【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种浪涌保护电路，其特征在于，包括2只第一种导电类型的MOSFET、2只第二种导电类型的MOSFET、2只第一种导电类型的门极晶闸管和2只第二种导电类型的门极晶闸管，所述2只第一种导电类型的MOSFET的栅极短接引出第一电极GN、源极分别与2只第二种导电类型的门极晶闸管的门极短接，所述2只第二种导电类型的门极晶闸管的阳极短接，所述2只第二种导电类型的MOSFET的栅极短接引出第二电极GP、源极分别与2只第一种导电类型的门极晶闸管的门极短接，所述2只第一种导电类型的门极晶闸管的阴极短接，所述第一种导电类型的门极晶闸管的阳极短接引出第三电极TIP，所述1只第二种导电类型的门极晶闸管的阴极和1只第一种导电类型的门极晶闸管的阳极短接引出第三电极TIP，所述另1只第二种导电类型的门极晶闸管的阴极和另1只第一种导电类型的门极晶闸管的阳极短接引出第四电极RING，所述第一种导电类型的MOSFET的漏极、第二种导电类型的MOSFET的漏极、第一种导电类型的门极晶闸管的阴极、第二种导电类型的门极晶闸管的阳极短接形成电极GND。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李泽宏，邹有彪，刘建，宋文龙，宋洵奕，张金平，任敏，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。