一种具有高发光效率的二维光子晶体光学共振器和光学反射器；结构如下。一种二维光子晶体包括：呈板状的主体（１１），由多个具有与主体（１１）不同折射率的周期性排布的区域（或孔）（１２）形成所述主体。通过提供不钻孔（１２）的线性区域形成波导（１...

本发明提供一种在光信号放大３端子装置，其中，将从来自输入了第１波长（λ↓［１］）的第１输入光（Ｌ↓［１］）和第２波长（λ↓［２］）的第２输入光（Ｌ↓［２］）的第１光放大元件２６的光中选择的第２波长（λ↓［２］）的光、和第３波长（λ↓［３...

一种发光元件装置，其特征在于，在具有设置了利用氟化钙结晶形成的窗板的窗口的容器内，配置了短波长发光元件。

一种二维光子晶体面发光激光器，其构成为在靠注入载流子发光的激活层（第１介质）（１２）或其附近以二维的周期排列由折射率不同的第２介质构成的光子晶体周期结构体（２１）。光子晶体（２０）的晶格结构是正方晶格或正交晶格，具有平移对称性但不具有旋...

本发明提供一种新的玻璃组成物，其可得到源自铋（Ｂｉ）的荧光，并且可改善熔融性。本发明的玻璃组成物含有铋氧化物、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］以及ＳｉＯ↓［２］，ＳｉＯ↓［２］是玻璃网络形成氧化物的主要成分，还含有从ＴｉＯ↓［２］，ＧｅＯ↓［２］...

提供了能在红外区域进行宽带放大的宽带光放大装置。在这种宽带光放大装置中，其特征是在以铋为荧光素的玻璃或晶体中通过光激励使光放大，放大的波长范围为１０００～１６００ｎｍ。

提供一种半导体器件；为了消除布线延迟，取代长距离的金属布线及通路孔连接，能够由形成在半导体芯片上的发射偶极天线发射电磁波，并由设置在其他半导体芯片电路块内部的接收天线接收。半导体器件中，将形成在半导体衬底（１）上的发射天线（３）所发射的...

一种阻抗匹配电路及利用了该电路的半导体元件及无线通信装置，该阻抗匹配电路可通过减小占有面积来构成于半导体元件上，且可调整频带。电抗补偿分布常数线路（３１）对负荷（６）的电抗（Ｂ↓［Ｌ］、Ｘ↓［Ｓ］）进行补偿，１／４波长分布常数线路（３２...

在作为双电层电容器的极化电极（３１）使用的碳复合电极上，采用具有特殊结构和非常大的表面积的单层碳纳米角聚集体。单层碳纳米角聚集体与酚醛树脂进行混合并成形，且被热处理而构成碳复合电极，再通过含浸在电解液中成为极化电极。使用了该极化电极的双...

本发明涉及向木质素中导入酚化合物所得到的木质素衍生物的利用，尤其涉及在半导体薄膜电极、光电转换元件以及使用此元件的太阳能电池中的利用。本发明的目的是提供不受碳资源制约的光电转换元件半导体薄膜电极、光电转换元件以及使用该元件的太阳能电池，...

通过利用碳纳米管特有的结构敏感的性质以高度敏感的方式分离、浓缩或纯化具有期望性质（直径、手性矢量等）的均一性碳纳米管的方法和设备。本发明提供分离、浓缩或纯化样品中含有的具有期望性质的碳纳米管的方法，包括以下步骤：（ａ）用光照射含碳纳米管...

本发明提供一种由用通式（Ⅰ）表示的并多苯芳烃衍生物而形成的光电转换元件用材料、以及使用了该材料的光电转换元件。该光电转换元件用材料的加工性和生产率好、毒性低、易于柔性化、且光电转换效率良好。在通式（Ⅰ）中，Ｒ↑［１］、Ｒ↑［２］、Ｒ↑［...

本发明提供一种能够制造具有与块晶同等的晶体完整性的薄膜、且制造成本低的固相熔剂外延生长法，其中，在基板上将外延生长的物质即目标物质和溶剂相混合的非晶形薄膜在低于共晶点温度的低温下进行堆积，在目标物质和熔剂的共晶点温度以上的温度下对该基板...

本发明是通过单电子动作可以得到高速稳定的动作的基于单电子电路的信息处理结构体，该信息处理结构体在微细的ＭＯＳＦＥＴ（１１）的栅极电极（１２）的正上方，形成纳米级大小的多个量子点（１３），在量子点与栅极电极之间构成电子能够直接穿过的能量势...

一种量子干涉型磁通计的制造方法，其特征在于，具有以下工序：通过在第１圆筒形陶瓷基材的外表面使高温超导微粒移动电沉积和烧结，形成与该输入线圈一体型的拾起线圈的工序；在第２圆筒形陶瓷基材的外表面全面使高温超导微粒移动电沉积和烧结，形成高温超...

本发明公开了在介电常数低的晶体基质上形成结晶完整度高、结晶取向性优良的氧化物高温超导体薄膜的氧化物高温超导体，以及制备这样的氧化物高温超导体的方法。在制造在晶体基质上形成有含有Ｂａ作为其构成元素的氧化物高温超导体薄膜的氧化物高温超导体的...

本发明涉及一种使用用于选择存储单元的晶体管和固体电解质的开关。存储单元中，在形成于半导体基片表面的场效应晶体管的漏扩散层上层叠金属。在金属上层叠金属为载流子的固体电解质。固体电解质与金属隔着空隙连接，金属连接至共同接地线，场效应晶体管的...

本发明是通过单电子动作可以得到高速稳定的动作的基于单电子电路的信息处理结构体，该信息处理结构体在微细的ＭＯＳＦＥＴ（１１）的栅极电极（１２）的正上方，形成纳米级大小的多个量子点（１３），在量子点与栅极电极之间构成电子能够直接穿过的能量势...

本发明是通过单电子动作可以得到高速稳定的动作的基于单电子电路的信息处理结构体，该信息处理结构体在微细的ＭＯＳＦＥＴ（１１）的栅极电极（１２）的正上方，形成纳米级大小的多个量子点（１３），在量子点与栅极电极之间构成电子能够直接穿过的能量势...

本发明提供了一种用于生产能够刚性安装的应力阻抗效应元件的方法以及该元件。应力阻抗效应元件具有电极（４），其每一个都通过超声波焊接在磁致伸缩非晶细丝（２）相应的相对末端上形成。