铌酸锂/钽酸锂键合方法及应用技术

本申请公开了一种铌酸锂/钽酸锂键合方法，属于单晶薄膜制备技术领域。该方法包括如下步骤：获得铌酸锂/钽酸锂载片、衬底载片；所述铌酸锂/钽酸锂载片、衬底载片中至少一种载片的单侧表面均匀覆盖有键合胶；将铌酸锂/钽酸锂载片与衬底载片对准，使键合胶位于铌酸锂/钽酸锂载片与衬底载片之间，抽真空进行加压、除泡固定，然后使用光源照射光刻胶进行光化学反应完成键合。本申请避免传统热涂胶键合工艺中由高温高压引起的铌酸锂/钽酸锂翘曲、碎片等问题，提升键合良率，同时缩短工艺时间、减少能耗、降低成本，为批量化制备大尺寸单晶铌酸锂/钽酸锂薄膜提供可靠技术方案。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及一种铌酸锂/钽酸锂键合方法及应用，属于单晶压电薄膜制备。

技术介绍

1、近年来，单晶铌酸锂/钽酸锂因其低介电损耗低和良好的压电性能在射频和压电等应用中表现出色受到越来越多的关注，其中单晶铌酸锂/钽酸锂薄膜（lnoi/ltoi）更是继承了单晶体材料的优异光电性能，例如350nm-5μm的低损耗透明窗口，优异的二阶非线性光学、电光、声光、压电、热释电等，结合薄膜波导的强光场束缚能力，基于单晶铌酸锂/钽酸锂薄膜的高速电光调制器、高效非线性频率转换器件和高性能的声光器件等展示了传统体材料无法企及的性能。然而目前单晶铌酸锂/钽酸锂薄膜以及各类主要限制因素是制备和封装中的键合工艺。铌酸锂、钽酸锂晶圆在制备单晶薄膜之前需要键合一层保护衬底来解决减薄过程中裂片问题，同时，不同器件在芯片上的集成也依赖于键合技术。

2、涂胶临时键合技术在半导体加工、微电子器件制造中扮演着关键角色，尤其是在晶圆级封装、三维集成和微系统组装等高端制造过程中。尽管这项技术带来了诸多优势，但在实际应用中也面临一系列技术挑战，主要包括但不限于以下几个方面：（1）键合温度和压力：在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种铌酸锂/钽酸锂键合方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的铌酸锂/钽酸锂键合方法，其特征在于，所述加压键合的条件包括：加压压力为10 g/cm2~1000g/cm2，加压时间为10s~300s。

3.根据权利要求1所述的铌酸锂/钽酸锂键合方法，其特征在于，所述键合为永久键合或临时键合；

4.根据权利要求3所述的铌酸锂/钽酸锂键合方法，其特征在于，解键合的方式选自激光解键合、热解键合、水热解键合、化学溶剂解键合中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的铌酸锂/钽酸锂键合方法，其特征在于，所述键合胶的覆盖厚度为5μm~1...

【技术特征摘要】

1.一种铌酸锂/钽酸锂键合方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的铌酸锂/钽酸锂键合方法，其特征在于，所述加压键合的条件包括：加压压力为10 g/cm2~1000g/cm2，加压时间为10s~300s。

3.根据权利要求1所述的铌酸锂/钽酸锂键合方法，其特征在于，所述键合为永久键合或临时键合；

4.根据权利要求3所述的铌酸锂/钽酸锂键合方法，其特征在于，解键合的方式选自激光解键合、热解键合、水热解键合、化学溶剂解键合中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的铌酸锂/钽酸锂键合方法，其特征在于，所述键合胶的覆盖厚度为5μm~100μm。

6.根据权利要求1所述的铌酸锂/钽酸锂键合方法，其特征在于，所述覆盖的条件...

【专利技术属性】
技术研发人员：万青，喻志奎，朱一新，乐先浩，李华阳，
申请(专利权)人：甬江实验室，
类型：发明
国别省市：