本发明公开了一种宽带模拟预失真器，具体包括：第一三耦合线宽带Marchand巴伦、第一调谐传输线、衰减器、第一移相器、第二调谐传输线、第三调谐传输线、第一隔直电容、肖特基势垒二极管、第二隔直电容、第二移相器、第四调谐传输线、第二三耦合线...

本发明为基于六阶插值小波识别英语短元音O的方法。解决传统小波在分析音频计算量大、精确度差的问题，本发明对待测信号进行三个空间的插值小波变换，得到插值小波系数，并提取奇次列特征系数，小波反变换得到特征空间的小波信号，对该信号进行傅里叶变换...

本发明公开了一种UART串行信号的智能解码方法，先利用大量数据自动识别未知波特率、数据位数、停止位长度以及是否包含奇偶校验位等关键参数的UART协议信号，再根据级联的解码模块对后续UART协议信号进行解码处理，这样通过对UART协议信号...

本发明提供一种集成温度传感器的半导体器件，其包括至少一个元胞。包括正面电极(阴极电极)、背面电极(阳极电极)以及位于两电极之间的半导体单元，包括隔离介质、源区接触、发射区接触、第一基区、发射区栅极结构、第二基区、漂移区、场截止区、集电区...

本发明公开了一种数控控制的流体微分配装置及使用方法，包括液滴进样总成、液滴分配总成和机架，机架的架内底部固定安装有光学平台，光学平台上支撑安装有针头高度位置调节轨道总成和收集器位置调节轨道总成，液滴进样总成安装在机架的顶部，液滴进样总成...

本发明公开了一种基于终端状态的PON结构光总线动态带宽分配方法先对PON结构光总线进行初始化，然后，总线控制器通过内存中记录的各终端的历史调度信息来预测终端接下来的一段时间内是否有消息要发送，从而决定是否对终端进行调度，并按照P2、P1...

本发明提供一种基于声波FMCW的高精度实时人体测距方法，基于感知区域内人体对声波信号的反射，通过提取发射声波与接收声波的互相关包络实现对静止和运动人体的实时测距。将每个周期直射信号的接收时间作为测距起始时间。本发明基于人体运动的连续性，...

本发明涉及电子电路领域，具体涉及一种基于多模谐振器的可重构双通带滤波隔离器，通过第一电源调整第一变容二极管的电容值以调整第一谐振器的低频通带的频率，第二电源调整第二变容二极管的电容值以调整第一谐振器的高频通带的频率，第三电源调整第三变容...

本发明提供一种龙伯透镜及通过打孔来等效龙伯透镜低介电常数的方法，包括步骤：步骤1、设计龙伯透镜，龙伯透镜球体结构从内到外包括依次嵌套的内芯、n层球壳层和一层反射层，从内至外每层球壳层的介电常数在2.0～1.0的区间逐渐减小，反射层为金属...

本发明属于医学图像处理技术领域，具体提供一种基于MS‑UNet模型的超声图像分割方法，创造性的引入了多尺度扩张和深度可分离卷积块和多尺度输入结构；编码端多尺度扩张和深度可分离卷积块可以有效减小相邻像素信息的重用，而且可以捕获远程像素间的...

本发明公开了一种CdZnTeSe晶片的退火装置，属于晶体热处理技术领域。该装置包括加热炉、升降装置、石英安瓿、石英塞、石英固定圆盘、四个内石英坩埚、两个石英棒，镉源；其中，加热炉内的中部温区设置为梯度温度，石英安瓿通过升降装置在加热炉内...

本发明提供一种应用于毫米波探测的Ka/V波段双频锥状天线，包括上半部分的方型金属结构、下半部分的方型金属结构、同轴波导、开口圆波导和馈电网络；开口圆波导为主要辐射部分，通过同轴波导过渡到开口圆波导，使开口圆波导工作在TM模式，以产生径向...

本发明公开了一种基于深度学习和微波数据的热带气旋定强方法，属于气象遥感技术领域。本发明通过将卫星微波数据反演合成了热带气旋暖核三维数据，充分还原了热带气旋的三维结构特征，从而能够实现除使用数据的温度值大小与强度建立关系外，还能通过三维结...

本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有双层浮空场板和集电极自适应PMOS的SOI LIGBT。相比传统结构，本发明在集电极端引入自适应PMOS结构，漂移区表面采用双层的间断的浮空场板。正向导通时，集电极端PMOS沟道关闭，集电极...

本发明提供一种具有双层场板的双沟槽SGT器件及制备方法，包括N+衬底、金属化漏极、N‑漂移区、金属化源极、屏蔽栅沟槽、控制栅沟槽、N+源区、P+重掺杂区、P型体区；本发明所提供的SGT结构具有双层场板结构，整体电场形状更接近矩形，优化导...

本发明公开一种双信标光电融合太赫兹通信跟瞄系统及方法，涉及太赫兹通信技术领域，解决现有技术无法实现在太赫兹通信领域的实时跟踪调整保证太赫兹通信系统在移动过程中仍保持稳定通信的技术问题；本发明包括一种双信标光电融合太赫兹通信跟瞄系统，发射...

本发明提供了一种可正反面激发的柔性弯曲薄膜时间分辨光致发光测试装置及方法，属于柔性半导体薄膜技术领域，具体为：设计制造不同弯曲半径的弯曲测试夹具；将待测的柔性薄膜弯曲放入弯曲测试夹具，通过夹具两翼固定槽固定薄膜，通过夹具贴合面实现固定弯...

本发明提供了一种屏蔽栅功率MOSFET器件，通过生长氧化层，再刻蚀，形成槽结构，采用多次外延和离子注入的方式形成了沟槽底部被第二导电类型掺杂区所包围的结构，同时将第二导电类型掺杂区引出，通过与屏蔽栅相连或者与第二导电类型阱区相连，消除了...

本发明的目的在于提供一种基于扇形谐振腔的微波表面电阻测试系统及测试方法，属于微波测试技术领域。本发明创新性地采用扇形谐振腔，通过设定扇形圆心角度，使其工作于TE<subgt;0n1</subgt;模式，因为TE0n1模式只有...

本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有双层浮空场板和集成MOS自适应控制的SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成2个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离，在漂移区表面采用间断的双层浮空场板。正向导通时...