专利查询
首页
专利评估
登录
注册
长春理工大学专利技术
长春理工大学共有6502项专利
一种大气激光通信系统视轴自动修正方法技术方案
本发明涉及大气激光通信系统中视轴自动修正方法,其条件和步骤如下:所需设备为大气激光通信光端机主镜光学系统、粗跟踪光学系统和CCD成像与处理系统、转台控制计算机和GPS设备。实现步骤:在系统完成初始化,实现目标捕获并进入跟踪状态的情况下,...
大气湍流对空间激光通信影响测试装置制造方法及图纸
本发明提供的大气湍流对空间激光通信影响测试装置,由发射终端和接收终端构成;发射终端由扩束镜(1),扩束镜(2)、扩束镜(3)、固定机构(4)、半导体激光器阵列(5)、俯仰转台(6)和航向转台(7)构成;接收终端由可调光阑(8)、卡式系统...
冷热缩相结合电缆终端制造技术
本实用新型公开了冷热缩相结合电缆终端,包括:电缆的内层为硅橡胶冷缩复合绝缘或导电应力锥;外层为聚稀烃材料制造的热缩材料层,电缆的一端连接端子密封管,端子密封管通过填充胶粘接接线端子,电缆外侧具有单孔伞群;电缆的另一端顺序连接外半导电层、...
内部自组织同位相激励相干合成激光器制造技术
内部自组织同位相激励相干合成激光器属于高能激光器技术领域。已知的多光束相干合成技术采用若干从激光器及一个主激光器,由光栅实现主激光的分束和从激光的合成,各束从激光在外部微扰作用下实现相干合成。但是,受光栅衍射角所限,从激光器数量被限定在...
一种半导体激光器腔面钝化方法技术
一种半导体激光器腔面钝化方法,属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术难度是大幅度提高输出功率,同时使器件的可靠性保持在较高的水平。本发明之一种半导体激光器腔面钝化方法,有效提高输出功率,提升半导体激光器的可靠性。该钝化方法先后...
一种大尺寸InGaSb量子点的外延生长方法技术
大尺寸量子点属于半导体光电子材料技术领域。该领域已知技术所探索的各种制备低维量子材料的方法中,不足之处是难于控制量子点的空间尺寸、形状和组分分布,使得它难于方便地引入器件中发挥效应。尤其是结构中难以控制的各向异性(形状、应变场、发光或放...
采用椭圆柱泵浦灯的固体激光器椭圆柱聚光腔制造技术
采用椭圆柱泵浦灯的固体激光器椭圆柱聚光腔属于固体激光器技术领域。已知技术存在的技术问题是泵浦能量并未全部为固体激光棒吸收,导致椭圆柱聚光腔腔内温度上升,激光器输出光束质量下降,电光转换效率低;固体激光棒两侧部分未得到反射泵浦光照射,影响...
晶体透镜自适应补偿热透镜激光谐振腔制造技术
晶体透镜自适应补偿热透镜激光谐振腔属于激光技术领域。现有技术除了采用一个短焦距透镜补偿热透镜效应外,还采取轴移调节一个腔镜的措施实现自适应补偿。在轴移调节过程中存在机械运动,严重影响系统稳定性。本发明是由电光晶体透镜与激光棒热透镜组成望...
光纤与半导体激光器耦合定位方法技术
光纤与半导体激光器耦合定位方法属于半导体器件技术领域。现有技术或者是无法消除因为胶的微小变形对耦合质量的影响,以及耦合操作困难,或者是对器件的改动较大,结构复杂,操作麻烦。本发明将点胶固定光纤的工序提前至耦合前,同时改操作纤细的光纤为操...
硅衬底上生长低位错氮化镓的方法技术
硅衬底上生长低位错氮化镓的方法属于半导体材料技术领域。由于蓝宝石具有绝缘性,所以以其为衬底生长氮化镓不能符合器件制作的要求,以碳化硅为衬底生长氮化镓成本又很高。以硅为衬底采用现有方法生长氮化镓其位错密度又很高,同样不能满足要求。而本发明...
垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法制造技术
垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法属于半导体激光器电极制作技术领域。相关的现有技术为刻蚀环形沟槽法。该技术存在的主要问题是,由于最后要用聚酰亚胺填充环形沟槽,使得所制造的激光器散热不良。本发明采用刻蚀环形分布孔法,即在原刻蚀...
半导体激光器腔面镀膜用柔性夹具制造技术
半导体激光器腔面镀膜用柔性夹具属于半导体激光器器件工艺技术领域,是一种于半导体激光器腔面镀膜工序中的夹具,可实现对解理条的柔性夹持。现有技术中的相关夹具存在夹持松散、装夹拗手、易使镀膜材料镀在解理条电极上等弊端。本发明之夹具由夹具箱体、...
空心圆台激光光纤耦合器制造技术
空心圆台激光光纤耦合器属于高功率、大能量激光光纤耦合器件技术领域。现有的耦合器件无法胜任脉冲峰值功率达到兆瓦级的激光与光纤的耦合。本发明提供了一种具有空心圆台结构的耦合器,耦合器其工作腔呈空心圆台状,圆台下底面为入光面,上底面为出光面,...
半导体激光器参数测试用填充液态导热媒质控温装置制造方法及图纸
半导体激光器参数测试用填充液态导热媒质控温装置属于半导体激光器器件可靠性参数测试技术领域。相关的现有技术存在温度梯度大、加热惯性大等弊端,使得所确认的被测器件温度与实际温度相差较大;又由于光电探测器件在保温箱内一同被加热,从而使其处在非...
在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法技术
在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法属于半导体芯片电极制作技术领域。已知技术存在的问题是,电子流会经连接面下面的上布拉格反射镜向焊盘流动,造成损耗,还使器件发热;另外,电极引线球焊头与光滑的平面电极之间焊接的有可能会出现脱...
半导体激光泵浦折叠式单通道被动调Q脉冲和频激光器制造技术
半导体激光泵浦折叠式单通道被动调Q脉冲和频激光器属于激光技术领域。现有技术属于主动调Q,复合腔为直列式。本发明则提供一种技术方案,采用一个增益介质、两个被动调Q晶体,形成两个谐振腔,共用一个折叠式光传输通道,最终实现了被动调Q脉冲和频激...
半导体激光泵浦单频连续和频激光器制造技术
半导体激光泵浦单频连续和频激光器属于激光技术领域。本发明目的是进一步拓展腔内插入偏振片选频方式,把这种选频方式的谐振腔作为本发明的两个子谐振腔,使得两个单纵漠分别在各自的谐振腔中运转,通过谐振腔的设计,使得两个单频波长相遇,在两个子谐振...
半导体激光泵浦双通道被动调Q脉冲和频激光器制造技术
半导体激光泵浦双通道被动调Q脉冲和频激光器属于激光技术领域。现有技术存在的缺陷有,主动调Q元件价格高,而且驱动源体积大,不利于产业化。仅具有单一光传输通道,单一泵浦源,单一增益介质,难以控制光增益,难以轻易调出所需和频波长。在本发明的技...
半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法制造方法及图纸
半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法属于激光器性能测试技术领域。已知技术之装置存在的不足主要是结构复杂。而其测试方法存在的不足是,在测试半导体激光器的温度特性时,需要对温度实施控制。本发明之装置仅由保温箱、导热媒质、加热器、待...
大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构制造技术
大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构属于半导体激光器件技术领域。现有技术因载流子聚集效应以及趋肤效应,使得注入电流强度以及发光强度不均匀,器件性能和寿命受到影响。本发明之多芯电注入结构位于布拉格反射镜中的高铝层,在环形沟槽及...
首页
<<
317
318
319
320
321
322
323
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
133943
珠海格力电器股份有限公司
99092
中国石油化工股份有限公司
87105
浙江大学
81097
三星电子株式会社
68153
中兴通讯股份有限公司
67281
国家电网公司
59735
清华大学
56382
腾讯科技深圳有限公司
54182
华南理工大学
51641
最新更新发明人
广东弘捷新能源有限公司
34
印度尼西亚青检技术研究有限公司
17
中国铁塔股份有限公司永川分公司
1
恒基能脉新能源科技有限公司
91
罗姆来格工程有限公司
3
IMEC非营利协会
419
中建材玻璃新材料研究院集团有限公司
473
中外制药株式会社
621
湖南同方电气有限公司
27
天津永邦新材料科技有限公司
4