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独立行政法人科学技术振兴机构专利技术
独立行政法人科学技术振兴机构共有444项专利
铁磁性Ⅳ族系半导体、铁磁性Ⅲ -Ⅴ族系化合物半导体或铁磁性Ⅱ -Ⅵ族系化合物半导体 ,制造技术
采用透射光线的Ⅳ族系半导体Ⅲ-Ⅴ族系化合物半导体或Ⅱ-Ⅵ族系化合物半导体,可得稳定的铁磁性特性。于Ⅳ族系半导体、Ⅲ-Ⅴ族半导体系化合物半导体、或Ⅱ-Ⅵ族系化合物半导体内,使含有由Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho...
超小型制品用的微小稀土磁铁及其制造方法技术
本发明以制得高性能稀土磁铁为目的,尤其以在制造小体积稀土磁铁及使用该磁铁的超小型电动机时提供有效的手段。磁铁块材料通过机械加工所形成的稀土磁铁,该磁铁是表面积/体积的比率在2mm↑[-1]以上,体积在100mm↑[3]以下,于相当于正露...
R-Fe-B系薄膜磁铁及其制造方法技术
本发明提供了一种R-Fe-B系薄膜磁铁,在物理成膜的含有28-45质量%的R元素(其中,R是镧系稀土元素中的1种或2种以上)的R-Fe-B系合金中,具有晶粒直径0.5-30μm的R↓[2]Fe↓[14]B晶体和在该晶体边界处富集R元素的...
已晶间改质的Nd-Fe-B系磁铁和它的制造方法技术
虽然可使Dy金属等选择性的存在于烧结磁铁的结晶晶间部,并实现矫顽磁力的提高,但是因为通过采用溅镀等的真空槽的物理性成膜法,所以于进行大量的磁铁处理时的大量生产性方面,就有困难存在着。另外,至于成膜原料,在有采用价昂而且高纯度的Dy金属等...
由V族过渡金属二硫族化合物结晶而成的纳米纤维或纳米管和它的制造方法技术
NbSe↓[2]等V族过渡金属二硫族化合物的纳米结构及合成方法,NbSe↓[2]、TaS↓[2]等过渡金属二硫族化合物的结晶而成的纳米纤维和纳米管,是可保持和松散状的单结晶相同的电气性质。制造方法是以化学计量学比率的高纯度于Nb、Se作...
ITO薄膜及其制造方法技术
一种新型在衬底上形成并含原子百分比浓度为0.6到2.8%锡的ITO薄膜。该ITO薄膜可用作透明导电膜。一种制造ITO薄膜的方法包括将将铟盐与锡盐混合溶液喷雾到大气中衬底上的步骤。二氯化锡被用作锡盐,乙醇溶液被用作盐溶液。低锡浓度(原子百...
在玻璃内部形成分相区域的方法技术
本发明涉及一种在玻璃内部形成分相区域的方法。在通过核生长-成长结构在玻璃内部成长分离相时,采用现有的方法将整个玻璃加热,因此,难以在局部只在任意区域形成分相区域,无法制造必须周期排列光导波路构造和高折射率区域的光刻痕结晶等。本发明是通过...
流路用消音装置制造方法及图纸
本发明提供在不降低消音能力的情况下,能够扩大流路中的可安装区域的流路用消音装置。在本发明中,在流路的内壁面上,且在大于或等于成为消音对象的声波的半波长程度的范围内,沿流路的长度方向交替地配置在该内壁面上的声压大致为零的弱化声音的弱音部和...
蓄光材料及其制造方法以及蓄光显示元件技术
本发明提供一种新型蓄光材料,其余辉谱带宽度窄,能够选择余辉波长,耐湿性及耐热性高,且无光学各向异性。该蓄光材料由氧化钪构成的单晶和置换该单晶中的钪的稀土类元素构成,通过照射相当于稀土类离子的5d轨道和稀土类离子的4f基态轨道的能量差、或...
瞌睡检测装置以及瞌睡检测和唤醒装置制造方法及图纸
一种迅速、精确和高度实用性的瞌睡检测器及与其互锁的唤醒单元。通过检测瞌睡在因瞌睡引起事故之前唤醒车辆的驾驶者。借助于位于颞部附近一对眼镜的一个眼镜腿处的应力阻抗效应应力传感器头(1)检测眨闪的波形,并然后借助于一微型计算机(2)判断瞌睡...
三维虚拟空间模拟器及其系统技术方案
本发明的三维虚拟空间模拟由分身动作指示部、其根据用户的输入决定分身的动作,生成表示其内容的动作指示数据;代理人动作指示部、其以自律方式决定代理人的动作,生成表示其内容的动作指示数据;根据从以上接收的动作指示数据将上述各角色表示于虚拟空间...
图像检查方法及装置制造方法及图纸
一种图像检查处理,只将被检查图像的缺陷部分或差异部分与其位置一起进行图像显示,不需要图像位置调整的预处理。计算机(3)从存储部或者CCD照相机(1或2)取入参照图像或参照图像的傅立叶变换像,求出强度信息和相位信息,另外,从存储部或者CC...
与实验装置连动的虚拟实验接口装置制造方法及图纸
一种虚拟实验接口(200),包括:数据取得部(201),取得由实验测量装置(101)得到的高分子材料的结构图像数据;数据变换处理部(202),对所述数据取得部(101)取得的图像数据进行变换,以便模拟装置(102)能够处理;数据输出部(...
半导体运算装置制造方法及图纸
具备对于能够用N比特(N是自然数)表示的所有逻辑值状态分别同时进行运算,保持运算结果的进行相当于N量子比特运算的2个处理器元件群,以及用于在2个处理器元件群之间收发数据的交换单元,经过交换单元通过连接进行相当于N量子比特运算的2个处理器...
并行计算方法技术
一种并行计算方法,是利用具有多个处理器的并行计算机的计算方法,其在从双电子积分的原子轨道基层(rs|tu)向分子轨道基层(ab|cd)变换时,对于上述多个处理器,指定应计算的原子轨道的标记r与s,并在上述多个处理器的每个上,对被指定的标...
正交基底气泡函数要素数值分析方法、正交基底气泡函数要素数值分析程序以及正交基底气技术
本发明公开一种正交基底气泡函数要素数值分析方法及其装置,首先,通过第1取得部(202)取得分析对象的已知分析物理量(S401)。接下来,通过第2取得部(203),取得各个要素的要素等级的匹配质量行列式(S402)。接下来对每一个要素积分...
模型化装置以及对应方法制造方法及图纸
实现一种即使是具有复杂形状的物体,也可将从某一物体得到的特性信息容易地投射在形状不同的其它的物体上的模型化装置。本发明的模型化装置(1)具有:虚拟通电部(12),求出对心脏施加既定的电压时的、心脏内的任意的位置的电位;投射部(13),对...
使用流体缸的促动器及其控制方法技术
本发明提供一种使用流体缸的促动器,其通过简单的结构就能赋予气缸等流体缸刚性。促动器包括流体缸(1)、第一节流阀装置(3)及第二节流阀装置(5)。将第一节流阀装置(3)配置在流体压力源和第一腔室(9)之间,将第二节流阀装置(5)配置在流体...
显示装置制造方法及图纸
本发明公开了一种显示装置,其中设有:板(10),在其一侧排列形成的三原色光独立的光波导(100),以及作为夹着形成于构成该光波导(100)的两个光波导中一方的相对波导光透明的电场反应物质(20)排列形成的透明电极(30)和电极(40),...
反铁电性液晶及其制造方法技术
在层列C液晶(2)中混合棒状分子(1)时,由于静电能量最小的原理,各棒状分子(1)的永久偶极矩方向按照与层的边界方向一致进行排列,并且相邻的边界层的永久偶极是按照使永久偶极矩的方向相互反向地进行排列,因此通过棒状分子的“ㄑ”字形的棒状部...
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