本申请涉及功率半导体测试装置的领域，具体公开了一种功率半导体器件大电流测试座装置，其固定板，固定板上安装有测试座，测试座上开设有用于插接功率半导体的插接槽，插接槽底部设置有多个用于检测功率半导体的检测探针，测试座上转动连接有翻转板，翻转...

本申请涉及电源技术领域，尤其是涉及一种高压电源，包括壳体、盖设在壳体上的盖板、设置在壳体内壁上的高压球管和设置在高压球管外壁上的若干个卡箍，还包括，支座，支座固定在壳体的内壁上，支座的侧壁上开设有定位孔，高压球管的端部与定位孔过盈配合，...

本申请实施例提供一种电流源的控制电路及其电流源，涉及电气领域

本申请涉及半导体测试技术领域，尤其是涉及一种半导体测试快速自锁定位装置，其包括定位导向座

本申请涉及半导体检测领域，公开了一种半导体器件的

本发明公开了半导体功率模块漏电流测试电路

本申请涉及半导体测试的领域，公开了一种半导体器件阈值电压的检测方法及系统，该检测方法包括：基于待测半导体器件的理论参数确定对应的测试参数；对待测半导体器件进行预处理；通过电流钳位的方式向待测半导体器件依序输送多级测试电流，并同步测量与多...

本申请涉及测试领域，提供一种电子器件雪崩测试电路及系统，测试电路包括包括储能单元

本申请涉及变压器技术领域，尤其是涉及一种高压隔离变压器，包括芯体，还包括第一骨架和第二骨架，所述第一骨架的内壁上固定有安装柱，所述芯体安装在所述安装柱上，所述芯体外壁上绕制有次级线圈，所述第一骨架的外壁上绕制有初级线圈，所述第二骨架盖设...

本申请涉及仪器设备校准的技术领域，尤其是涉及一种高压源，包括机壳和设置在所述机壳上用于向机壳内供风的供风件，所述机壳的内壁上设置有采样芯片，所述机壳的内壁上设置有阻挡壳，所述阻挡壳背向所述供风件的出风口，所述阻挡壳的侧壁上固定有引导板，...

本申请涉及同步电机电流控制领域，提供一种基于模型预测的电流控制方法、装置和存储介质，其方法包括：在永磁同步电机系统启动后，在进入每个控制周期后执行下列操作生成脉冲控制信号：基于电流预测模型和价值函数确定当前控制周期的最优电压矢量，根据前...

本申请涉及高压电源领域，尤其是涉及一种高压电源，包括壳体、球管、装设在壳体内用于向球管提供高压的变压器、上盖，所述上盖上开设有注射槽，所述注射槽的内腔底部开设有与壳体内腔连通的注油孔，所述注射槽内设置有用于封堵注油孔的密封结构，所述壳体...

本申请涉及电感器的技术领域，公开一种低漏磁的高频功率电感，包括磁芯体组件、骨架和线圈，磁芯体组件包括两个侧边磁芯和至少两个中心磁芯，侧边磁芯包括侧柱，侧柱一侧的两端分别设有边柱，侧柱上位于两端的边柱之间设置有至少一个中柱；两个侧边磁芯相...

本申请涉及自动吹干装置的领域，公开了一种功率半导体自动吹干装置，其包括架体，架体上设置有收集箱，收集箱上设置有吹气管，吹气管上转动连接有旋转喷头，旋转喷头内开设有与吹气管相连通的吹气腔，吹气管外壁开设有与吹气腔相连通的吹气缝，旋转喷头于...

本发明涉及电力电子技术领域，公开了三相大功率SiC MOSFET模块，包括基板、在基板上布局的电路铜层以及设置于所述电路铜层上的半导体功率电子元件；所述半导体功率电子元件包括上桥功率芯片组、下桥功率芯片组、电极探针及若干控制极电阻；所述...

本发明涉及电力电子技术领域，公开了具有高功率密度的碳化硅模块，包括基板、在基板上布局的电路铜层以及设置于电路铜层上的半导体功率电子元件；半导体功率电子元件包括上桥功率芯片组、下桥功率芯片组、电极探针及若干控制极电阻；上桥功率芯片组包括八...

本发明涉及电力电子技术领域，公开了多芯片并联大功率碳化硅模块，包括基板、在基板上布局的电路铜层以及设置于电路铜层上的半导体功率电子元件；半导体功率电子元件包括上桥功率芯片组、下桥功率芯片组、电极探针及若干控制极电阻；上桥功率芯片组包括六...

本申请涉及一种应用于高压发生器的多二极管串联不均压抑制电路，涉及高压发生器的领域，其包括多个串接的二极管D

本申请涉及高压发生器管理技术领域，公开了基于机器学习的高压发生器控制方法、系统、电子装置及计算机存储介质。基于机器学习的高压发生器控制方法包括：建立高压发生器与标的设备的设备数字孪生模型；从设备数字孪生模型中获取高压发生器运行的历史数据...

本申请涉及一种X射线源产品用散热油箱，涉及油冷却技术的领域，其包括一侧设置有开口的桶体状油箱本体，所述油箱本体的外侧壁上设置有多个散热片，所述散热片依次间隔排布。本申请通过在油箱本体外侧设置散热片，散热片可以增大油箱本体与空气的接触面积...