方法的3D打印系统...

一个例子公开了一种第一近场电磁感应(NFEMI)装置，第一NFEMI装置包括：控制器，控制器被配置成耦合到NFEMI天线并且耦合到结构；其中NFEMI天线包括电(E)近场产生和/或接收部分和磁性(H)近场产生和/或接收部分；其中控制器被...