涉及窗型探针、等离子体监视装置及等离子体处理装置，目的在于：直接、简单地检测出因高频或高电压的施加而产生的等离子体的状态。其构成为：至少设置在与等离子体相面对的面的至少一部分上设置了开口部的导电性支撑构件（５）、设置于所述导电性支撑构件...

本发明提供一种即使切断电源也能保持导通或断开状态，能降低在导通状态下的电阻，实现集成化，并且能够再编程的固体电解质开关元件及使用其的ＦＰＧＡ、存储元件及其制造方法。固体电解质开关元件（１０、１０′、２０、２０′），其特征在于具有：用绝缘...

针对目前挥发性存储器的快闪存储器由于写入速度迟缓，改写次数有界限的，而且电功消耗量较多；强介电体存储器（ＦｅＲＡＭ）由于改写次数为约１０↑［１２］次程度，未能保证使用１０年，加上此较难高密度化的问题，提出一种新型磁阻随机存取存储器装置予...

一种信息存储元件，其特征在于，　　　　在具有半导体衬底、源极、漏极、栅极和栅绝缘膜的半导体晶体管中，　　　　上述栅绝缘膜具有空腔；　　　　在此空腔内具有浮置栅极层，该浮置栅极层具有向上述晶体管的沟道侧挠曲的稳定状态和向栅极侧挠曲的稳定状...

在基片（１）上设定捕获位置（３０），在基片（１）上形成电极图形（２），其具有：沿对角方向的ｘ轴且夹着捕获位置（３０）的位置形成的电极（２２）、（２３）组成的第１电极对（２１）；沿与ｘ轴正交的ｙ轴且夹着捕获位置（３０）的位置形成的电极（２...

通过施加栅电压Ｖ↓［ＧＳ］，强磁性源中的由金属性质的自旋带造成的肖特基势垒宽度减少，来自该金属性质的自旋带的上自旋电子被隧穿注入到沟道区中。此时，由于有强磁性源（３ａ）的由半导体性质的自旋带造成的能量壁垒，下自旋电子不从非磁性接触（３ｂ...

提供一种自由空间配线的制造方法及其制造装置，其能够制造纳米级的自由空间配线。基于预先存储在计算机控制的绘制设备（９）中的三维位置数据以及射束的辐射位置、辐射方向和辐射时间来辐射射束以便利用射束激发反应，使用ＣＶＤ工艺制造该自由空间配线（...

按照将本发明的强磁性半导体用于沟道区的ＭＩＳＦＥＴ，具有作为可用栅电压控制漏电流的晶体管的特性，与此同时，还一并具有其转移电导可受强磁性沟道区与强磁性源（或强磁性漏，或强磁性源和强磁性漏双方）的相对的磁化方向控制的特征性的特性。从而，可...

ＣＰＰ型巨磁电阻元件和磁部件及磁装置，能通过膜面垂直方向的自旋相关电流显现巨磁电阻效应，其中，ＣＰＰ型巨磁电阻元件（１０、２０、５０）具有反强磁性层（９）、强磁性固定层（１１、１１Ａ）、非磁性导电层（１２）和强磁性自由层（１３、１３Ａ）...

本发明提供压电材料及其元件以及其制造方法。其是具有可动性的点缺陷的压电材料，具有可动性的点缺陷被按照使其短程有序对称与强介电相的晶体对称性一致的方式配置，利用所述强介电体材料中的畴的电场下的可逆的转换来实现较大的非线性压电效应，即使在低...

本发明涉及一种超导膜及其制造方法，该超导膜包括基底以及在基底上形成的超导层，其中，在该基底表面形成了平行于电流方向的纳米凹槽，并在位于该纳米凹槽上的超导层中引入了二维晶体缺陷。本发明的超导膜以低成本获得且具有很高的Ｊｃ，可应用于电缆、磁...

本发明的课题在于在通过激光烧蚀法、溅射法、电弧放电法等，产生薄膜形成成分的飞散微粒子束，使该飞散微粒子束附着于基板上的成膜装置中，即使在用于俘获小滴的过滤器呈容易制作形状，价格低的情况下，仍容易实现俘获，并且，确实地不再次释放一度俘获的...

液状组合物，其特征是，至少含有金刚石微粒、分散介质及胺性物质。

本发明是有关非晶形氧化物和采用该氧化物的薄膜晶体管。具体来说，提供电子载流子浓度未满１０↑［１８］／ｃｍ↑［３］的非晶形氧化物和采用该氧化物的薄膜晶体管。于具有源极电极６、汲极电极５、栅极电极４、栅极绝缘膜３和沟道层２的薄膜晶体管上，采...

本发明的目的在于提供一种可在空间均匀生成高密度等离子体的等离子体生成装置，在真空容器（１１）的侧壁设置多个天线（１６），相对３－４个天线（１６），经板状导体（１９）并联连接１个高频电源。各天线（１６）的导体长度比在真空容器内生成的感应电...

本发明涉及具有自旋相关转移特性的隧道晶体管及使用了它的非易失性存储器。按照将本发明的铁磁性半导体用于沟道区的ＭＩＳＦＥＴ，具有作为可用栅电压控制漏电流的晶体管的特性，与此同时，还一并具有其转移电导可受铁磁性沟道区与铁磁性源（或铁磁性漏，...

本发明提供一种可通过简单的装置结构变更来设定灵敏度和时间分辨能力的中子检测装置。具备多个中子检测元件部，该中子检测元件部具有：超导元件（２０），其具有至少一个表面由电介质材料（１１）形成的基体材料（１０）、在表面上形成的超导材料的带状线...

本发明的目的是提供具有能够同时达成高亮度和高分辨率的两者的优良特性的微通道板，以及使用该微通道板的气体比例计数管和摄像装置。基于本发明的微通道板是，具备基体，该基体设置有多个贯通孔（１３）且具有绝缘性，是配置在主要包含不活泼气体的气体环...

本发明提供即使减少稀有的Ｄｙ等稀土类元素含量，也可以得到高矫顽磁力或者高剩余磁束密度的高性能的稀土类磁铁。本发明的稀土类－铁－硼系磁铁的特征在于：Ｍ元素（其中，Ｍ是选自Ｐｒ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｈｏ的稀土类元素的一种或多种）从磁铁表面扩散，从而...

提供作为催化剂能力高的光催化剂、同时具有电.光.磁功能的半导体材料及透明磁铁有用的二氧化钛.钴磁性膜，该膜以化学式：Ｔｉ↓［１－ｘ］Ｃｏ↓［ｘ］Ｏ↓［２］表示，式中０＜ｘ≤０．３，同时Ｃｏ置换到Ｔｉ晶格位置上，且在单晶衬底上外延生长。其...