一种同步矢量处理机ＳＶＰ，具有多个构造成一个线性阵列的１位处理单元。处理单元都由一定序器、一状态机器或控制电路控制来启动操作，形成一并行处理装置。每一处理单元包括一组输入寄存器、两组寄存器文件、一组工作寄存器、一个包括一１位全加／减器的...

本发明揭示了一种用作为带有延滞的ＴＴＬ电平ＣＭＯＳ输入缓冲器的电路。第一导电类型的第一晶体管（２）的源极连到一第一参考电压。相反导电类型的第二、第三晶体管（３、４）的源漏路径串联在第一晶体管的漏极和一公共电位之间。第一、二、三晶体管的栅...

一种半导体结构在半导体岛区（５４）和隔离内层（５０）之间具有渡越厚度小于１５００埃的高清晰度界面．为了生成这种结构，在复合外延层（５４）和Ｎ＋［＋］．内层（５０）上开槽（６２）．内层（５０）被在高压和低温条件下阳极化和氧化处理，以减少Ｎ...

一种在半导体基片的表面上生成的双极晶体管，它包括一个在所述半导体的部分发射极—基极区域里生成的第一种导电型的含杂质基极，在含杂质基极上面生成一导电的基极接触层．它具有在其侧壁上面生成的一不导电的隔离层．在发射极－－基极区域里一无杂质基极...

制备隔离的半导体材料岛的方法．在Ｎ型硅基片１０上均匀生长了重掺杂的厚度在０．５－５微米间的Ｎ＋［＋］材料的外延层３４在其上生长轻掺杂的Ｎ－外延层１４，通过该层蚀刻出槽２４，２６并视第一层的厚度来决定使槽进入重掺杂Ｎ＋［＋］层还是下层基片...

同时制作双极型和ＣＭＯＳ晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，结合步骤形成ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅步骤。多晶硅被重掺杂以形成ＭＯＳ晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至...

一种半导体存储器件结构，利用该结构，给定数量的分立元件能提供一容器增大的存储器模块。存储器模块５０包括多个分立的存储器电路５２，每一电路组织成提供字长为４位的整数倍的独立数据串。存储器电路５２安排成提供一字长为各单个数据串字长之和的组合...

一种装置，它包括一含有一电极（３８ａ、３８ｂ）及电极和一可单独偏移的元件（３２）之间的间隙的微型机械开关，上述偏移元件（３２）有一连在它下面的垂直光闸（４０），当电极被寻址时，可偏移元件（３２）的运动引起光闸升高或降低。这样一种装置可起...