通过将二氧化钛原料微粒子在含有含氮的气体的还原性气体的氛围下，在５００℃以上６２０℃以下进行热处理，可以得到向二氧化钛中掺杂选自碳、氢、硫中的至少１种元素和氮的二氧化钛微粒，在波长４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下的可见光的照射下，显示出异丙...

提供一种半导体热处理用反射板，通过抑制异物的附着、反应气体的产生来防止破裂、变形。在圆板状或环状的透光材料构成的板状体（３）内，在密闭配置了无机材料构成的板状体（２）的半导体热处理用反射板（１）中，与所述透光材料构成的板状体连接的无机材...

一种碳电线发热体密封加热器，是把使用碳纤维的碳电线发热体密封到石英玻璃部件内的碳电线发热体密封加热器，其特征在于， 所述碳电线发热体的吸附水分量小于２×１０↑［－３］ｇ／ｃｍ↑［３］。

本发明提供破坏电压高且能量损耗少、适合在高电子迁移率晶体管等中使用的化合物半导体装置用基板以及使用该基板的化合物半导体装置。该化合物半导体装置用基板是在晶面方位｛１１１｝、载流子浓度１０↑［１６］－１０↑［２１］／ｃｍ↑［３］、ｎ型的Ｓ...

本发明提供一种适用于具有浅结的半导体装置之制造的硅晶片。其中硅晶片的特征在于：在距表面的深度低于５０μｍ的区域，直径１０ｎｍ以上的氧析出物密度在１×１０↑［８］／ｃｍ↑［３］以下。半导体装置用硅晶片的特征在于：在距表面的深度低于５０μｍ...

目的在于提供可提高喷镀覆盖膜等覆盖层的防剥离性，且耐热强度、耐潜伸性及耐久性优良，从而适用于陶瓷电容器、陶瓷变压器等的电子部件用陶瓷的热处理或烧制工序的电子部件用陶瓷的热处理用夹具及其制造方法。在作为ＳｉＣ质陶瓷基板１的第１层的上下面上...

本发明涉及针状硅结晶及其制造方法，更详细地说，涉及适用于纳米技术的纳米大小的具有尖锐形状的针状硅结晶、及可在硅基板面上大量形成该针状硅结晶的制造方法。本发明为超微小的针状硅结晶，其尖端为曲率半径１ｎｍ以上２０ｎｍ以下的尖细状，其具有底面...

本发明为了控制结晶层错区域、抑制退火处理时的滑移发生、并且可以合格率良好地制造高强度的高品质硅片，提供了一种硅片的制造方法，即通过直拉法，在氧浓度为０．９×１０↑［１８］原子／ｃｍ↑［３］以上、在距离晶片外周为２０ｍｍ以内的区域中氧化诱...

提供一种即使长时间使用也可以防止喷嘴及结晶器内的熔融金属的偏移流及熔融金属表面起伏，并且，通过抑制喷嘴基体金属附着及损伤等能够稳定地供应高质量的薄板坯铸坯的薄板坯连铸用浸渍喷嘴。其结构为，在配备有上端的熔融金属流入口（２），从前述熔融金...

提供关节软骨再生用材料及其制造方法，关节软骨再生用材料可以在接近自然的环境下，与邻接的周围已存在的关节软骨在良好的状态下一体化，在连续的状态下，可以早期再生具有原始厚度的关节软骨。还有，提供了在生物体内或者生物体外关节软骨的再生方法及培...