本发明公开了一种基于RSRP的流量卸载方法，包括以下步骤：S1：初始化，生成网络部署图：生成基站、用户，产生宏小区用户和微微小区用户；S2：对异构网络的频率资源进行部分复用；S3：建立负载表和用户接收的参考信号接收功率表；S4：选择满足...

本发明公开了一种集成度较高、可靠性较好的三维集成固体继电器。该三维集成固体继电器，包括集成于同一衬底上的光电池阵列、控制电路和输出端功率半导体器件，所述控制电路和输出端功率半导体器件集成在衬底的正面，光电池阵列集成在衬底的背面，所述光电...

本发明公开了一种方向图具有多种可重构特性的天线。其特点是采用电容耦合馈电方式，通过控制加载在贴片天线与接地金属条之间的PIN二极管，控制金属贴片成为辐射单元或地，从而使天线获得全向扫描或水平全向辐射特性。该天线包括辐射单元、底座和馈电网...

本发明公开了一种具有任意功分比和相位输出特性的三端口微带功分器，其涉及微波技术领域。该微带功分器具有输入端口、第一输出端口和第二输出端口，包括八条传输线；输入端口和第一输出端口间的传输线串联有集总元件，输入端口和第二输出端口间的传输线并...

本发明公开了一种小型化基片集成波导双工器，包括从上向下依次层叠的第一金属覆铜层、第一介质层、第二金属覆铜层、第二介质层、第三金属覆铜层、第三介质层、第四金属覆铜层，由金属化通孔阵列围成双模谐振腔与三角形谐振腔，双模谐振腔与三角形谐振腔通...

本发明成功实现一种适于生产的制备高倍率性能、高循环寿命锂离子负极材料钛酸锂的制备方法。该方法将一定比例的锂源和钛源进行球磨混料，混料后得到前驱体粉末置于高温炉中烧结，即可得到两相共存的钛酸锂(Li4Ti5O12-Li2TiO3)复合材料...

本发明公开了一种以Bi2Se3薄膜为接触层的硅肖特基结及制备方法，硅肖特基结包括Si基片，所述Si基片的上部设有Bi2Se3肖特基接触层，Si基片的底部设有欧姆接触背电极，所述Bi2Se3肖特基接触层上设有欧姆接触电极，Bi2Se3肖特...

本发明公开了一种基于区域相关信息熵的图像分割质量评价方法，基于图像分割的本质，从区域之间的异质性角度，引入非线性的区域相关信息熵作为评价测度，通过对各个图像分割算法针对相同目标图像得到的图像分割结果，即各个图像区域，计算区域间的非线性相...

本发明属于一种具有缓蚀效果的铜基材酸洗液，涉及印制电路板制造中电镀铜前酸洗/微蚀处理工艺，具体地说是用以防止印制电路板面的铜及其制品在酸洗/微蚀过程中酸介质对铜金属的过腐蚀的一种具有缓蚀效果的铜基材酸洗液。本发明针对常用铜基材酸洗液中缓...

本实用新型公开了一种基于ZigBee的生产在线监控装置，其特征在于：分为上位机生产管理系统、ZigBee路由管理系统和内嵌主动型电子标签的数据采集系统三大模块；所述内嵌主动型电子标签的数据采集系统包括微处理器、ZigBee主动型电子标签...

本实用新型公开了一种基于CAN总线的智能数据采集监控装置，其特征在于：包括外壳和内部的控制部分；MCU单元与点阵液晶模块连接，MCU单元还与日历时钟模块、键盘模块连接，所述脉冲信号输入模块与MCU单元连接，所述MCU单元还与CAN通信模...

本发明公开了一种印制电路内层可靠孔和线的加工方法。该加工方法先将内层双面覆铜板的面铜减薄且钻出所需导通孔，然后进行化学镀铜及快速电镀铜；接着运用图形转移技术将所需线路及导通孔露出，并进行图形电镀处理形成导电加厚层；再进行丝网印刷环氧树脂...

本发明公开了一种多用户MIMO广播信道的连续预编码和用户选择联合算法，将所有未选择用户的预编码向量到所有已选择用户的预编码向量构成的正交补空间的归一化投影向量作为用户新的预编码向量，根据每个用户的信号与干扰加噪声比进行用户选择，每次选择...

本发明公开了一种联合信道估计的部分传输序列相位盲检测方法，在发送端对每个数据符号进行部分传输序列处理，根据得到的相位辅助信息构成相位序列，将相位序列与导频符号相乘使导频信号携带相位辅助信息；在接收端，通过遍历所有由相位因子得到的备选信号...

本发明公开了一种基于XEN平台桌面协议的隔离方法，属于信息安全领域，包括以下步骤：S1，截获VNC协议的图像数据；S2，对截获的图像数据进行加密；S3，对VNC客户端接收到的数据进行解密。本发明的有益效果如下：由于XEN默认提供的桌面协...

本发明涉及电子电路及半导体技术，具体的说是涉及一种可编程浪涌保护电路及其制造方法。本发明所述的一种浪涌保护电路，由2只第一种导电类型的MOSFET、2只第二种导电类型的MOSFET、2只第一种导电类型的门极晶闸管和2只第二种导电类型的门...

一种RC-IGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统RC-IGBT器件结构的基础上，在N+集电极短路区11与N型电场阻止层8之间引入P型阱区12，并采用隔离介质13使得N型电场阻止层8与P型阱区12二者与金属集电...

一种逆导型IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明利用变组分的混合晶体来制作IGBT的集电区，形成禁带宽度渐变的能带结构。在集电区与漂移区交界处具有较小的禁带宽度，降低了集电区与漂移区的内建电势，缓解snap-back现象；同时...

本发明涉及集成电路技术。本发明针对现有的一阶线性补偿基准电压源温度系数较大和电源电压输入范围较窄的问题，公开了一种宽输入范围超低温漂带隙基准电压源。本发明的技术方案是，一种宽输入范围超低温漂带隙基准电压源，其特征在于，包括电源调整电路、...

本发明涉及集成电路设计领域，特别涉及一种基于阈值电压和热电压的纯CMOS基准电压源。本发明公开了一种基于阈值电压和热电压的基准电压源。本发明的技术方案是，基于热电压和阈值电压的基准电压源，由12个NMOS管和14个PMOS管构成。本发明...