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电光调制器及其制备方法技术

技术编号:46562431 阅读:3 留言:0更新日期:2025-10-10 21:14
本申请公开了一种电光调制器及其制备方法,属于光传感、光计算及光通信技术领域,旨在提高导波层的传输质量。电光调制器包括衬底、缓冲层、电光材料薄膜、导波层和电极层;缓冲层设置于衬底上;电光材料薄膜设置于缓冲层的远离衬底的一侧;导波层设置于电光材料薄膜的远离衬底的一侧;电极层设置于电光材料薄膜的一侧;其中,电光材料薄膜与导波层的材料不相同,且电光材料薄膜的折射率大于导波层的折射率。本申请采用无需刻蚀电光材料方法,制备低折射率导波层的电光调制器,简化工艺流程的同时,提供更多的材料选择,并且实现低调制电压和大调制带宽等优异性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于光传感、光计算及光通信,具体为一种电光调制器及其制备方法


技术介绍

1、电光调制器中通常通过刻蚀电光材料薄膜形成导波层,电光材料主要为铌酸锂。

2、然而,由于铌酸锂具有较高的硬度和化学稳定性,导致铌酸锂在刻蚀过程中具有较差的选择性和再现率,以及较大的侧壁粗糙度,增加了波导的传输损耗。

3、并且,铌酸锂的晶体结构和各向异性会导致其在不同晶面上表现出不同的刻蚀速率,导致铌酸锂刻蚀不均匀,从而导致导波层产生质量不一致,降低了导波层的传输质量。


技术实现思路

1、本申请提供一种电光调制器及其制备方法,旨在提高导波层的传输质量。

2、第一方面,本申请提供一种电光调制器,该电光调制器包括衬底、缓冲层、电光材料薄膜、导波层和电极层;缓冲层设置于衬底上;电光材料薄膜设置于缓冲层的远离衬底的一侧;导波层设置于电光材料薄膜的远离衬底的一侧;电极层设置于电光材料薄膜的一侧;其中,电光材料薄膜与导波层的材料不相同,且电光材料薄膜的折射率大于导波层的折射率。

<p>3、在一些实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电光调制器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述缓冲层的材料为树脂材料,所述缓冲层的折射率范围为1.4~1.6,所述缓冲层厚度范围为3μm~500μm。

3.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述电光材料薄膜的材料包括铌酸锂或钽酸锂中的至少一种;所述电光材料薄膜的折射率范围为2.1~2.3,所述电光材料薄膜的厚度范围为200nm~600nm。

4.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述导波层的材料为树脂材料,所述导波层的折射率范围为1.4~1.6,所述导波层的厚度范围为100nm~800n...

【技术特征摘要】

1.一种电光调制器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述缓冲层的材料为树脂材料,所述缓冲层的折射率范围为1.4~1.6,所述缓冲层厚度范围为3μm~500μm。

3.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述电光材料薄膜的材料包括铌酸锂或钽酸锂中的至少一种;所述电光材料薄膜的折射率范围为2.1~2.3,所述电光材料薄膜的厚度范围为200nm~600nm。

4.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述导波层的材料为树脂材料,所述导波层的折射率范围为1.4~1.6,所述导波层的厚度范围为100nm~800nm。

5.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述导波层包括依次相连的输入锥波导、分束器、调制直波导、合束器和输出锥波导;

6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:万青赵蕊翁海中
申请(专利权)人:甬江实验室
类型:发明
国别省市:

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