本发明提供基于电子射线或紫外线的激发而在紫外线区域２００～３００ｎｍ内进行高水平的发光的氧化物发光体。该发光体是由包含异种金属元素或准金属元素的周期表第２Ａ族元素的氧化物构成的、基于电子射线或紫外线的激发而在紫外线区域２００～３００ｎｍ...

本发明提供立方体状且平均粒径大的氧化镁粉末及其制法。该氧化镁粉末用扫描型电子显微镜观察到的粒子形状为立方体状，并且由激光衍射散射式粒度分布测定得到的累积５０％粒径（Ｄ↓［５０］）为１．０μｍ以上。该粉末可通过将氧化镁前体在相对于该前体的...

本发明提供一种氢氧化镁粒子及其制法以及包含该粒子的树脂组合物。本发明的目的在于提供一种阻燃性优异且对树脂的填充性良好、并且作为半导体封装用树脂的填充剂非常有用的氢氧化镁阻燃剂以及低成本地制造该阻燃剂的方法。一种氢氧化镁阻燃剂，其特征在于...

本发明提供一种含磷包覆氧化镁粉末的制造方法以及含该粉末的树脂组合物。该含磷包覆氧化镁粉末的特征在于：在具有由复氧化物形成的表面包覆层的包覆氧化镁粉末表面的至少一部分上，进一步具有由磷酸镁系化合物形成的包覆层，且上述磷酸镁系化合物对上述包...

一种单晶氧化镁烧结体，其特征在于，其为氧化镁中的杂质总计在３质量％以下的单晶氧化镁烧结体，烧结体具有５０％以上且不足９０％的相对密度，并且含有粒径在２００μｍ以上的颗粒。

一种单晶ＭｇＯ蒸镀材料，其作为靶材用于使用以电子束蒸镀法为首的真空蒸镀法在基板上形成ＭｇＯ膜，其中，该单晶ＭｇＯ蒸镀材料防止产生喷溅，提高优异的膜特性例如用作ＰＤＰ用保护膜时的放电特性等而未减小蒸镀时的成膜速度。一种氧化镁（２００）面的...

一种结晶性被控制的氧化镁单晶以及使用该单晶的基板，该结晶性被控制的氧化镁单晶具有亚晶界，并且同一亚晶界中的利用倒易点阵图测定所得到的衍射线位置的变动幅度为：△ω座标的变动幅度为１×１０↑［－３］～２×１０↑［－２］度，并且２θ座标的变动...

本发明提供一种单晶ＭｇＯ，其用于得到氧化镁（ＭｇＯ）单晶蒸镀材料，该蒸镀材料在通过电子束蒸镀法等蒸镀时，可防止发生飞溅而不降低蒸镀时的成膜速度；以及提供一种单晶ＭｇＯ，其用于得到单晶ＭｇＯ基板，该基板可形成例如超导特性优异的超导体薄膜。...

本发明是以提供，通过控制粒子凝集结构来适当控制氧化镁与表面ＳｉＯ＃－［２］薄膜的固相－固相反应的氧化镁粒子聚集物为课题。此课题是由，对粒子累积微孔容积曲线，第一拐点径在０．３０×１０＃＋［－６］ｍ以下、粒子间空隙量在１．４０×１０＃＋［...

提供一种氧化镁微粒聚集体，其特征在于，在微粒的累积微孔容积曲线中，第一拐点直径为大于０．３０×１０＃＋［－６］ｍ而０．６０×１０＃＋［－６］ｍ以下或微粒间空隙量为大于０．８０×１０＃＋［－３］而小于１．４０×１０＃＋［－３］ｍ＃＋［３］...

本发明提供一种单晶ＭｇＯ蒸镀材料，其作为一种靶材使用，该靶材用于使用以电子束蒸镀法为首的真空蒸镀法在基板上形成ＭｇＯ膜。该蒸镀材料不降低蒸镀时的成膜速度，可防止产生飞溅，并且可提高优异的膜特性，例如作为ＰＤＰ用保护膜使用时的放电特性等。...

一种球状包覆氧化镁粉末，其特征在于，其表面以复合氧化物包覆，且平均形状系数为１．２５或其以下。