一种基于添零方式的ＣＩ－ＯＦＤＭ通信方法，属于通信技术领域。传统的ＣＩ－ＯＦＤＭ系统在添加保护间隔时采用循环前缀（Ｃｙｃｌｉｃ?Ｐｒｅｆｉｘ，ＣＰ）方式来消除符号间干扰，而在接收端移去了循环前缀的数据，但这种处理方式将导致一部分接收信息...

本发明公开了一种低阻高ＴＣＲ非晶硅薄膜电阻结构及其制备方法，包括玻璃衬底１、非晶硅薄膜２、矩形电极３，先在玻璃衬底１上沉积非晶硅薄膜２，随后在非晶硅薄膜２上制备矩形电极３，电极结构分布如同形成形状像两只手的手指交叉状，即叉指状，形成一个...

一种二氧化锡和氧化锰的复合蓝光发光材料的制备方法，属于电子材料技术领域，涉及无机发光材料。本发明采用氨水和可溶性无机氧化锡与可溶性无机氧化锰在混合溶液下产生的水解反应，生成均匀、棕褐色的氢氧化锡和氢氧化锰的复合溶胶；然后采用水热反应得到...

一种具有阶梯状缓冲层结构的ＭＥＳＦＥＴ，属于功率半导体器件技术领域。该器件通过刻蚀外延缓冲层，使缓冲层呈现阶梯状，进而使得在缓冲层上外延生长的有源层具有变化的沟道厚度。所述缓冲层厚度最大的部分出现在栅电极正下方，而栅电极两侧下方的缓冲层...

本发明涉及锁离合状态采集电路的控制方法。当集成锁离合状态采集电路的射频识别电子标签或采用锁离合状态采集电路的射频识别装置处于射频识别场内时，其控制方法包括步骤：步骤（ａ）：射频识别电子标签或射频识别装置进入射频识别场，射频识别电子标签的...

本发明涉及锁离合状态采集电路及采用该锁离合状态采集电路的射频识别装置。锁离合状态采集电路包括锁离合信号开关（Ｓ１）、第一电阻（Ｒ１）、第二电阻（Ｒ２）、第三电阻（Ｒ２）、第四电阻（Ｒ４）、ＰＭＯＳ管（Ｔ１）、三极管（Ｔ２）、第五ＮＭＯＳ...

本发明涉及锁离合状态采集电路及集成该锁离合状态采集电路的射频识别电子标签。包括开关（Ｓ１）、第一ＮＭＯＳ管（ＭＲ１）、第二ＮＭＯＳ管（ＭＲ２）、第三ＮＭＯＳ管（ＭＲ３）、第四ＮＭＯＳ管（ＭＲ４）、ＰＭＯＳ管（Ｔ１）、三极管（Ｔ２）、第五...

该发明属于单载波频域均衡（ＳＣ－ＦＤＥ）传输技术中的过采样接收方法。包括：对接收到的发射信号进行滤波处理，以所发符号频率２－６倍的整数倍进行过采样，去除循环前缀，时频变换处理，信道均衡，频时变换处理及信号解调还原为比特信号。该发明针对发...

本实用新型属于射频通信及微电子机械技术中一种绕轴芯线扭转振动的射频微机电式谐振器，包括在顶层设有圆柱形凹槽的抗干扰绝缘层及接地电容上极板、电介层、接地电容下极板、底板的基板，含输入端和输出端的驱动电极，设于圆柱形凹槽底部的偏置电极及设于...

一种叠层片式滤波器及其制备方法，属于电子元器件技术领域。该滤波器由叠层片式电容和叠层片式磁芯电感复合而成；所述叠层片式磁芯电感由多层表面印刷了导体线的铁氧体膜片层叠烧结而成；所述叠层片式电容包括的端电极与地电极之间是复合介质材料，所述复...

一种聚芳醚腈和三氧化二铝复合的绝缘导热材料及其制备方法，属于绝缘导热高分子材料领域。所述绝缘导热材料包括４０～７０％质量份数的聚芳醚腈和３０～６０％质量份数的三氧化二铝；所述三氧化二铝的目数在６５０～７０００目之间，且表面包裹有含有机链...

该发明属于合成孔径雷达（ＳＡＲ）无模糊多普勒中心频率测定方法，包括：距离向脉冲压缩，获取初始斜率，频域、时域转换并获取序列的波形熵，确定最小波形熵，确定无模糊多普勒中心频率。该发明利用合成孔径雷达回波在距离时间、方位时间域的几何特征及移...

本发明提供了一种在ＭＩＭＯ通信系统定位中的角度估计方法，属于电子技术领域，通过最小均方误差（ＭＭＳＥ）算法估计信道冲激响应后，再通过计算不同发射天线到同一接收天线（或同一发射天线到不同接收天线）的信道冲激响应的相位差得到信道出射（或入射...

本发明公开了ＳＲＡＭ型ＦＰＧＡ数字时序电路在线检测容错系统及方法。本发明中被检测容错的时序电路分割为组合逻辑和时序逻辑，分别先后对组合逻辑和时序逻辑进行三模冗余和多数表决掩盖故障，得到冗余时序电路；冗余时序电路在物理结构上分为三个独立的...

本发明提供了一种基于视觉认知的功率控制方法。首先，基站获取无线信道的视觉场景信息，然后对获得的图像信息进行目标图意的识别提取，得到信道环境的功率损耗，并根据功率损耗实时的对移动台用户进行功率控制。采用本发明的方法，可以提前调整功率以适应...

一种Ｖ型微带曲折线慢波结构，属于微波真空电子技术领域，涉及行波管放大器件。包括由金属底板（３）、介质层（２）和平面金属线（１）形成的微带传输线结构；其特征在于，所述介质层（２）位于金属底板（３）与平面金属线（１）之间；所述平面金属线（１...

一种有源钳位同步整流正激变换器，属于电子技术领域。该变换器包括直流输入电源、输入电容、主变压器Ｔ１、同步整流电路、滤波电路、电压采样电路、光耦反馈电路、ＰＷＭ控制电路和有源钳位电路；所述同步整流电路由整流管及其驱动电路和续流管及其驱动电...

一种集成微带环行器，属于电子技术领域。包括微波介质基片上的金属底电极、纳米线铁磁复合介质、绝缘层和微带环行器Ｙ结；所述纳米线铁磁复合介质由铁磁金属纳米线和三氧化二铝复合而成，其中三氧化二铝具有纳米级多孔结构，而铁磁金属纳米线是经电镀工艺...

次级电流采样的电流型多路输出ＤＣ－ＤＣ开关电源，属于电子技术领域。该开关电源主变压器Ｔ１次级侧至少包括两路输出电路，在对其中一路输出电路的输出电压进行电压采样的同时，在该输出电路的整流续流电路和与该输出电路相连的主变压器Ｔ１的次级绕组之...

含芳醚腈链段的双酚Ａ型双邻苯二甲腈树脂、固化物及其制备方法，属于高分子材料领域。本发明以双酚Ａ与２，６－二氯苯腈为原料进行亲核取代反应，以无水碳酸钾或无水碳酸钠为催化剂，在强极性溶剂／甲苯混合液中形成一种羟基封端的双酚Ａ型低聚物中间体，...