垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法制造技术

垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法属于半导体激光器电极制作技术领域。相关的现有技术为刻蚀环形沟槽法。该技术存在的主要问题是，由于最后要用聚酰亚胺填充环形沟槽，使得所制造的激光器散热不良。本发明专利技术采用刻蚀环形分布孔法，即在原刻蚀环形沟槽的位置刻蚀若干个环形分布、彼此孤立的孔，通过这些孔同样可以完成氧化物限制层工艺，之后不需将其填充，各个相邻孔之间的桥状通道使得激光器圆台台面各部分仍保持连接状态，仍与连接面、焊盘台面组成一个供蒸镀激光器上电极用的连续平面。本发明专利技术主要应用于垂直腔面发射半导体激光器制造领域。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体激光器制造
，可以进一步划分到半导体激光器电极制作

技术介绍
1997年9月出版的《IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS》第9卷第9期第1196页介绍了一种垂直腔面发射半导体激光器电极制作过程中的一个步骤，我们称其为刻蚀环形沟槽法，见图1所示，图中两个虚同心圆之间即为环形沟槽1，它是一种环形连续沟道，位于激光器圆台台面4的外围环形区域。通过它制作完氧化物限制层后，该环形沟槽经二次生长工序用聚酰亚胺或其它类似材料填充，使得焊盘台面2、连接面3与激光器圆台台面4成为一个连续平面，在这一平面上制作的激光器上电极电阻率较低。出光孔5位于激光器圆台台面4的中心圆形区域。来自焊盘的电流径直注入激光器谐振腔中。
技术实现思路
在环形沟槽1填充聚酰亚胺严重影响激光器散热。同时，也使得这种器件的生产多出一道工序。生长完聚酰亚胺之后还要做磨平处理。并且，在这道生长工序中，不可避免地会给已经形成的激光器结构带来某种破坏。为了消除这些负面效果，我们专利技术了一种垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法。本专利技术是这样实现的，见图2，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在垂直腔面发射半导体激光器制造过程中与激光器上电极制作有关的刻蚀方法，在激光器圆台台面（４）外围环形区域内，对激光器圆台进行刻蚀，刻蚀至氧化物限制层到有源层之间，再经氧化步骤，生成氧化物限制层，最终形成激光器谐振腔孔径，其特征在于，刻蚀多个环形分布、彼此孤立的孔（７），孔与孔之间的台面部分成为桥状通道（８），完成氧化物限制层步骤后，即可在由焊盘台面（２）、连接面（３）以及包括多个桥状通道（８）在内的激光器圆台台面（４）组成的一个连续平面上蒸镀激光器上电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵英杰，钟景昌，晏长岭，李林，郝永芹，李轶华，苏伟，姜晓光，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]