【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其是涉及一种半导体结构及其制作方法、电子设备。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，半导体结构的应用越来越广泛。示例性的，非易失性存储器和mems（micro electro mechanical system）传感器（例如压力传感器）中往往需要用到各种半导体结构。
2、半导体结构包括相对设置的第一电极和第二电极，以及设置在第一电极和第二电极之间的介电层。根据需要，介电层的材质可以为铁电材料或者压电材料，例如介电层的材质为具有高介电常数的锆钛酸铅。然而，该介电层难以在较低的温度下成膜，生产受限。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种半导体结构及其制作方法、电子设备，以实现介电层在较低的温度下成膜。
2、第一方面，本申请实施例提供一种半导体结构，包括：
3、第一电极；
4、第二电极，与所述第一电极相对设置；
5、介电层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述介电层的材质包括锆钛酸铅；
6、第一结...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第二结晶促进层，所述第二结晶促进层设置在所述第一电极远离所述第二电极的一侧，用于促进所述第一电极结晶。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二结晶促进层的材质包括氧化锆和钙钛矿中的至少一者。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一结晶促进层的厚度为20nm-200nm；和/或，所述第二结晶促进层的厚度为10nm-1000nm。
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第二结晶促进层，所述第二结晶促进层设置在所述第一电极远离所述第二电极的一侧，用于促进所述第一电极结晶。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二结晶促进层的材质包括氧化锆和钙钛矿中的至少一者。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一结晶促进层的厚度为20nm-200nm；和/或，所述第二结晶促进层的厚度为10nm-1000nm。
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括密着层，所述密着层设置在所述第二结晶促进层和所述第一电极之间。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述密着层的材质包括钛、氧化锆、氧化铱、铬中的至少一种。
7.根据权利要求1-6任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一结晶促进层的材质包括钛酸钡、锆酸锶、铁酸锶和钌酸锶中的至少一者。
8.根据权利要求1-6任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述锆钛酸铅为纯净的锆钛酸铅或者含掺杂剂的锆钛酸铅；
9.根据权利要求1-6任一项所述的半导体...
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