三相大功率SiCMOSFET模块制造技术

本发明专利技术涉及电力电子技术领域，公开了三相大功率SiC MOSFET模块，包括基板、在基板上布局的电路铜层以及设置于所述电路铜层上的半导体功率电子元件；所述半导体功率电子元件包括上桥功率芯片组、下桥功率芯片组、电极探针及若干控制极电阻；所述上桥功率芯片组及所述下桥功率芯片组分别包括若干并联的半导体功率芯片，所述上桥功率芯片组与所述下桥功率芯片组的半导体功率芯片对称设置。本申请有利于保证各并联芯片换流路径杂散电感参数分布保持一致，以实现良好的均流特性。且该布局方式减小了相邻芯片的热耦合影响，有利于提高功率半导体模块的最大输出功率，减小芯片的最大结温。温。温。

【技术实现步骤摘要】
三相大功率SiC MOSFET模块


[0001]本专利技术涉及电力电子
，尤其涉及一种三相大功率SiC MOSFET模块。

技术介绍

[0002]功率半导体模块是将多个半导体芯片按照一定功能、模式组合再灌封成一体的器件，其主要应用于电力电子系统功率回路，是实现电能转换的核心硬件。
[0003]多芯片并联封装的功率模块面临着很多挑战，包括如何保证各并联芯片的均流特性，如何减小功率模块的寄生电感，如何降低门极回路和功率回路的耦合问题。SiC MOSFET相比于Si IGBT具有更高的开关速度，对寄生参数更敏感。
[0004]现有的三相封装结构中SiC MOSFET的布局多呈品字结构，其芯片布局紧密热耦合现象严重，同时不对称的布局会使并联芯片的均流特性难以保证，且信号回路与功率回路耦合对门极驱动有不利影响，芯片的可靠性和器件的寿命都将降低。

技术实现思路

[0005]为了降低热耦合，降低芯片串扰电压，实现良好的均流特性，降低电磁干扰，本申请提供一种三相大功率SiC MOSFET模块。
[0006]本申请提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.三相大功率SiC MOSFET模块，其特征在于，包括基板（1）、在基板（1）上布局的电路铜层（2）以及设置于所述电路铜层（2）上的半导体功率电子元件（3）；所述半导体功率电子元件（3）包括上桥功率芯片组（311）、下桥功率芯片组（312）、电极探针（32）及若干控制极电阻（33）；所述上桥功率芯片组（311）及所述下桥功率芯片组（312）分别包括若干并联的半导体功率芯片（31），所述上桥功率芯片组（311）与所述下桥功率芯片组（312）的半导体功率芯片（31）对称设置。2.根据权利要求1所述的三相大功率SiC MOSFET模块，其特征在于，所述电路铜层（2）包括用于连接上桥功率芯片组（311）的上桥半导体功率芯片导电区（211）、用于连接下桥功率芯片组（312）的下桥半导体功率芯片导电区（212）、用于连接电极探针（32）的电极探针导电区（22）、用于连接控制极电阻（33）的控制极电阻导电区（23），以及输入电极区（4）和输出电极区（5），所述上桥半导体功率芯片导电区（211）、下桥半导体功率芯片导电区（212）、电极探针导电区（22）、控制极电阻导电区（23）、输入电极区（4）和输出电极区（5）相互之间独立设置。3.根据权利要求2所述的三相大功率SiC MOSFET模块，其特征在于，所述上桥功率芯片组（311）上并联设置的半导体功率芯片（31）在上桥半导体功率芯片导电区（211）上一字排开设置；所述下桥功率芯片组（312）上并联设置的半导体功率芯片（31）在下桥半导体功率芯片导电区（212）上一字排开设置，所述上桥功率芯片组（311）与所述下桥功率芯片组（312）相互平行。4.根据权利要求3所述的三相大功率SiC MOSFET模块，其特征在于，包括两个所述控制极电阻导电区（23），两个所述控制极电阻导电区（23）分别位于所述上桥半导体功率芯片导电区（211）和所述下桥半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雯钰，毛赛君，
申请(专利权)人：忱芯电子苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：