多层介质波导调制器设计，属于光通信技术领域，涉及集成光学和光波导技术。利用具有较低介电常数和较高电光系数的有机聚合物设计脊型光波导结构，并且满足单模传输条件。本发明运用惠勒变换方法，在传统的聚合物调制器电极上方添加介质层以形成一种多层介...

该发明属于单载波无线通信系统中的接收处理方法，包括：对接收到的发射信号进行下变频处理，Ａ／Ｄ转换，去循环前缀，ＦＦＴ处理，信道估计，线性均衡，解调处理，译码处理及其后的解调。该发明在接收端进行线性均衡处理后、直接解调，然后再进行含比特对...

本发明涉及用于汽车后桥或主减速器总成驱动试验的十字滑块联轴器，包括第一半联轴器、第二半联轴器和两者之间的中间十字滑块，所述第一半联轴器、中间十字滑块和第二半联轴器上均具有中心孔，所述第一半联轴器上的中心孔用于插装连接驱动装置的驱动轴，所...

具有多泄放通道可控自钳位ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ复合横向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件集成于同一Ｐ型衬底上，二者采用共用阳极结构；其中的ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件完成对...

具有多泄放通道可控自钳位ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ复合纵向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件集成于同一Ｐ型衬底上，二者采用共用阳极结构；其中的ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件完成对...

本发明涉及一种Ｐ型Ｍｎ－Ｓｉ基硅化物热电材料的制备方法。所述的Ｐ型热电材料是以Ｍｎ、Ｓｉ的块材为基本组成，Ｒｅ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ元素为取代元素，通过感应悬浮熔炼、球磨和真空热压的方法制备而成。所述的Ｐ型热电材料具有较高的热电优值ＺＴ，最...

本发明公开了一种异常呼叫的检测方法，设置粗检门限时间，若用户的一个话路空闲时长和一个相邻的话路占用时长之和大于粗检门限时间，则对于该被叫号码不存在异常呼叫。同时，在本发明中，还利用粗检测哈希表来对呼叫信令数据进行处理，当一直未出现用户的...

本发明公开了一种基于多名单的异常呼叫过滤方法，采用基于白名单、灰名单以及黑名单的多名单匹配过滤，能够及时中断异常呼叫，并快速为合法用户，即正常呼叫建立连接。此外，本发明还采用灰名单状态处理机制，实现灰名单内状态的自动更新。同时，基于多名...

本发明公开了一种认知无线网络中的双门限合作感知方法，通过以下步骤：１、本地压缩感知恢复信号，在本发明中，通过压缩感知将整个宽带频谱恢复出来，这样可以使用低速率Ａ／Ｄ转换器，从而降低了硬件要求。２、确定子频带，将压缩感知恢复出来的宽带频谱...

本发明公开了一种Ａｄ?Ｈｏｃ网络环境下的多路径路由方法，在Ａｄ?Ｈｏｃ网络现有的加入累积时延参数选择路径保证端到端时延的方法的基础上，提出了一种新的多路径路由方法来提供ＱｏＳ保障。该路由方法包括两部分：１、将累积时延作为选择路径的接入控...

本发明公开了一种合作频谱感知中认知用户节点的选择方法，通过各认知用户节点进行本地感知，获得主用户不存在和存在时本地检测能量然后计算出对主用户节点存在与不存在的信任度函数值，发送到簇头节点；簇头节点计算各认知用户节点两两之间的关于主用户节...

本发明公开了一种基于软件无线电的通信系统终端设备，由物理层处理模块、上层处理模块和通用接口模块组成。物理层处理模块的基带处理模块实现物理层信号的基带和中频的处理，射频收发模块根据配置的不同通信协议和标准，选择不同的射频收发模块，以实现射...

本发明公开了一种认知网络中的功率控制方法首先将主用户所能承受的最大干扰功率值Ｉｍａｘ融入功率控制方法当中，使得干扰温度能够直接影响效用函数ｕｊ（ｐｊ，ｐ－ｊ）中代价系数的变化，进而影响到整个效用函数ｕｊ（ｐｊ，ｐ－ｊ），然后，通过迭代计...

本发明针对３ＧＰＰ?ＬＴＥ下行系统，提出了一种３ＧＰＰ?ＬＴＥ下行系统中基于导频信号的信道估计方法，采用时频二维联合维纳迭代滤波的信道估计方法，该方法基于线性最小均方误差（Ｌｉｎｅａｒ?Ｍｉｎｉｍｕｍ?Ｍｅａｎ－Ｓｑｕａｒｅ?Ｅｒｒｏｒ...

本发明公开了一种认知网络中基于压缩感知的宽带信号分离方法，由于很多宽带信号可能是稀疏的，以奈奎斯特速率进行采样需要很多采样点数。因此，本发明提出了三步法来分离宽带信号，第一步先进行压缩感知重构主用户信号ｒｊ（ｔ），得到恢复信号第二步对恢...

一种氧化锰表面改性的氧化锌纳米棒材的制备方法，属于无机功能材料技术领域。本发明首先利用氢氧化钠与醋酸锌和醋酸锰混合水溶液的络合反应，生成氢氧化锌和氢氧化锰的复合溶胶；然后将复合溶胶体系转入水热釜中，利于水热反应直接制备氧化锌纳米棒材的同...

一种氧化硅基半导体纳米薄膜的制备方法，属于无机化学材料技术领域。该方法将经水热晶化发制备的半导体无机氧化物纳米颗粒分散到氧化硅溶胶中，再采用旋涂法或提拉法镀膜得到氧化硅基半导体纳米薄膜。该方法操作简单、成本低廉，适合于大规模生产；所制备...

一种可控自钳位ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ复合横向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件集成于同一Ｐ型衬底上，二者采用共用阳极结构，其中所述ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件的控制电极与共...

一种薄层ＳＯＩ复合功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在单片ＳＯＩ衬底上至少集成了一个高压ＰＭＯＳ器件、一个高压ＮＭＯＳ器件和一个低压ＣＭＯＳ晶体管。所述高压ＰＭＯＳ器件和高压ＮＭＯＳ器件表面具有在宽度方向上交错排列的ｐ型杂质表...

一种可控自钳位ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ复合纵向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件集成于同一Ｐ型衬底上，二者采用共用阳极（或共用金属阳极）结构，其中所述ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ...