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本发明涉及电力电子技术领域，公开了三相大功率SiC MOSFET模块，包括基板、在基板上布局的电路铜层以及设置于所述电路铜层上的半导体功率电子元件；所述半导体功率电子元件包括上桥功率芯片组、下桥功率芯片组、电极探针及若干控制极电阻；所述上桥...
该专利属于忱芯电子（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过忱芯电子（苏州）有限公司授权不得商用。

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