本申请涉及半导体技术领域，提供一种微气泡生成装置、晶圆清洗系统、方法和装置，微气泡生成装置包括基体以及刻蚀在基体中的微气泡生成通道，微气泡生成通道包括依次连通的注入单元和缓冲单元；注入单元包括臭氧气体注入腔和液体注入腔，臭氧气体注入腔中...

本申请提供一种激光电池及制备方法、光电转换器件。该激光电池包括多个子电池结构，多个子电池结构沿第一方向层叠设置；每个子电池结构均包括衬底以及设置于衬底上的外延结构层；在任意相邻的两个子电池结构中，其中一个子电池外延结构层与另外一个子电池...

本申请提供一种高韧性氮化硅陶瓷材料、其制备方法及应用。高韧性氮化硅陶瓷材料包括第一相氮化硅基体和第二相金属硅化物颗粒，第二相金属硅化物颗粒均匀掺杂于第一相氮化硅基体；第二相金属硅化物陶瓷与第一相氮化硅基体之间为化学键键合连接；高韧性氮化...

本申请提供一种气浮旋转装置以及半导体设备，具体涉及半导体工艺技术领域。气浮旋转装置包括基座、晶圆载盘槽和晶圆载盘。其中，基座内开设有若干个气体通道。若干个晶圆载盘槽沿着基座的周向方向设于基座上，晶圆载盘槽上设有若干个呈斐波那契螺线状的导...

本申请公开了一种电光调制器及其制备方法，属于光传感技术领域。电光调制器包括波导层、混合电极层、依次层叠设置的衬底、缓冲层、电光材料层、保护层，波导层设置于电光材料层背离缓冲层一侧的表面，且嵌入于保护层中；混合电极层包括层叠设置的第一电极...

本申请提供一种陶瓷衬底及其制备方法和应用，包括金属碳化物和烧结助剂，所述金属碳化物包括碳化钽，所述烧结助剂包括铁元素、钴元素中的至少一种。本申请有助于制得尺寸较大且缺陷较少的石墨烯。

本发明公开了一种磁控溅射系统的靶材角度调节装置以及磁控溅射系统，本发明涉及角度调节装置技术领域，靶材角度调节装置包括：安装部和安装架，安装部用于安装靶材，安装部可活动地安装于安装架，驱动机构，驱动机构与安装部连接，驱动机构用于驱动安装部...

本申请公开了一种超薄柔性玻璃的制备方法及应用，属于材料加工技术领域。该制备方法包括：提供高温平台，所述高温平台包括可旋转的圆形台面；在所述圆形台面的上表面制备惰性金属保护层，以及将所述高温平台置于温度环境中；将所述温度环境的温度调节至旋...

本申请涉及双目虚拟现实设备技术领域，特别涉及一种双目虚拟现实设备测试设备、系统、仿真及测试方法，其中，设备包括：转动平台上放置有双目相机或双目相机与真实双目虚拟现实设备；控制器用于控制转动平台转动维持双目相机与真实双目虚拟现实设备或由仿...

本技术公开了一种非导体GDMS辅助测试装置，包括块状待测样品；辅助电极包裹于所述待测样品的外部；多个开孔，贯穿所述辅助电极的表面，所述开孔用于被包裹的待测样品与发射的等离子体相接触。本技术通过辅助电极包裹整块的非导电待测样品，并且在辅助...

本申请提供一种电机以及热管理系统，具体涉及电机技术领域。电机包括壳体、管路组件和转子轴。其中，壳体上设有进油孔和出油孔，进油孔和出油孔均可供冷却油液流通。管路组件连通于进油孔和出油孔。转子轴可转动地安装于壳体，转子轴的周向设有至少一个通...

本发明涉及一种(010)取向β‑Ga2O3单晶薄膜的制备方法，所述方法采用M面蓝宝石衬底，对所述M面蓝宝石衬底进行氩离子刻蚀处理后，采用物理气相沉积工艺在氩离子刻蚀后的M面蓝宝石衬底表面生长(010)取向β‑Ga2O3单晶薄膜。通过氩离...

本发明公开了一种头戴显示器的图像显示方法、构建系统及计算控制单元，应用于图像领域。通过预校正网络模型校正第一待显示图像，提升了第一显示模组所显示的图像的视觉质量，降低了用户看到的图像的几何失真、球面像差和视场曲率等缺陷，从而降低了用户的...

本申请涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件制备方法，用于在玻璃基板上形成通孔。玻璃基板的一侧叠置有硬掩膜层，硬掩膜由高稳定性材料制成，使得硬掩膜层的结构稳定，这样硬掩膜层在干法刻蚀工艺过程中的蚀刻速率较低，硬掩膜层相对于玻璃基板的选...

本申请实施例提供一种光电共封装转接板及光电共封装器件。包括第一基板、第一包覆层、光波导层和第二包覆层，第一基板、第一包覆层、光波导层和第二包覆层依次层叠设置；光波导层用于接收并传输光信号；第二包覆层处设有出光通道；出光通道处设有第一偏轴...

水凝胶微阵列制备装置、方法及类器官细胞团培养方法，它涉及类器官培养技术领域。本申请为解决现有阵列式培养类器官的过程中，培养效率低，一致性差，自动化兼容性低的问题。微阵列装置包括底模、多个上模和多个阵列保持架，底模的上端面水平设置，多个阵...

本申请公开了一种基于异化电极配置的压电微机械超声换能器(pMUT)阵列，属于微机电系统(MEMS)器件技术领域。该压电微机械超声换能器阵列包括若干上下电极模式pMUT和若干共面电极模式pMUT；上下电极模式pMUT和共面电极模式pMUT...

本申请公开了一种压电扬声器及其制备方法，属于半导体技术领域。所述压电扬声器包括：压电结构，包括层叠设置的第一电极、压电层、第二电极和柔性基底；其中，所述压电结构包括围合形成腔体的底部区段和侧壁区段；所述底部区段和所述侧壁区段中的所述第一...

本申请公开了一种高折射率衍射光波导的制备方法及应用，属于光学器件制造与增强现实技术领域。该方法首先利用光刻和刻蚀等CMOS工艺在硅晶圆上制备周期性光栅结构得到光栅母版，随后在光栅结构中填充沉积高折射率多晶或介质材料形成光栅层以将光栅结构...

基质胶包裹类器官脱水机构及其脱胶方法，它涉及生物组织工程技术领域。本申请解决了现有的基质胶包埋法培养类器官的方式存在由于热气体流量不均匀导致无法保证环境恒温，影响类器官活性，以及不同脱水模块中类器官脱水程度不可控，具有脱水时间过长导致类...