一种多块晶体电光Q开关器件制造技术

一种多块晶体电光Ｑ开关器件，属于旋光性电光晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明专利技术由至少两块Ｌａ↓［３］Ｇａ↓［５］ＳｉＯ↓［１４］或掺Ｎｄ离子Ｌａ↓［３］Ｇａ↓［５］ＳｉＯ↓［１４］或相关系列晶体材料Ｌａ↓［３］Ｇａ↓［５－ｘ］Ａｌ↓［ｘ］ＳｉＯ↓［１４］，Ｓｒ↓［３］Ｇａ↓［２］Ｇｅ↓［４］Ｏ↓［１４］，Ｎａ↓［２］ＣａＧｅ↓［６］Ｏ↓［１４］，Ｃａ↓［３］Ｇａ↓［２］Ｇｅ↓［４］Ｏ↓［１４］，Ｌａ↓［３］Ｇａ↓［５．５］Ｎｂ↓［０．５］Ｏ↓［１４］，Ｌａ↓［３］Ｇａ↓［５．５］Ｔａ↓［０．５］Ｏ↓［１４］按照一定的设计切型和设计晶轴取向制成的一种晶体电光Ｑ开关器件，用于Ｈｏ：ＹＡＧ脉冲激光器及其它近红外和可见脉冲激光器作电光调Ｑ使用。它解决了现有技术存在的半波电压高，消光比低，电场偏压影响晶体的旋光性，Ｑ开关器件的消光比受晶体生长应力影响大，对晶体质量要求苛刻等缺点。本发明专利技术的晶体电光Ｑ开关器件具有半波电压低，消光比高，基本上消除电场偏压对晶体旋光性的影响，使晶体生长应力的影响降低，稳定性好，降低制作成本等优点。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术将涉及一种多块晶体电光Q开关器件，属于旋光性电光晶体材料在光电
中的应用。
技术介绍
在激光
中，Q开关器件是脉冲激光器中使用的一种必不可少的光学器件。电光Q开关器件因其工作状态稳定，便于与其它应用设备在时序上同步，在激光系统中有着广泛的应用。目前，使用化的电光Q开关器件多由DKDP晶体、LiNbO3晶体、BBO晶体、LGS晶体来制造。用DKDP晶体制作的电光Q开关具有损伤阈值高，光学均匀性好的优点。但因其利用的是DKDP晶体的纵向电光效应，由于必需采用环形电极，所加电场不均匀，动态消光比较低，开关不够严，半波电压高，且不可调，随温度的变化比较大。因DKDP是水溶性晶体，需加防潮装置，制作工艺复杂。用LiNbO3晶体制作的电光Q开关，由于利用的是其横向电光效应，半波电压随晶体纵横比的大小可调，但LiNbO3晶体的损伤阈值低，光学均匀性比较差，在低温情况下，半波电压随温度的变化比较大。BBO晶体在生长长度适合制作电光Q开关器件长度的晶体技术难度很大，价格昂贵，加之BBO晶体仍存在微潮解，广泛使用受到局限。LGS晶体具有旋光性，电场偏压影响晶体的旋光性，Q开关器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体电光Ｑ开关器件，其特征在于，由至少Ｌａ↓［３］Ｇａ↓［５］ＳｉＯ↓［１４］或掺Ｎｄ离子Ｌａ↓［３］Ｇａ↓［５］ＳｉＯ↓［１４］或相关系列晶体材料Ｌａ↓［３］Ｇａ↓［５－ｘ］Ａｌ↓［ｘ］ＳｉＯ↓［１４］、Ｓｒ↓［３］Ｇａ↓［２］Ｇｅ↓［４］Ｏ↓［１４］、Ｎａ↓［２］ＣａＧｅ↓［６］Ｏ↓［１４］、Ｃａ↓［３］Ｇａ↓［２］Ｇｅ↓［４］Ｏ↓［１４］、Ｌａ↓［３］Ｇａ↓［５．５］Ｎｂ↓［０．５］Ｏ↓［１４］或Ｌａ↓［３］Ｇａ↓［５．５］Ｔａ↓［０．５］Ｏ↓［１４］切型制成，当晶体材料为Ｌａ↓［３］Ｇａ↓［５－ｘ］Ａｌ↓［ｘ］ＳｉＯ↓［１４］，ｘ取值范围：０～５。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张少军，尹鑫，蒋民华，王青圃，张怀金，王继扬，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：88[中国|济南]