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垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法属于半导体激光器电极制作技术领域。相关的现有技术为刻蚀环形沟槽法。该技术存在的主要问题是，由于最后要用聚酰亚胺填充环形沟槽，使得所制造的激光器散热不良。本发明采用刻蚀环形分布孔法，即在原刻蚀环形...
该专利属于长春理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过长春理工大学授权不得商用。

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