半导体功率模块漏电流测试电路制造技术

本发明专利技术公开了半导体功率模块漏电流测试电路

【技术实现步骤摘要】
半导体功率模块漏电流测试电路、方法和系统


[0001]本专利技术涉及半导体功率模块测试
，尤其是涉及半导体功率模块漏电流测试电路
、
方法和系统
。

技术介绍

[0002]半导体功率模块中包括多个半导体功率管，在对半导体功率模块的静态测试中，需要测试各半导体功率管的漏电流，如图1所示，各半导体功率管的测试总线是连接在一起的，各半导体功率管的测试作为子电路存在，对不同的半导体功率管测试时，需要采用继电器进行切换，不测试的半导体功率管要断开连接，只选中需要测试的半导体功率管连接到测试总线上，而继电器部分也会有漏电流产生，继电器的漏电流约为纳安（
nA
）级，传统硅（
Si
）半导体功率模块本身漏电流较大，约为微安（
uA
）级，在对传统硅半导体功率模块漏电流测试时，继电器的漏电流对测试结果的影响可以忽略，随着技术的发展，
SiC
等第三代功率模块的漏电流也为纳安（
nA
）级，对第三代功率模块的测试时，继电器的漏电流会严重影响测试精度
。
[0003]为了提高测试精度，目前选用干簧继电器进行切换，干簧继电器将触点密封在玻璃管内，以此减小环境对漏电流的影响，但干簧继电器本身价格较高，是传统继电器的几十倍，对于三电平等较复杂的功率模块会需要大量的继电器，干簧继电器会大大增加系统成本
。
[0004]因此，如何在降低成本的基础上，提高半导体功率模块的测试精度，是目前亟待解决的问题
>。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供半导体功率模块漏电流测试电路
、
方法和系统，在漏电流测试时，采用与测试线等电位的保护线，采用常见继电器隔离被测试引出端与外界的连接，防止漏电流产生，同时隔离被测试引出端用继电器与外界的连接，防止被测试引出端用继电器产生漏电流，将未测试的引出端与对应的引出端保护线连接，防止漏电流流入测试线，对未测试引出端用继电器用保护线进行屏蔽，防止未测试引出端用继电器的漏电流流入测试线，通过以上方法，降低成本的同时，提高了漏电流测试精度
。
[0006]第一方面，本专利技术的上述专利技术目的通过以下技术方案得以实现：半导体功率模块漏电流测试电路，半导体功率模块包括
N
个引出端，对应每个引出端设置引出端测试子电路，引出端测试子电路包括测试总线
、
保护总线
、
待测引出端连线
、
引出端保护支线
、
过渡线
、
第一控制开关系统和第二控制开关系统，第一控制开关系统用于控制测试总线
、
过渡线
、
待测引出端连线两两之间的断开或连接，第二控制开关系统用于控制保护总线与引出端保护支线之间的断开或连接，过渡线与保护总线之间的断开或连接，保护总线与引出端保护支线之间的断开或连接，保护总线环绕在测试总线
、
过渡线外围，引出端保护支线环绕在待测引出端连线外围；各引出端测试子电路的测试总线连接在一起，
各引出端测试子电路的保护总线连接在一起
。
[0007]本专利技术进一步设置为：第一开关控制系统包括二个控制开关，第一控制开关的第一端连接到测试总线，其第二端连接到过渡线的一端；第二控制开关的第一端连接到过渡线的另一端，其第二端连接到待测引出端连线，保护总线环绕第一控制开关的两端和第二控制开关的第一端
。
[0008]本专利技术进一步设置为：第一控制开关是第一继电器的控制开关，第二控制开关是第二继电器的控制开关，第一继电器线圈的一端连接到保护总线上，第二继电器线圈的一端通过第二控制开关系统连接到保护总线上
。
[0009]本专利技术进一步设置为：第二控制开关系统包括三个控制开关，第三控制开关的第一端连接到保护总线上，其第二端连接过渡线上；第四控制开关的第一开关端连接到保护总线上，第二开关端连接到待测引出端连线上，其中间开关端连接到引出端保护支线上，其中间开关端或者与第一开关端连接，断开第二开关端，或者与第二开关端连接，断开第一开关端；第五控制开关的第一端连接到保护总线上，其第二端连接到第二继电器线圈的一端
。
[0010]本专利技术进一步设置为：还包括四个控制开关，分别用于控制继电器线圈两端的通断；第六控制开关的第一端连接第一继电器线圈的第一端，其第二端接继电器电源的一端；第七控制开关的第一端连接第一继电器线圈的第二端，其第二端接继电器电源的另一端；第八控制开关的第一端连接第二继电器线圈的第一端，其第二端接继电器电源的一端；第九控制开关的第一端连接第二继电器线圈的第二端，其第二端接继电器电源的另一端
。
[0011]本专利技术进一步设置为：控制开关是继电器的开关侧，各控制开关由继电器线圈控制
。
[0012]第二方面，本专利技术的上述专利技术目的通过以下技术方案得以实现：半导体功率模块漏电流测试方法，采用本申请所述的测试电路，在其中一个引出端被选中进行测试时，该被选引出端对应的引出端测试子电路中的第一控制开关系统，控制测试总线
、
过渡线
、
待测引出端连线依次连接在一起，第二控制开关系统控制保护总线与过渡线断开
、
保护总线与引出端保护支线断开；其余未测试引出端测试子电路中的第一控制开关系统，控制测试总线与过渡线断开
、
过渡线与待测引出端连线断开，第二控制开关系统控制待测引出端连线与引出端保护支线连接，并断开与保护总线的连接，控制过渡线与保护总线连接
。
[0013]本专利技术进一步设置为：在其中一个引出端被选中进行测试时，该被选引出端对应的引出端测试子电路中的第一继电器线圈的一端
、
第二继电器线圈的一端都连接保护总线，未测试引出端的引出端测试子电路中的第一继电器线圈的一端连接保护总线，第二继电器线圈的一端与保护总线断开连接
。
[0014]本专利技术进一步设置为：在其中一个引出端被选中进行测试时，该被选引出端对应的引出端测试子电路中的第六控制开关
、
第七控制开关
、
第八控制开关
、
第九控制开关处于断开状态，未测试引出端对应的引出端测试子电路中的第六控制开关
、
第七控制开关
、
第八控制开关
、
第九控制开关处于连通状态
。
[0015]第三方面，本专利技术的上述专利技术目的通过以下技术方案得以实现：半导体功率模块漏电流测试系统，包括
N
个引出端
、N
个引出端测试子电路和控制电路，一个引出端对应一个引出端引出端测试子电路，各引出端测试子电路结构相同，所有
引出端测试子电路的保护总线连接在一起，所有引出端测试子电路的测试总线连接在一起，测试总线与保护总线不连接，但等电位；控制电路分别与各引出端测试子电路连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
半导体功率模块漏电流测试电路，其特征在于：半导体功率模块包括
N
个引出端，对应每个引出端设置引出端测试子电路，引出端测试子电路包括测试总线
、
保护总线
、
待测引出端连线
、
引出端保护支线
、
过渡线
、
第一控制开关系统和第二控制开关系统，第一控制开关系统用于控制测试总线
、
过渡线
、
待测引出端连线两两之间的断开或连接，第二控制开关系统用于控制保护总线与引出端保护支线之间的断开或连接，过渡线与保护总线之间的断开或连接，保护总线与引出端保护支线之间的断开或连接，保护总线环绕在测试总线
、
过渡线外围，引出端保护支线环绕在待测引出端连线外围；各引出端测试子电路的测试总线连接在一起，各引出端测试子电路的保护总线连接在一起
。2.
根据权利要求1所述半导体功率模块漏电流测试电路，其特征在于：第一开关控制系统包括二个控制开关，第一控制开关的第一端连接到测试总线，其第二端连接到过渡线的一端；第二控制开关的第一端连接到过渡线的另一端，其第二端连接到待测引出端连线，保护总线环绕第一控制开关的两端和第二控制开关的第一端
。3.
根据权利要求2所述半导体功率模块漏电流测试电路，其特征在于：第一控制开关是第一继电器的控制开关，第二控制开关是第二继电器的控制开关，第一继电器线圈的一端连接到保护总线上，第二继电器线圈的一端通过第二控制开关系统连接到保护总线上
。4.
根据权利要求1所述半导体功率模块漏电流测试电路，其特征在于：第二控制开关系统包括三个控制开关，第三控制开关的第一端连接到保护总线上，其第二端连接过渡线上；第四控制开关的第一开关端连接到保护总线上，第二开关端连接到待测引出端连线上，其中间开关端连接到引出端保护支线上，其中间开关端或者与第一开关端连接，断开第二开关端，或者与第二开关端连接，断开第一开关端；第五控制开关的第一端连接到保护总线上，其第二端连接到第二继电器线圈的一端
。5.
根据权利要求4所述半导体功率模块漏电流测试电路，其特征在于：还包括四个控制开关，分别用于控制继电器线圈两端的通断；第六控制开关的第一端连接第一继电器线圈的第一端，其第二端接继电器电源的一端；第七控制开关的第一端连接第一继电器线圈的第二端，其第二端接继电器电源的另一端；第八控制开关的第一端连接第二继电器线圈的第一端，其第...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱城晖，毛赛君，王杰，刘弘耀，
申请(专利权)人：忱芯电子苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：