本发明公开了一种基于可控硅的功率调节装置，根据需要的功率，调节导通角α，使其在０－π范围内变化，即可实现输出电压在第二级电压与第一级电压范围内的连续调节。本发明基于可控硅的功率调节装置在实现负载电压值连续可调的同时还减小了系统震荡。通过...

本发明公开了一种红外焦平面读出电路及其方法，其中电路包括两组列选控制器（２００），一组行选控制器（１０３），一组列读出级电路（４００），两个输出缓冲级（１０３）和一个输出时序控制器（３００）；方法包括信号输出频率超过门限时，输出时序控制...

本发明公开了一种红外焦平面阵列的行选通电路，包括行选控制信号发生器及其控制连接的分别位于每个像素单元（Ｒｓ）两端、各自对应的二个选通开关，其特征在于：红外焦平面阵列每列中第２Ｋ和２Ｋ＋１个像素单元共同连接一个一侧选通开关、而第２Ｋ－１和...

本发明公开了一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①清洗衬底，吹干后备用；②利用化学气相沉积系统、弧光放电系统、激光烧蚀沉积系统反应器当中的一种，通过金属催化剂诱导，在清洁衬底的表面直接反应生长网状、或交...

本发明公开了一种有机／无机复合发光二极管，包括：衬底；位于衬底表面的第一电极层；位于第一电极层上的功能层；位于该功能层上面形成的第二电极。该功能层至少包含有电子传输层、发光层和空穴传输层。该发光层至少包含一个无机量子点发光层，所述量子点...

本发明公开了一种固体钽电解电容器，包括钽阳极体、位于钽阳极体表面的Ｔａ２Ｏ５（五氧化二钽）电介质被膜、位于Ｔａ２Ｏ５电介质被膜上的导电层、在导电层上被覆的石墨层和银涂层，其特征在于，所述导电层为长度方向垂直于钽阳极体表面的碳纳米管阵列和...

本发明公开了一种固体钽电解电容器，包括钽阳极体、位于钽阳极体表面的Ｔａ２Ｏ５电介质被膜、位于Ｔａ２Ｏ５电介质被膜上的导电层、在导电层上被覆的石墨层和银涂层，其特征在于，所述导电层为复合碳纳米管和导电高分子材料的混合体系，所述复合碳纳米管...

本发明公开了一种固体钽电解电容器，包括钽阳极体、位于钽阳极体表面的Ｔａ２Ｏ５电介质被膜、位于Ｔａ２Ｏ５电介质被膜上的导电层、在导电层上被覆的石墨层和银涂层，其特征在于，所述导电层为导电高分子层、ＺｎＯ种子层和ＺｎＯ纳米线阵列层的组合层，...

本发明公开了一种固体钽电解电容器，包括钽阳极体、位于钽阳极体表面的Ｔａ２Ｏ５电介质被膜、位于Ｔａ２Ｏ５电介质被膜上的导电层、在导电层上被覆的石墨层和银涂层，其特征在于，所述导电层是掺杂了磁性碳纳米管且磁性碳纳米管的长度方向垂直于钽阳极体...

本发明公开了一种固体钽电解电容器，包括钽阳极体、位于钽阳极体表面的Ｒａ２Ｏ５电介质被膜、位于Ｔａ２Ｏ５电介质被膜上的导电层、在导电层上被覆的石墨层和银涂层，其特征在于，所述导电层为复合碳纳米管和导电高分子材料的混合体系，所述复合碳纳米管...

本发明公开了一种固体钽电解电容器，包括钽阳极体、位于钽阳极体表面的Ｔａ２Ｏ５电介质被膜、位于Ｔａ２Ｏ５电介质被膜上的导电层、在导电层上被覆的石墨层和银涂层，其特征在于，所述导电层为复合碳纳米管和导电高分子材料的混合体系，所述复合碳纳米管...

本发明涉及一种基于能量扩展的迭代抗多音干扰通信方法。所述通信方法包括发射过程（１）、多音干扰及背景噪声产生过程（２）和接收过程（３），所述接收过程（３）包括步骤：（３１）．串并转换；（３２）．提取多音干扰信号；（３３）．重构多音干扰信号...

本实用新型涉及一种空间行波管收集极辐射散热器。包括一个金属套筒和位于金属套筒外表面的至少两个金属翼片，其特征在于，所述金属翼片具有至少一个开槽，开槽后的金属翼片的表面积不少于开槽前的金属翼片的表面积。本实用新型的有益效果：由于对空间行波...

本发明制备应变沟道ＣＭＯＳ的等效应变记忆方法是涉及集成电路的制作，特别是通过等效应变记忆方法引入的应变技术，分别为互补金属氧化物半导体场效应晶体管ＣＭＯＳ中的ＮＦＥＴ与ＰＦＥＴ器件提供张应变与压应变。该发明提供的记忆方法是通过表面剪切应...

本发明公开了一种体硅刻蚀和金硅键合复合工艺方法，包括以下步骤：首先在第一硅片上形成金的掩模图形，然后利用金掩模对第一硅片进行干法刻蚀或者湿法腐蚀，形成体硅微结构，最后将第二硅片置于上述已形成图形结构的第一硅片上，进行金硅键合。本发明巧妙...

本发明公开了一种黑硅ＭＳＭ光电探测器，包括单晶硅衬底，其特征在于，在所述单晶硅衬底表面设置有作为光敏区的黑硅薄膜层，在所述黑硅薄膜层设有叉指电极，叉指电极下方设有势垒层，在没有设置叉指电极的区域设置有钝化层。该器件具有宽的光谱响应范围和...

本发明公开了一种将非认证密钥交换协议转化为认证的密钥交换协议的方法，采用数字签名方式，设ＤＳｉｇ＝（Ｇｅｎ，Ｓｉｇ，Ｖｅｒ）为一个标准的数字签名算法，其中Ｇｅｎ是密钥生成算法，Ｓｉｇ是签名算法，Ｖｅｒ是签名验证算法，Ｇｅｎ为用户Ｕｉ产生...

本发明公开了一种光电二极管，包括导电基板或者衬底，阴极层、阳极层、Ｎ型ＺｎＯ形成层和有机光活化层，其特征在于，所述Ｎ型ＺｎＯ形成层包括ＺｎＯ种子层和ＺｎＯ竖直排列纳米线阵列，所述阴极层设置在导电基板或衬底表面，所述ＺｎＯ种子层设置在阴极...

本发明公开了一种电极材料，是采用金属钒薄膜作为与氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜接触的引出电极，并将该种材料用作基于氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜的探测器、传感器、光开关等器件的电极材料。金属钒薄膜的热导率仅为ＮｉＣｒ的三分之一，这有利于降低像素单元...

本发明公开了一种机械可调π相移周期结构带通滤波方法及采用该方法的带通滤波器。它包括一个π相移的周期性的施力装置以及光纤。施力装置由周期结构的夹持底板与夹持盖板组成，光纤放入所述的夹持底板的Ｖ形齿状结构中，夹持盖板与所述的放置光纤的夹持底...