本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、芯片，涉及半导体技术领域，旨在降低工艺难度。该半导体结构的制备方法包括：采用溅射工艺，在衬底上形成第一电极；在第一电极远离衬底的一侧形成电介质层；在电介质层远离衬底的一侧形成第二电极；其中，在形成...

本申请公开了一种铌酸锂/钽酸锂键合方法，属于单晶薄膜制备技术领域。该方法包括如下步骤：获得铌酸锂/钽酸锂载片、衬底载片；所述铌酸锂/钽酸锂载片、衬底载片中至少一种载片的单侧表面均匀覆盖有键合胶；将铌酸锂/钽酸锂载片与衬底载片对准，使键合...

本申请提供了一种谐振式传感器PUF特征值和PUF密钥生成方法。所述方法包括：通过提供谐振式传感器，打开谐振式传感器的电源，谐振式传感器包括电源、驱动电压调整电路和谐振式传感器模块；驱动电压调整电路用于调整输入谐振式传感器模块的驱动电压；...

本申请公开了负极活性材料及其制备方法、电池。制备负极活性材料的方法包括：将金属纳米颗粒和多孔碳混合，以得到混合料；对混合料进行第一碳源沉积处理，以得到第一物料；对第一物料进行硅源沉积处理，以得到第二物料；对第二物料进行第二碳源沉积处理，...

本申请提供了一种压阻式传感器PUF特征值和PUF密钥生成方法。所述方法包括：通过打开压阻式传感器的电源，压阻式传感器包括电源、驱动电压调整电路和压阻传感器结构，经驱动电压调整电路向压阻式传感器输入驱动电压U1；在驱动电压U1下，压力模拟...

本申请实施例提供一种半导体结构及其制作方法、电子设备。该半导体结构包括：第一电极、与第一电极相对设置的第二电极，设置在第一电极和第二电极之间的介电层，以及设置在介电层和第一电极之间的第一结晶促进层。介电层的材质包括锆钛酸铅，第一结晶促进...

本申请公开了基于薄膜铌酸锂的电光调制器及其制备方法，电光调制器包括：衬底层；树脂层，设置在衬底层的一侧；薄膜铌酸锂层，设置在树脂层的远离衬底层的一侧，薄膜铌酸锂层的靠近树脂层的部分表面设置有光学波导；金属电极层，设置在薄膜铌酸锂层的靠近...

本申请提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域。其中，半导体结构包括基板、第一电极层、电介质层和第二电极层。第一电极层与第二电极层可用于与外部电源连接，从而使得本申请的半导体结构可通电。基板的第一侧的表面为凹凸结构，...

本申请涉及一种三余度油门控制方法、装置、计算机设备及存储介质。所述方法包括：获取飞机油门推杆的至少三个传感器数据以及每个传感器数据对应的第一权重因子；对至少三个所述传感器数据进行阈度检测以及同步度检测调整所述第一权重因子，得到第二权重因...

本发明公开了一种安装工装和海尔贝克环形阵列磁钢的装配方法，安装工装包括：舱体，舱体内限定出空腔，空腔在第一方向上的一侧敞开以形成敞开口，空腔适于容纳在第二方向上依次排布的多个磁钢；挡板，挡板设于舱体的敞开侧，用于打开和关闭敞开口；推动件...

本发明涉及一种自支撑的金刚石膜的制备方法，包括：在Au衬底的（111）晶面上制备磷烯层，然后在磷烯层上制备金刚石膜，冷却后取出，使磷烯层发生降解，剥离掉Au衬底，得到自支撑的金刚石膜。本发明的制备方法中，由于Au具有优异的延展性，而金刚...

本发明涉及一种硬碳负极材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括：将硬碳与无机碳材料混合后进行热压处理，其中，所述无机碳材料的压缩强度为200MPa‑1000MPa，所述无机碳材料的质量为所述硬碳质量的0.1％‑1％；将热压处理后的产物在...

本发明提供光敏纳米颗粒的制备方法、光刻胶溶液与双光子图案。将具有金属核心与包含羧酸基团的有机外壳的金属氧簇通过酸配体交换反应使具有光引发作用的酸配体引入金属氧簇，得到光敏纳米颗粒，其粒径小并且具有光敏性，而且与光刻胶基质的混溶性良好，混...

本发明公开了一种堆叠式激光器阵列、光子器件及相关应用，涉及高速光通讯技术领域，包括：若干大功率激光器阵列、若干金刚石基板、金刚石载体和光路耦合模块；所有所述大功率激光器阵列和所述金刚石基板堆叠放置，相邻两组所述大功率激光器阵列之间设置一...

本申请公开一种成像方法、成像装置、头戴显示器及存储介质。方法包括通过掩膜对点光源发出的球面波进行相位调制，以改变球面波的传播参数，传播参数包括相位和振幅中至少一者，不同深度的球面波被掩膜调制后的参数不同，被摄场景包括多个点光源；基于传播...

本发明公开了碳化钽/石墨复合材料及其制备方法，涉及石墨/涂层复合材料领域。所述碳化钽/石墨复合材料包括石墨基体、过渡层和碳化钽涂层，所述过渡层连接所述石墨基体和所述碳化钽涂层；所述过渡层包括石墨和碳化钽，碳化钽填充在石墨的孔隙中，沿所述...

本发明涉及一种调控硬碳负极材料微观孔隙结构的制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：将硬碳前驱体材料置于密闭反应器中进行初步反应，得到预产物，其中，所述硬碳前驱体材料在所述密闭反应器中的填充度大于或等于40％，当填充度为40％时，所述...

本发明涉及一种硅基负极材料及其制备方法和应用。所述硅基负极材料包括软碳基材以及分布于所述软碳基材中的纳米硅、导电碳材料和快离子导体，其中，所述快离子导体的离子电导率为10<supgt;‑5</supgt;S·cm<su...

本公开属于碳纳米管纯化技术领域，提供了碳纳米管的纯化方法。该方法包括：将未纯化的碳纳米管原粉置于固定床焦耳热反应器内；通入弱氧化气体，加热使反应区温度达100℃～400℃，在碳纳米管原粉处产生第一焦耳热，去除包覆于金属催化剂颗粒表面的杂...

本发明涉及碳化钽镀层领域，尤其涉及交替沉积镀层工艺及碳化钽镀层。交替沉积镀层工艺包括：在待镀部件表面分别进行碳沉积和钽沉积，获得碳化钽镀层。本发明采用CVD方法提供了一种全新的碳化钽镀层工艺，通过对碳源前驱体和钽源前驱体的沉积过程进行区...